M48Z35AY
M48Z35AV
256千位（32KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
读周期时间等于写周期
时间
电池电量不足标志（ BOK ）
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z35AY ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
- M48Z35AV ： 2.7V
≤
V
PFD
≤
3.0V
28
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
s
28
1
s
1
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
s
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
顶部
（需单独订购）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
15
A0-A14
VCC
s
图1.逻辑图
s
s
描述
该M48Z35AY / 35AV ZEROPOWER
RAM是一
32千位×8非易失性静态RAM ，集成
电源故障取消电路和电池控制
逻辑在一个芯片上。单片芯片可用
能够在两个特殊的软件包，提供一个高度IN-
tegrated电池备份的存储器解决方案。
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
2000年4月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M48Z35AY
M48Z35AV
VSS
AI02781B
1/16
M48Z35AY ， M48Z35AV
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SOIC引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7 M48Z35AY 22
8 M48Z35AV 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI02782B
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7 M48Z35AY 22
8 M48Z35AV 21
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02783
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
1级
六年级
SNAPHAT
SOIC
价值
0到70
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
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M48Z35AY ， M48Z35AV
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
4.5V至5.5V
or
3.0V至3.6V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
图3.框图
A0-A14
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
该M48Z35AY / 35AV是一个非易失性销和
等同于任何JEDEC标准32K ×8的功能
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。 28引脚600mil DIP
CAPHAT 容纳M48Z35AY / 35AV硅
在单个封装，寿命长的锂扣式电池
年龄。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计，防止反向插入。
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M48Z35AY ， M48Z35AV
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
设备
下
TEST
645
图4.交流测试负载电路
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z35AY / 35AV也有自己的电源失效
检测电路。控制电路不断MON-
itors单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据有效，直到电池
恢复供电。
读取模式
该M48Z35AY / 35AV是在读取模式而当时─
以往W（写使能）高， E（芯片使能）是
低。该器件的架构允许纹波通
数据从8 264144的地点访问
静态存储阵列。因此，唯一的地址
由15地址输入指定定义了
的32,768个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个
地址输入信号是稳定的，所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足，有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间（t
ELQV
）或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
CL = 100pF的或
5pF
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI03211
编前吨
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变，而E和G保持活跃，
输出数据的有效期为输出数据保持
时间（t
AXQX
），但走不定，直到下一
地址访问。
写模式
该M48Z35AY / 35AV是在写模式当时─
以往W和E为低。一撇一开始是为参考
从W的后者发生的下降沿转制或
E.写由早期的上升沿终止
W或E的地址必须保持有效
整个周期。 或W必须返回高电平
最小的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写使能之前，另一个开始
读或写周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前写的结尾，并保持有效吨
WHDX
之后。摹应保持在写赛扬高
克莱斯以避免总线争用;虽然，如果输出
公交车已经在E和G ，低启动由低
W上会禁用输出吨
WLQZ
后W跌倒。
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M48Z35AY ， M48Z35AV
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.5V至5.5V或3.0V至3.6V ）
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素（2）
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
民
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注：1，输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
V
SO
t
DR （ 2 ）
参数
电源故障取消电压（ M48Z35AY ）
电源故障取消电压（ M48Z35AV ）
备用电池切换电压（ M48Z35AY ）
备用电池切换电压（ M48Z35AV ）
预计数据保存时间
10
民
4.2
2.7
典型值
4.35
2.9
3.0
V
PFD
= 100mV的
最大
4.5
3.0
单位
V
V
V
V
岁月
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
2.在25 ℃。
5/16
QQ：2880707522 复制
