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M48Z2M1
M48Z2M1Y
16兆(2MB ×8 ) ZEROPOWER
SRAM
集成的低功耗SRAM ,
电源失效控制电路和
电池
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
在10年的数据保留
电源缺位
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压) :
- M48Z2M1 : 4.5V
V
PFD
4.75V
- M48Z2M1Y : 4.2V
V
PFD
4.50V
电池是内部绝缘
直到电源被应用
引脚和功能兼容
JEDEC标准的2Mb ×8的SRAM
描述
该M48Z2M1 / 2M1Y ZEROPOWER
RAM是一
组织非挥发性16777216位静态RAM
为2,097,152字×8位。该器件结合
两个内置锂电池, CMOS的SRAM和一个
控制电路在一个塑料36脚DIP长的模块。
该ZEROPOWER RAM替代产业待机动
ARD的SRAM 。它提供了PROM的非易失性
没有特殊的写时序或任何要求
上,可以是写入次数的限制
进行。
表1.信号名称
A0-A20
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
1998年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
36
1
PMLDIP36 ( PL )
模块
图1.逻辑图
VCC
21
A0-A20
M48Z2M1
M48Z2M1Y
8
DQ0-DQ7
W
E
G
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
VSS
AI02048
1/12
M48Z2M1 , M48Z2M1Y
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
BIAS
T
SLD
V
IO
V
CC
(2)
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
OFF )
在偏置温度
无铅焊接温度,持续10秒
输入或输出电压
电源电压
价值
0到70
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
注意事项:
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长,则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3伏,而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
表3.操作模式
模式
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意事项:
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP引脚连接
NC
A20
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
36
1
35
2
34
3
33
4
32
5
31
6
30
7
29
8
M48Z2M1
9 M48Z2M1Y 28
27
10
26
11
25
12
24
13
23
14
22
15
21
16
20
17
19
18
AI02049
VCC
A19
NC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
(续)
该M48Z2M1 / 2M1Y有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差情况。
当V
CC
是出公差,电路写
保护的SRAM ,提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
操作低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V,所述控制电路连接的
电池,支持数据,直到有效的权力重新
转弯。
读取模式
该M48Z2M1 / 2M1Y是在读取模式而当时─
以往W(写使能)高, E(芯片使能)
是低的。该器件的架构允许ripple-
通过数据的从16777216 8访问
位置的静态存储阵列中。因此,该
由21地址输入指定的唯一地址
定义了的2,097,152字节的数据中的一个是
被访问。有效数据将可在所述
地址访问时间内,数据I / O引脚(T
AVQV
)
之后的最后一个地址输入信号是稳定的, provid-
荷兰国际集团的E(芯片使能)和G (输出使能)
访问时间还纳。如果E和G
访问时间得不到满足,有效数据将是可用
警告:
NC =未连接。
2/12
M48Z2M1 , M48Z2M1Y
图3.框图
VCC
A0-A20
动力
E
电压检测
开关
电路
2048K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
E
W
G
国内
电池
VSS
AI02050
能够经过芯片的后启用访问时间
(t
ELQV
)或输出启用访问时间(t
GLQV
) 。该
八三态数据I / O信号状态
由E和G.控制。如果输出被激活
吨前
AVQV
中,数据线将被驱动至
不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变,而E和G保持低电平,输出
数据有效期为输出数据保持时间
(t
AXQX
),但走不定,直到下一个AD-
装扮访问。
写模式
该M48Z2M1 / 2M1Y是在写模式当时─
以往W和E为主动。写的是开始
从后面出现的下降沿引用
W或E.写由早期的崛起终止
W或E的边缘
该地址必须在整个持有有效
周期。 或W必须返回高电平最小的t
EHAX
给E或T
WHAX
从W的开始之前
另一种读或写周期。输入数据必须是有效的
t
DVEH
或T
DVWH
之前写的结尾,并保持
有效的对于T
EHDX
或T
WHDX
之后。 应保持
在写周期,以避免总线争高;
虽然,如果输出总线已经被激活的
低E和G , W上低将禁止输出
t
WLQZ
后W跌倒。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
5ns
0至3V
1.5V
注意,输出高阻被定义为点数据是无
再驱动。
图4.交流测试负载电路
5V
1.9k
设备
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
3/12
M48Z2M1 , M48Z2M1Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
IO
(3)
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
40
40
单位
pF
pF
注意事项:
1.有效电容用在5V电源测量。
2.采样只,而不是100 %测试。
3.取消选择输出
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V )
符号
I
李(1)
I
LO ( 1 )
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,输出打开
E = V
IH
E
V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
最大
±4
±4
140
10
8
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意:
1.输出取消。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0 70℃ )
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR(2)
参数
电源故障取消电压( M48Z2M1 )
电源故障取消电压( M48Z2M1Y )
备用电池切换电压
数据保存时间
10
4.5
4.2
典型值
4.6
4.3
3
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意事项:
1.所有电压参考V
SS
.
2.在25℃
4/12
M48Z2M1 , M48Z2M1Y
表8.掉电/模式AC特性
(T
A
= 0 70℃ )
符号
t
F (1)
t
FB
(2)
参数
V
PFD
(MAX)到V
PFD
(最小值)V
CC
下降时间
V
PFD
(分钟)至V
SO
V
CC
下降时间
写从V保护时间
CC
= V
PFD
V
SO
到V
PFD
(最大值)V
CC
上升时间
ê恢复时间
300
10
40
0
40
最大
单位
s
s
t
WP
t
R
t
ER
150
s
s
120
ms
注意事项:
1. V
PFD
(MAX)到V
PFD
(分)落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生,直到200
s
V
CC
通过V
PFD
(最小值) 。
2. V
PFD
(分钟)至V
SO
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD (最大)
VPFD (分钟)
VSO
tF
TFB
TWP
E
认可
TDR
tR
TER
不关心
认可
高-Z
输出
有效
(每个控制输入)
有效
(每个控制输入)
AI01031
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