M48Z512A
M48Z512AY
4兆位（ 512KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
s
集成的低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
在10年的数据保留
电源缺位
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z512A ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z512AY ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
32
32
1
s
s
s
PMDIP32 （PM）的
模块
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
电池内部隔离，直到
电源施加
引脚和功能兼容
JEDEC标准512K ×8的SRAM
表面贴装芯片组封装
包括一个28引脚SOIC和32引脚
TSOP （ SNAPHAT TOP需订购
另发）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池
SNAPHAT
外壳（电池）为
可更换
19
1
s
TSOP II 32
（ 10× 20毫米）
SOH28
表面贴装芯片组解决方案（ CS ）
s
s
图1.逻辑图
s
VCC
8
DQ0-DQ7
M48Z512A
M48Z512AY
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
2000年3月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
A0-A18
W
E
G
VSS
AI02043
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M48Z512A ， M48Z512AY
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
BIAS
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
在偏置温度
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
价值
0到70
-40到70
-40到70
260
-0.3 7
-0.3 7
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
注： 1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
表3.操作模式
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8 M48Z512A 25
9 M48Z512AY 24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI02044
VCC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
该M48Z512A / 512AY ZEROPOWER
RAM是一
组织非挥发性4,194,304位静态RAM
如524,288字由8位。该器件结合
内置锂电池， CMOS SRAM和
控制电路在一个塑料32引脚DIP模块。
表面贴装环境ST提供
芯片组解决方案包括一个28引脚330mil
SOIC NVRAM主管（ M40Z300 ）和32引脚
TSOP II型（ 10× 20毫米） LPSRAM （ M68Z512 ）
包。
独特的设计使电池SNAPHAT
要安装在所述的SOIC封装的顶部包
在完成表面的年龄后，装入亲
塞斯。后插入SNAPHAT住房
回流防止由于潜在的电池损坏
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
该SNAPHAT电池包运另行
得非常好塑料防静电管或带卷&
形式。该产品编号为“ M4Zxx - BR00SH1 ” 。
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M48Z512A ， M48Z512AY
图3.框图
VCC
A0-A18
动力
E
电压检测
和
开关
电路
512K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
E
W
G
国内
电池
VSS
AI02045
该M48Z512A / 512AY也有自己的电源失效
检测电路。控制电路不断MON-
itors单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据有效，直到电池
恢复供电。
该ZEROPOWER RAM替代行业标
准的SRAM 。它提供的非易失性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。
该M48Z512A / 512AY有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
低于约3V时，控制电路
该数据维持有效，直至电池连接
恢复供电。
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M48Z512A ， M48Z512AY
图4.硬件联播的SMT贴片套装
(1)
THS
(2)
SNAPHAT
电池
(3)
VOUT
VCC
E2
M40Z300
E
E1CON
E2CON
E3CON
E4CON
A
RST
B
BL
VSS
W
E
M68Z512
DQ0-DQ7
A0-A18
VSS
AI03631
注： 1。对于引脚连接，请参阅单独的数据表M40Z300和M68Z512在www.st.com 。
2.连接THS引脚连接到V
OUT
如果4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V （ M48Z512AY ）或THS引脚连接到V
SS
如果4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V （ M48Z512A ） 。
3. SNAPHAT顶部单独订购。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
图5. AC测试负载电路
5V
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
1.9k
设备
下
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
4/17
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