A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
闪存的框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.................................... 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行.......................................... 10
自选功能................................................ ........... 10
同时读/写操作零延迟....... 10
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL640H部门架构.................................... 11
表3.银行地址............................................. ....................... 14
表4. SecSi 扇区地址........................................... .... 14
表5. Am29DL640H引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 15
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 30
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 30
表12.写操作状态............................................ ....... 31
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图8.最大负过冲波形...................... 32
图9.最大正过冲波形........................ 32
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
CMOS兼容................................................ .................. 33
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 34
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 34
伪SRAM和DC
工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图12.测试设置............................................. ....................... 36
图13.输入波形和测量水平................. 36
图14. ............................................... ....................................... 36
只读操作.............................................. ............. 37
图15.读操作时序............................................ ... 37
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 16
表6. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 16
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 38
图16.复位时序............................................. .................. 38
临时机构撤消............................................... ... 16
图1.临时机构撤消操作........................... 16
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 17
擦除和编程操作.............................................. 39
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图22.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
40
40
41
42
42
43
43
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 18
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 19
硬件数据保护............................................... ....... 19
低V
CC
写禁止................................................ ........... 19
写脉冲“毛刺”保护............................................ 19
逻辑禁止................................................ ...................... 19
上电写禁止............................................. ............ 19
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 19
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 23
自选命令序列............................................ 23
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 23
Word程序命令序列..................................... 24
解锁绕道命令序列.................................. 24
图4.程序运行............................................. ............. 25
临时机构撤消............................................... ... 44
图24.临时机构撤消时序图.............. 44
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 45
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 46
图26.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 47
伪SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
电时间............................................... ........................ 48
读周期................................................ ............................. 48
图27.伪SRAM读周期，地址控制......... 48
图28.伪SRAM读周期........................................... 49
写周期................................................ ............................. 50
图29.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 50
图30.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 51
图31.伪SRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 52
芯片擦除命令序列........................................... 25
扇区擦除命令序列........................................ 25
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
图5.擦除操作............................................. .................. 26
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 28
图6.数据＃投票算法........................................... ........ 28
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 29
图7.切换位算法............................................ ............. 29
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 30
闪存擦除和编程性能。 。 53
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
FLJ073-73球细间距栅阵列8× 11.6毫米.............. 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2004年3月12日
Am49DL6408H
3
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