M48Z2M1
M48Z2M1Y
16兆（2MB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
集成的低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
在10年的数据保留
电源缺位
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z2M1 ： 4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z2M1Y ： 4.2V
≤
V
PFD
≤
4.50V
电池是内部绝缘
直到电源被应用
引脚和功能兼容
JEDEC标准的2Mb ×8的SRAM
描述
该M48Z2M1 / 2M1Y ZEROPOWER
RAM是一
组织非挥发性16777216位静态RAM
为2,097,152字×8位。该器件结合
两个内置锂电池， CMOS的SRAM和一个
控制电路在一个塑料36脚DIP长的模块。
该ZEROPOWER RAM替代产业待机动
ARD的SRAM 。它提供了PROM的非易失性
没有特殊的写时序或任何要求
上，可以是写入次数的限制
进行。
表1.信号名称
A0-A20
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
1998年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
36
1
PMLDIP36 （ PL ）
模块
图1.逻辑图
VCC
21
A0-A20
M48Z2M1
M48Z2M1Y
8
DQ0-DQ7
W
E
G
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
VSS
AI02048
1/12
M48Z2M1 ， M48Z2M1Y
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
BIAS
T
SLD
V
IO
V
CC
(2)
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
在偏置温度
无铅焊接温度，持续10秒
输入或输出电压
电源电压
价值
0到70
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
注意事项：
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长，则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3伏，而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
表3.操作模式
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意事项：
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP引脚连接
NC
A20
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
36
1
35
2
34
3
33
4
32
5
31
6
30
7
29
8
M48Z2M1
9 M48Z2M1Y 28
27
10
26
11
25
12
24
13
23
14
22
15
21
16
20
17
19
18
AI02049
VCC
A19
NC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
（续）
该M48Z2M1 / 2M1Y有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差情况。
当V
CC
是出公差，电路写
保护的SRAM ，提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
操作低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V，所述控制电路连接的
电池，支持数据，直到有效的权力重新
转弯。
读取模式
该M48Z2M1 / 2M1Y是在读取模式而当时─
以往W（写使能）高， E（芯片使能）
是低的。该器件的架构允许ripple-
通过数据的从16777216 8访问
位置的静态存储阵列中。因此，该
由21地址输入指定的唯一地址
定义了的2,097,152字节的数据中的一个是
被访问。有效数据将可在所述
地址访问时间内，数据I / O引脚（T
AVQV
)
之后的最后一个地址输入信号是稳定的， provid-
荷兰国际集团的E（芯片使能）和G （输出使能）
访问时间还纳。如果E和G
访问时间得不到满足，有效数据将是可用
警告：
NC =未连接。
2/12
M48Z2M1Y
M48Z2M1V
5 V或3.3 V ， 16兆位（ Mb的2 ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
特点
■
■
■
■
■
集成，超低功耗SRAM ，掉电
控制电路和电池
传统的SRAM操作;无限
写周期
在没有数据保存10年的
动力
自动电源失效芯片取消和WRITE
保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z2M1Y ： V
CC
= 4.5 5.5 V
4.2 V
≤
V
PFD
≤
4.5 V
- M48Z2M1V ： V
CC
= 3.0 3.6 V
2.8 V
≤
V
PFD
≤
3.0 V
M48Z2M1V不推荐用于新
设计。联系ST销售办事处
可用性。
电池内部隔离，直到电源
应用的
引脚和功能与JEDEC兼容
标准的2兆×8的SRAM
符合RoHS
- 无铅二级互连
36
1
PLDIP36模块（ PL ）
■
■
■
2010年8月
文档编号5135第5版
1/20
www.st.com
1
目录
M48Z2M1Y ， M48Z2M1V
目录
1
2
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
2.1
2.2
2.3
2.4
READ模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
数据保持方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
V
CC
噪声和负向瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
3
4
5
6
7
8
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
环境信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
文档编号5135第5版
M48Z2M1Y ， M48Z2M1V
表格清单
表格清单
表1中。
表2中。
表3中。
表4 。
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
表9 。
表10 。
表11 。
表12 。
表13 。
信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
阅读模式的交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
电力向下/向上AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
电力向下/向上跳变点的直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
PLDIP36 - 36引脚塑料DIP长的模块，封装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
订购信息方案。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
文档编号5135第5版
3/20
图列表
M48Z2M1Y ， M48Z2M1V
图列表
图1 。
图2中。
网络连接gure 3 。
图4中。
图5中。
图6 。
图7 。
网络连接gure 8 。
图9 。
网络连接gure 10 。
图11 。
图12 。
逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
DIP连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
地址控制， READ模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
芯片使能或输出使能控制， READ模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
写使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
芯片使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
电源电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
AC测试负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
掉电/模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
PLDIP36 - 36引脚塑料DIP长的模块，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
回收符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
4/20
文档编号5135第5版
M48Z2M1Y ， M48Z2M1V
描述
1
描述
该M48Z2M1Y / V ZEROPOWER
RAM是非易失性的16777216位的静态RAM
由8位， 2,097,152字。该器件结合了两个内置锂电池，
CMOS静态存储器和一个控制电路中的塑料36针的DIP ，长模块。
该ZEROPOWER RAM取代行业标准的SRAM 。它提供的非挥发性
PROM中没有对数量特别写定时或限制任何要求
写入可被执行。
图1 。
逻辑图
VCC
21
A0-A20
M48Z2M1Y
M48Z2M1V
8
DQ0-DQ7
W
E
G
VSS
AI02048
表1中。
信号名称
A0-A20
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
文档编号5135第5版
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