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M48Z35
M48Z35Y
256千位(32KB ×8 ) ZEROPOWER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ,
电源失效控制电路和
电池
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压) :
- M48Z35 : 4.50V
V
PFD
4.75V
- M48Z35Y : 4.20V
V
PFD
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP (单独订购)
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SNAPHAT ( SH )
电池
s
s
s
28
28
1
1
PCDIP28 (PC)的
电池CAPHAT
s
SOH28 ( MH )
s
图1.逻辑图
s
s
VCC
描述
该M48Z35 / 35Y ZEROPOWER
RAM是32
千位×8非易失性静态RAM ,集成
电源故障取消电路和电池控制
逻辑在一个芯片上。单片芯片可用
能够在两个特殊的软件包,提供一个高度IN-
tegrated电池备份的存储器解决方案。
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
E
M48Z35
M48Z35Y
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
G
VSS
AI01616D
1999年8月
1/18
M48Z35 , M48Z35Y
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SOIC引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z35 22
8 M48Z35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01617D
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48Z35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02303C
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD (2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
OFF )
1级
六年级
SNAPHAT
SOIC
价值
0到70
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
注: 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚,而在电池备份模式。
注意事项:
不要波焊SOIC ,以避免损坏SNAPHAT插座。
2/18
M48Z35 , M48Z35Y
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
(2)
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注:1,X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
图3.框图
A0-A14
CELL
电压检测
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
该M48Z35 / 35Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准32K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ,EPROM和
EEPROM的插座,提供的非挥发性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。 28引脚600mil DIP
CAPHAT 容纳M48Z35 / 35Y硅带
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计,防止反向插入。
3/18
M48Z35 , M48Z35Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
5ns
0至3V
1.5V
设备
TEST
645
图4.交流测试负载电路
注意,输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装,电池包(即
SNAPHAT )零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z35 / 35Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差,电路
写保护的SRAM ,从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时,控制电路CON-
nects这样可保持数据有效,直到电池
恢复供电。
读取模式
该M48Z35 / 35Y是在读取模式时
W(写使能)高, E(芯片使能)为低。
该器件的架构允许纹波通过AC-
从8 264144中的位置过程数据的
静态存储阵列。因此,唯一的地址
由15地址输入指定定义了
的32,768个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内(T
AVQV
)后的最后一个
地址输入信号是稳定的,所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足,有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间(t
ELQV
)或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
CL = 100pF的或
5pF
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI03211
编前吨
AVQV
中,数据线将被驱动至
不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变,而E和G保持活跃,
输出数据的有效期为输出数据保持
时间(t
AXQX
),但走不定,直到下一
地址访问。
写模式
该M48Z35 / 35Y是在写模式时
W和E为低。写的开始被引用
从W或E. A中后期出现的下降沿
写为W的早期上升沿终止
或E的地址必须在整个召开有效
该循环。 或W必须返回高最少
的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写入恩
能之前的另一个开始读或写
周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前结束
的编写和保持有效吨
WHDX
之后。
应高保持在写周期,以避免
总线争用;虽然,如果输出总线具有
对E和G ,低W上被激活,由低
将禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
4/18
M48Z35 , M48Z35Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO (3)
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
10
单位
pF
pF
注意:在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只,而不是100 %测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V )
符号
I
李(1)
I
LO ( 1 )
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素(2)
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注:1,输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃)
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR ( 2 )
参数
电源故障取消电压( M48Z35 )
电源故障取消电压( M48Z35Y )
备用电池切换电压( M48Z35 / 35Y )
预计数据保存时间
10
4.5
4.2
典型值
4.6
4.35
3.0
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意事项:1.参考V所有电压
SS
.
2.在25 ℃。
5/18
M48Z35
M48Z35Y
256千位( 32千位×8 ) ZEROPOWER
SRAM
功能摘要
s
集成,超低功耗SRAM ,
掉电控制电路,以及
电池
s
图1. 28引脚CAPHAT DIP封装
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压:
(V
PFD
=电源故障取消电压)
- M48Z35 : V
CC
= 4.75 5.5V
4.5V
V
PFD
4.75V
- M48Z35Y : 4.5 5.5V
4.2V
V
PFD
4.5V
独立电池IN THE
CAPHAT DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP (单独订购)
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
28
1
28
1
s
s
PCDIP28 (PC)的
电池CAPHAT
s
图2. 28引脚SOIC封装
SNAPHAT ( SH )
水晶/电池
s
s
s
SOH28 ( MH )
2002年5月
1/20
M48Z35 , M48Z35Y
目录
描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
逻辑图(图3 ) 。 。 。 。 。 。 。
信号名称(表1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。
DIP连接(图4 ) 。 。 。 。 。
SOIC连接(图5 ) 。 。 。 。
框图(图6 ) 。 。 。 。 。 。 。
.......
.......
.......
.......
.......
......
......
......
......
......
.......
.......
.......
.......
.......
......
......
......
......
......
.......
.......
.......
.......
.......
......
......
......
......
......
......
......
......
......
......
.....3
.....3
.....4
.....4
.....4
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
绝对最大额定值(表2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
操作和AC测量条件(表3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
AC测量负载电路(图7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
电容(表4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
直流特性(表5 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
工作模式(表6 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC波形(图8 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
读模式AC特性(表7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写使能控制的,写AC波形(图9 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
芯片使能控制的,写AC波形(图10 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
写模式AC特性(表8 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/模式AC波形(图11 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上AC特性(见表9 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
掉电/上触发点DC特性(表10 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
V
CC
噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电源电压保护(图12 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
SNAPHAT电池表(表12 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
M48Z35 , M48Z35Y
描述
该M48Z35 / Y ZEROPOWER
RAM是32千比特
×8 ,非易失静态RAM ,它集成加电
无法取消电路和电池控制逻辑上
单芯片。单片芯片是在两个可用
优惠套装提供了高度集成的
电池备份的存储器解决方案。
该M48Z35 / Y是一个非易失销和功能
等同于任何JEDEC标准32K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ,EPROM和
EEPROM的插座,提供的非挥发性
PROM中没有特殊要求,任何
对数写入时序或限制
写入可被执行。 28引脚600mil
DIP CAPHAT 房子与M48Z35 / Y硅
长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计,防止反向插入。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装,电池包(即
SNAPHAT )零件号为“ M4Z28 - BR00SH1 。 ”
图3.逻辑图
VCC
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
电源电压
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
E
G
W
E
G
M48Z35
M48Z35Y
W
V
CC
V
SS
VSS
AI01616D
3/20
M48Z35 , M48Z35Y
图4. DIP连接
图5. SOIC连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z35 22
8 M48Z35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01617D
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48Z35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02303C
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图6.框图
A0-A14
CELL
电压检测
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
4/20
M48Z35 , M48Z35Y
最大额定值
强调上面列出的等级的设备
“绝对最大额定值”表可能会导致
永久损坏设备。这些都是
值仅为设备的操作
这些或任何高于它指示其他条件
编辑本说明书中的操作部分是
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
参数
1级
工作环境温度
六年级
存储温度(V
CC
关闭,振荡器关闭)
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
SNAPHAT
SOIC
T
SLD(1,2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7.0
-0.3 7.0
20
1
°C
°C
°C
°C
V
V
mA
W
价值
0到70
单位
°C
不是暗示。暴露在绝对最大额定
荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-
可靠性。
参考
to
意法半导体SURE计划和其他rel-
埃文特高质量的文档。
T
英镑
注: 1.对于DIP封装:焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150 ℃,再
超过30秒) 。
2.对于SO封装:回流焊在215 ℃的峰值温度为225 ℃, < 60秒(总热预算不超过180℃
90至120秒之间) 。
注意事项:
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚,而在电池备份模式。
不要波焊SOIC ,以避免损坏SNAPHAT插座。
5/20
M48Z35
M48Z35Y
256千位(32KB ×8 ) ZEROPOWER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ,
电源失效控制电路和
电池
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压) :
- M48Z35 : 4.50V
V
PFD
4.75V
- M48Z35Y : 4.20V
V
PFD
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP (单独订购)
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SNAPHAT ( SH )
电池
s
s
s
28
28
1
1
PCDIP28 (PC)的
电池CAPHAT
s
SOH28 ( MH )
s
图1.逻辑图
s
s
VCC
描述
该M48Z35 / 35Y ZEROPOWER
RAM是32
千位×8非易失性静态RAM ,集成
电源故障取消电路和电池控制
逻辑在一个芯片上。单片芯片可用
能够在两个特殊的软件包,提供一个高度IN-
tegrated电池备份的存储器解决方案。
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
E
M48Z35
M48Z35Y
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
G
VSS
AI01616D
1999年8月
1/18
M48Z35 , M48Z35Y
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SOIC引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z35 22
8 M48Z35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01617D
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48Z35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI02303C
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD (2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
OFF )
1级
六年级
SNAPHAT
SOIC
价值
0到70
-40到85
-40到85
-55至125
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
注: 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚,而在电池备份模式。
注意事项:
不要波焊SOIC ,以避免损坏SNAPHAT插座。
2/18
M48Z35 , M48Z35Y
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
(2)
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注:1,X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
图3.框图
A0-A14
CELL
电压检测
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
该M48Z35 / 35Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准32K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ,EPROM和
EEPROM的插座,提供的非挥发性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。 28引脚600mil DIP
CAPHAT 容纳M48Z35 / 35Y硅带
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计,防止反向插入。
3/18
M48Z35 , M48Z35Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
5ns
0至3V
1.5V
设备
TEST
645
图4.交流测试负载电路
注意,输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装,电池包(即
SNAPHAT )零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z35 / 35Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差,电路
写保护的SRAM ,从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时,控制电路CON-
nects这样可保持数据有效,直到电池
恢复供电。
读取模式
该M48Z35 / 35Y是在读取模式时
W(写使能)高, E(芯片使能)为低。
该器件的架构允许纹波通过AC-
从8 264144中的位置过程数据的
静态存储阵列。因此,唯一的地址
由15地址输入指定定义了
的32,768个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内(T
AVQV
)后的最后一个
地址输入信号是稳定的,所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足,有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间(t
ELQV
)或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
CL = 100pF的或
5pF
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI03211
编前吨
AVQV
中,数据线将被驱动至
不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变,而E和G保持活跃,
输出数据的有效期为输出数据保持
时间(t
AXQX
),但走不定,直到下一
地址访问。
写模式
该M48Z35 / 35Y是在写模式时
W和E为低。写的开始被引用
从W或E. A中后期出现的下降沿
写为W的早期上升沿终止
或E的地址必须在整个召开有效
该循环。 或W必须返回高最少
的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写入恩
能之前的另一个开始读或写
周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前结束
的编写和保持有效吨
WHDX
之后。
应高保持在写周期,以避免
总线争用;虽然,如果输出总线具有
对E和G ,低W上被激活,由低
将禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
4/18
M48Z35 , M48Z35Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO (3)
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
10
单位
pF
pF
注意:在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只,而不是100 %测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V )
符号
I
李(1)
I
LO ( 1 )
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素(2)
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注:1,输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃)
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR ( 2 )
参数
电源故障取消电压( M48Z35 )
电源故障取消电压( M48Z35Y )
备用电池切换电压( M48Z35 / 35Y )
预计数据保存时间
10
4.5
4.2
典型值
4.6
4.35
3.0
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意事项:1.参考V所有电压
SS
.
2.在25 ℃。
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