应用说明
M515
技术，以实现高隔离度和GaAs MMIC开关
芯片
安装技术
1.直接在安装该芯片的基
接地平面（的即金属地板
包），并使用从短连接
在MMIC的接地焊盘与接地平面。
2.使用短的带状债券（ 0.005 0.010 “宽）
代替的连接线接合
接地焊盘接地。
3.抬高地平面处于同一
水平上的芯片表面上的接地焊盘。
这可以这样做：
V4版本
在GaAs MMIC开关的实现隔离
是怎样低的电感的函数可以
在MMIC的接地垫之间实现
和一个特定的电路中的接地平面。
当然越低电感，高
可以实现隔离。
例如，示出为曲线
获得MASW6010G *芯片的产品目录
直接在芯片上使用共面的射频探针
因为这是一个共面的探测器配置
（其中也包括接地平面），有
几乎没有接地电感的
测量。因此，该隔离在所获得的
数据表是一个非常小的接地电感
存在，并应被认为是最佳的。
然而，隔离曲线的
获得MASW6020G *芯片的产品目录
与芯片安装在具有一平坦的软件包
上的焊盘与地板接地平面
接地平面。因此，该隔离在所获得的
数据表是当一个有限的电感存在
的接地路径。
在实践中，当芯片被安装到一个电路，
总是会有一些有限的电感哪些
会降低隔离性能。几个
可以采取预防措施，以改善隔离
内的特定电路。 （见方框）
在大多数情况下使用由M / A-COM的技术
封装MMIC开关产品是＃1
以上。这些产品的目录性能
可以用作什么可以是一个指示器
预计如果技术＃ 1使用。不过，
改进可以预见，在孤立
如果表现技法2或3的使用。
这说明简要描述的技术来获得
当使用最大可能的隔离
砷化镓MMIC开关芯片。几个选项分别为
概括其中涉及不同程度的
复杂性。相声，不是这里讨论，可以
也降低隔离，并且必须最小化，以
得到的整体性能。
*部件号MASW6010G取代SW -200和
MASW6020G取代SW- 210 。
A.使用接地平面的基座旁边的芯片，
如图所示。
丝带债券
座
芯片
地平面
B.芯片压下成在一个信道
接地平面，如图所示。
丝带债券
地平面
芯片
在GaAs MMIC开关的隔离性能
可以通过引入寄生效应会降低
由其中的MMIC使用的电路。两
隔离退化的主要原因是
过度的接地路径电感和
射频路径之间的串扰（外部给
MMIC ） 。这说明将重点放在技术
降低接地路径电感。
1
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