Am49DL320BG

数据表

2003年7月

下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品

AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称

inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户

富士通。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，

和变化，都可以在修改摘要。

订购零件编号的连续性

AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购

这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

内存解决方案。

公开号

26644

调整

A

修订

+1

发行日期

2002年7月19日

初步

Am49DL320BG

堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM

Am29DL320G 32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同时

操作闪存和32兆位（ 2M ×16位）伪静态RAM与页面模式

特色鲜明

MCP特点

s

2.7至3.3伏的电源电压

s

高性能

- 存取时间快70纳秒

s

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

软件特点

s

数据管理软件（ DMS ）

- AMD公司提供的软件管理数据编程，

使EEPROM仿真

- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性

s

包

- 73球FBGA

s

工作温度

= -40 ° C至+ 85°C

s

支持通用闪存接口（ CFI ）

s

编程/擦除暂停/删除恢复

- 挂起编程/擦除操作，使

编程/擦除在同一家银行

FLASH内存功能

架构优势

s

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的另一家银行。

读取和写入操作之间的零延迟

s

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测的状态的软件的方法

编程或擦除周期

s

解锁绕道程序命令

- 发出多个时，降低了总体规划的时间

程序的命令序列

s

灵活的Bank架构

- 未写入读取可能发生在任何的三家银行

或擦除。

- 四家银行可以通过客户进行分组，以实现预期

银行部门。

硬件特性

s

任何部门的结合可以被删除

s

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）

- 硬件检测方法编程或擦除周期

竣工

s

在0.17微米制程技术制造的

s

SecSi （安全硅）行业：额外256字节扇区

—

工厂锁定和识别：

适用于16字节

安全的，随机的工厂电子序列号;可验证

作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash

选项使整个行业可以供

工厂数据保护

—

客户可锁定：

部门是一次性可编程的。一旦

扇区已被锁定，数据不能被改变。

s

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

- 硬件重置内部状态机的方法

读模式

s

WP ＃ / ACC输入引脚

- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护两个最外侧

引导扇区，无论部门保护状态

- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度

s

零功耗工作

- 先进的电源管理电路降低功耗

在非活动期间消耗几乎为零。

s

扇区保护

- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或

使用编程设备，以防止任何程序或

该部门内的擦除操作

- 临时机构撤消允许更改数据

在系统保护部门

s

引导扇区

- 在同一装置顶部和底部引导扇区

s

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件与单电源兼容

闪存标准

PSRAM产品特点

s

功耗

- 工作：最大40mA

- 待机： 70 μA最大

- 深度掉电待机： 5 μA

性能特点

s

高性能

- 存取时间快70纳秒

- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速功能

s

超低功耗（典型值）

- 2毫安在1 MHz有源读取电流

- 在5 MHz 10毫安有效的读电流

- 200 nA的待机或自动睡眠模式

s

CE1S ＃和CE2s片选

s

使用CE1S ＃和CE2s关机功能

s

数据保持电源电压： 2.7 3.3伏

s

字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）

s

8字的页面模式访问

s

每个扇区保证至少1百万次写周期

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃ 26644

启：

A

Amendment/+1

发行日期：

2002年7月19日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

P L I M I N A R

概述

Am29DL320G特点

该Am29DL320G由32兆， 3.0伏，只闪光

存储设备，组织为16位2,097,152字

每个或4,194,304字节，每字节8位。字模式数据AP-

P·E AR S 0 N D Q 1 5 -D Q 0 ; B YT ê M O对德DA吨的P PE一个RS上

DQ7 - DQ0 。该设备被设计为被编程

在系统与标准的3.0伏V

CC

供应，并能

同时在标准EPROM编程器进行编程。

该器件具有70和85纳秒的存取时间。

该器件采用73球FBGA封装。标准

控制引脚芯片使能（ CE ＃楼） ，写使能（ WE＃ ）和

输出使能（ OE ＃ ） - 控制正常的读写操作

系统蒸发散，避免总线争用问题。

该设备只需要一

单3.0伏电源

用于读取和写入功能。内部生成的，

提供了用于将程序和擦除稳压电压

操作。

一些以前的AMD 32兆位Am29DL32x设备有

大SecSi部门。

工厂锁定部分提供几个

选项。该SecSi扇区可存储一个安全的，随机16

字节ESN （电子序列号） ，客户代码（亲

编程通过AMD的ExpressFlash服务） ，或两者兼而有之。

DMS （数据管理软件）

允许系统eas-

随手取的先进架构优势

通过使除去的同时读/写的产品线

EEPROM器件。 DMS也将允许系统软件

被简化，因为其将执行所有必要的功能

修改数据中的文件结构，相对于单字节

修改。要写出或更新特定的数据（一

电话号码或配置数据，例如）时，用户

只需要说明哪些数据块是要被更新，并

其中，在更新的数据是存放在系统中。这是一

优势相比于用户编写的软系统

器必须跟踪的旧数据的位置，状态，逻辑

于数据的物理地址的转换到闪存DE-

副（ ormemorydevi CE S） ， andmo重。我们I N G - D M S，

用户编写的软件不需要与接口

快闪记忆体直接。取而代之的是，用户的软件AC-

通过调用只有六分之一的正如事实闪存

功能。 AMD提供了该软件，以简化的系统设

签署和软件的整合工作。

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC

单电源闪存命令集的标准。

命令使用标写入到命令寄存器

准微处理器写时序。读出数据的

装置是相似的，从其他闪存或EPROM读

设备。

主机系统可以检测是否编程或擦除OP-

关合作完成通过使用设备

状态位：

RY / BY ＃

脚， DQ7 （数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。经过

编程或擦除周期已经完成，该装置盟

tomatically返回到读出阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区是

擦除和重新编程，而不影响数据CON-

其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时

从工厂运出。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

DE-

tector自动禁止写操作期间

电源转换。该

硬件部门保护

特征

禁用这两个方案，并在任意组合擦除操作

民族记忆的部门。这可以实现

在系统或通过编程设备。

该器件提供两种省电功能。当AD-

连衣裙一直稳定一段指定的时间，所述量

器件进入

自动休眠模式。

该系统可

同时将设备插入

待机模式。

功率变

消耗是在两种模式下大大降低。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

simul-

taneous操作

通过将存储器空间划分为

FOUR

银行，

2个4 Mb的银行与小型和大型行业，并

两个12兆大的银行部门。扇区地址是

定，系统软件可以被用于形成用户定义的

银行团。

在擦除/编程操作，任何三个

非繁忙的银行，可以读出。请注意，只有两个存储体

可以同时操作。该设备允许主机系

TEM编程或擦除立即在一家银行，然后和

从其他银行的同时读取，零延迟。

这从等待完成发行制度

编程或擦除操作。

该Am29DL320G可以组织，可以是顶部或bot-

汤姆引导扇区配置。

银行

银行1

2银行

3银行

4银行

兆

4兆

12 MB

12 MB

4兆

扇区大小

8个8字节/ 4千字，

七64千字节/ 32 K字

24个64字节/ 32 K字

24个64字节/ 32 K字

8个64字节/ 32 K字

Am49DL320BG特点

该

SecSi

TM

（安全硅）行业

是一个256字节的额外

部门能够被永久锁定， AMD或客

tomers 。该

SecSi标志位

（ DQ7 ）被永久设置

到1，如果该部件是

工厂锁定，

并设置为0，如果

客

Tomer的上锁。

通过这种方式，客户可锁定部分可以

从未被用来替换一工厂锁定部分。

注意

2

Am49DL320BG

2002年6月25日

P L I M I N A R

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

特殊包装处理说明.................................... 7

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

有效组合................................................ ................ 9

MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V

IH

... 10

表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V

IL

..... 11

芯片擦除命令序列........................................... 28

扇区擦除命令序列........................................ 28

擦除暂停/删除恢复命令........................... 29

图4.擦除操作............................................. ................. 29

表13.命令定义（闪字模式） ...................... 30

表14.命令定义（闪存字节模式） ....................... 31

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 32

图5.数据＃轮询算法........................................... ....... 32

字/字节配置.............................................. .......... 12

对于读阵列数据要求................................... 12

写命令/命令序列............................ 12

加快程序运行.......................................... 12

自选功能................................................ ........... 12

同时读/写操作零延迟....... 12

待机模式................................................ ........................ 13

自动休眠模式............................................... ............ 13

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13

输出禁止模式............................................... ............... 13

表3.前引导扇区不会忽略........................................... ..... 14

热门引导SecSi扇区地址............................................ 15

表5.底部引导扇区地址......................................... 16

底部启动SecSi扇区地址........................................ 17

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 33

DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 33

图6.切换位算法............................................ ............ 33

DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 34

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34

DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 34

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34

表15.写操作状态............................................ ....... 35

工业级（I ）设备............................................. ............... 36

V

CC

F / V

CC

客户供应电压............................................... .... 36

闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37

CMOS兼容................................................ .................. 37

图9.我

CC1

电流与时间（显示主动和

自动休眠电流） .............................................. ............... 39

图10.典型I

CC1

与频率............................................ 39

自选模式................................................ ..................... 18

部门/部门块保护和unprotection的.................. 18

表7.前引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ............... 18

表8.底部引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40

图11.测试设置............................................. ....................... 40

图12.输入波形和测量水平................. 40

PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41

CE＃的时机.............................................. ............................. 41

图13.时序图交替

之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 41

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19

临时机构/部门撤消座............................. 19

图1.临时机构撤消操作........................... 20

图2.在系统部门/部门块保护和撤消Algo-

rithms ................................................. ............................................. 21

只读操作.............................................. ............. 42

图14.读操作时序............................................ ... 42

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43

图15.复位时序............................................. .................. 43

SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 22

工厂锁定： SecSi部门编程，并受到保护

工厂................................................ .......................... 22

客户可锁定： SecSi部门未编程或亲

tected在工厂.............................................. ............. 22

硬件数据保护............................................... ....... 22

低V

CC

写禁止................................................ ........... 22

写脉冲“毛刺”保护............................................ 22

逻辑禁止................................................ ...................... 22

上电写禁止............................................. ............ 23

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23

表9. CFI查询标识字符串.......................................... 23

系统接口字符串............................................... .................... 24

表11.设备几何定义............................................ 24

表12.主要供应商特定的扩展查询...................... 25

字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 44

图16. CIOf时序进行读操作................................ 44

图17. CIOf时序写操作................................ 44

擦除和编程操作.............................................. 45

图18.程序操作时序..........................................

图19.加速程序时序图..........................

图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................

图21.返回到后端的读/写周期时序......................

图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。

图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......

图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................

46

46

47

48

48

49

49

临时机构撤消............................................... ... 50

图25.临时机构撤消时序图.............. 50

图26.行业/部门块保护和

撤消时序图............................................... .............. 51

备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 52

图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）

操作时序................................................ .......................... 53

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

读阵列数据............................................... ................. 26

复位命令................................................ ..................... 26

自选命令序列............................................ 26

进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 26

字节/字编程命令序列............................. 27

解锁绕道命令序列.................................. 27

图3.程序操作............................................. ............. 28

读周期................................................ ............................. 54

图28的伪SRAM读周期........................................... 54

图29.页读时序............................................ ............ 55

写周期................................................ ............................. 56

图30.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 56

图31.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 57

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Am49DL320BG

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P L I M I N A R

图32.伪SRAM写的逐

UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ......................... 58

图34.上电时序........................................... ................ 60

PSRAM地址偏移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61

图35.读地址偏移............................................ ......... 61

图36.写地址偏移............................................ .......... 61

闪存擦除和编程性能。 。 。 59

闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59

封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59

闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59

PSRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60

PSRAM开机和深度掉电。 。 。 。 。 60

图33.深度掉电时序.......................................... .... 60

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62

FLB073-73球细间距栅阵列8× 11.6毫米............. 62

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63

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