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M48Z35
M48Z35Y
256千位（ 32千位×8 ） ZEROPOWER
SRAM
功能摘要
s
集成，超低功耗SRAM ，
掉电控制电路，以及
电池
s
图1. 28引脚CAPHAT DIP封装
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压：
(V
PFD
=电源故障取消电压）
- M48Z35 ： V
CC
= 4.75 5.5V
4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z35Y ： 4.5 5.5V
4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
独立电池IN THE
CAPHAT DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP （单独订购）
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
28
1
28
1
s
s
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
s
图2. 28引脚SOIC封装
SNAPHAT （ SH ）
水晶/电池
s
s
s
SOH28 （ MH ）
2002年5月
1/20
M48Z35 ， M48Z35Y
目录
描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
逻辑图（图3 ） 。 。 。 。 。 。 。
信号名称（表1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。
DIP连接（图4 ） 。 。 。 。 。
SOIC连接（图5 ） 。 。 。 。
框图（图6 ） 。 。 。 。 。 。 。
.......
.......
.......
.......
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......
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......
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......
.....3
.....3
.....4
.....4
.....4
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
绝对最大额定值（表2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
操作和AC测量条件（表3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
AC测量负载电路（图7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
电容（表4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
直流特性（表5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式（表6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC波形（图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC特性（表7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写使能控制的，写AC波形（图9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
芯片使能控制的，写AC波形（图10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写模式AC特性（表8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/模式AC波形（图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上AC特性（见表9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上触发点DC特性（表10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
V
CC
噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电源电压保护（图12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
SNAPHAT电池表（表12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
M48Z35 ， M48Z35Y
描述
该M48Z35 / Y ZEROPOWER
RAM是32千比特
×8 ，非易失静态RAM ，它集成加电
无法取消电路和电池控制逻辑上
单芯片。单片芯片是在两个可用
优惠套装提供了高度集成的
电池备份的存储器解决方案。
该M48Z35 / Y是一个非易失销和功能
等同于任何JEDEC标准32K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ，EPROM和
EEPROM的插座，提供的非挥发性
PROM中没有特殊要求，任何
对数写入时序或限制
写入可被执行。 28引脚600mil
DIP CAPHAT 房子与M48Z35 / Y硅
长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计，防止反向插入。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为“ M4Z28 - BR00SH1 。 ”
图3.逻辑图
VCC
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
电源电压
地
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
E
G
W
E
G
M48Z35
M48Z35Y
W
V
CC
V
SS
VSS
AI01616D
3/20
M48Z35 ， M48Z35Y
图4. DIP连接
图5. SOIC连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z35 22
8 M48Z35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01617D
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
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23
6
22
7
M48Z35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02303C
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图6.框图
A0-A14
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
4/20
M48Z35 ， M48Z35Y
最大额定值
强调上面列出的等级的设备
“绝对最大额定值”表可能会导致
永久损坏设备。这些都是
值仅为设备的操作
这些或任何高于它指示其他条件
编辑本说明书中的操作部分是
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
参数
1级
工作环境温度
六年级
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
SNAPHAT
SOIC
T
SLD(1,2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7.0
-0.3 7.0
20
1
°C
°C
°C
°C
V
V
mA
W
价值
0到70
单位
°C
不是暗示。暴露在绝对最大额定
荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-
副
可靠性。
参考
还
to
该
意法半导体SURE计划和其他rel-
埃文特高质量的文档。
T
英镑
注： 1.对于DIP封装：焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150 ℃，再
超过30秒） 。
2.对于SO封装：回流焊在215 ℃的峰值温度为225 ℃， < 60秒（总热预算不超过180℃
90至120秒之间） 。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
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M48Z35
M48Z35Y
256千位（ 32千位×8 ） ZEROPOWER
SRAM
功能摘要
s
集成，超低功耗SRAM ，
掉电控制电路，以及
电池
s
图1. 28引脚CAPHAT DIP封装
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压：
(V
PFD
=电源故障取消电压）
- M48Z35 ： V
CC
= 4.75 5.5V
4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z35Y ： 4.5 5.5V
4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
独立电池IN THE
CAPHAT DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP （单独订购）
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
28
1
28
1
s
s
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
s
图2. 28引脚SOIC封装
SNAPHAT （ SH ）
水晶/电池
s
s
s
SOH28 （ MH ）
2002年5月
1/20
M48Z35 ， M48Z35Y
目录
描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
逻辑图（图3 ） 。 。 。 。 。 。 。
信号名称（表1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。
DIP连接（图4 ） 。 。 。 。 。
SOIC连接（图5 ） 。 。 。 。
框图（图6 ） 。 。 。 。 。 。 。
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.....3
.....3
.....4
.....4
.....4
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
绝对最大额定值（表2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
操作和AC测量条件（表3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
AC测量负载电路（图7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
电容（表4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
直流特性（表5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式（表6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC波形（图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC特性（表7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写使能控制的，写AC波形（图9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
芯片使能控制的，写AC波形（图10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写模式AC特性（表8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/模式AC波形（图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上AC特性（见表9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上触发点DC特性（表10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
V
CC
噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电源电压保护（图12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
SNAPHAT电池表（表12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
M48Z35 ， M48Z35Y
描述
该M48Z35 / Y ZEROPOWER
RAM是32千比特
×8 ，非易失静态RAM ，它集成加电
无法取消电路和电池控制逻辑上
单芯片。单片芯片是在两个可用
优惠套装提供了高度集成的
电池备份的存储器解决方案。
该M48Z35 / Y是一个非易失销和功能
等同于任何JEDEC标准32K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ，EPROM和
EEPROM的插座，提供的非挥发性
PROM中没有特殊要求，任何
对数写入时序或限制
写入可被执行。 28引脚600mil
DIP CAPHAT 房子与M48Z35 / Y硅
长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计，防止反向插入。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为“ M4Z28 - BR00SH1 。 ”
图3.逻辑图
VCC
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
电源电压
地
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
E
G
W
E
G
M48Z35
M48Z35Y
W
V
CC
V
SS
VSS
AI01616D
3/20
M48Z35 ， M48Z35Y
图4. DIP连接
图5. SOIC连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
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4
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6
7
M48Z35 22
8 M48Z35Y 21
20
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AI01617D
VCC
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A10
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DQ6
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A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
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23
6
22
7
M48Z35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02303C
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图6.框图
A0-A14
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
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M48Z35 ， M48Z35Y
最大额定值
强调上面列出的等级的设备
“绝对最大额定值”表可能会导致
永久损坏设备。这些都是
值仅为设备的操作
这些或任何高于它指示其他条件
编辑本说明书中的操作部分是
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
参数
1级
工作环境温度
六年级
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
SNAPHAT
SOIC
T
SLD(1,2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7.0
-0.3 7.0
20
1
°C
°C
°C
°C
V
V
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W
价值
0到70
单位
°C
不是暗示。暴露在绝对最大额定
荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-
副
可靠性。
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英镑
注： 1.对于DIP封装：焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150 ℃，再
超过30秒） 。
2.对于SO封装：回流焊在215 ℃的峰值温度为225 ℃， < 60秒（总热预算不超过180℃
90至120秒之间） 。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
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