M48Z128
M48Z128Y
1兆位（ 128KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
s
集成的低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
在10年的数据保留
电源缺位
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z128 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z128Y ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
s
32
1
s
s
PMDIP32 （PM）的
模块
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
电池内部隔离，直到
电源施加
引脚和功能兼容
JEDEC标准128K ×8的SRAM
表面贴装芯片组封装
包括一个28引脚SOIC和32引脚
TSOP （ SNAPHAT TOP需订购
另发）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池
SNAPHAT
外壳（电池）为
可更换
17
A0-A16
M48Z128
M48Z128Y
TSOP32
（8× 20毫米）
SOH28
s
s
表面贴装芯片组解决方案（ CS ）
s
图1.逻辑图
s
VCC
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
2000年6月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
8
DQ0-DQ7
W
E
G
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
1/17
VSS
AI01194
M48Z128 ， M48Z128Y
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
BIAS
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
在偏置温度
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
价值
0到70
-40到70
-10到70
260
-0.3 7
-0.3 7
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
注： 1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
表3.操作模式
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP连接
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8 M48Z128 25
9 M48Z128Y 24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI01195
VCC
A15
NC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
该M48Z128 / 128Y ZEROPOWER
RAM是一
128千位×8非易失性静态RAM ，集成
电源故障取消电路和电池控制
逻辑在一个芯片上。单片芯片可用
能够在两个特殊的软件包，提供一个高度IN-
tegrated电池备份的存储器解决方案。
该M48Z128 / 128Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准128K ×8和灰
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。 32引脚600mil DIP
模块厂的M48Z128 / 128Y硅带
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
表面贴装环境ST提供芯片
包括一个28引脚330mil SOIC组解决方案
NVRAM主管（ M40Z300 ）和32引脚TSOP
（ 8× 20毫米） LPSRAM （ M68Z128 ）封装。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。
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M48Z128 ， M48Z128Y
图3.框图
VCC
A0-A16
动力
E
电压检测
和
开关
电路
131,072 x 8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
E
W
G
国内
电池
VSS
AI01196
独特的设计使电池SNAPHAT
要安装在所述的SOIC封装的顶部包
在完成表面的年龄后，装入亲
塞斯。后插入SNAPHAT住房
回流防止由于潜在的电池损坏
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
该SNAPHAT电池包运另行
得非常好塑料防静电管或带卷&
形式。该产品编号为“ M4Z28 - BRxxSH1 ” 。
该M48Z128 / 128Y也有自己的电源失效
检测电路。控制电路不断MON-
itors单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据有效，直到电池
恢复供电。
读取模式
该M48Z128 / 128Y是在读取模式whenev-
呃W（写使能）高， E（芯片使能）是
低。该器件的架构允许纹波通
数据从1,048,576位置8的访问中
静态存储阵列。因此，唯一的地址
由17地址输入指定定义了
的131072字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个
地址输入信号是稳定的，所提供的电子
和G （输出使能）的存取时间也卫星 -
isfied 。如果E和G的访问时间得不到满足， val-
芯片的更高版本后ID数据将可用
允许访问时间（t
ELQV
）或输出使能AC-
塞斯时间（t
GLQV
） 。八三状态
状态数据的I / O信号是由E和G.如果控制
输出吨前被激活
AVQV
中，数据
线将被驱动到一个不确定的状态，直到
t
AVQV
。如果在地址输入使用E改变
和G保持低电平，输出数据将保持有效
输出数据保持时间（t
AXQX
），但会indeter-
minate直到下一个地址访问。
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M48Z128 ， M48Z128Y
图4.硬件联播的SMT贴片套装
(1)
THS
(2)
SNAPHAT
电池
(3)
VOUT
VCC
E2
M40Z300
E
E1CON
E2CON
E3CON
E4CON
A
RST
B
BL
VSS
W
E
M68Z128
DQ0-DQ7
A0-A16
VSS
AI03625
注： 1。对于引脚连接，请参阅单独的数据表M40Z300和M68Z128在www.st.com 。
2.连接THS引脚连接到V
OUT
如果4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V （ M48Z128Y ）或THS引脚连接到V
SS
如果4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V （ M48Z128 ） 。
3. SNAPHAT单独订购。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
图5. AC测试负载电路
5V
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
1.9k
设备
下
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
4/17
QQ：2881677436 复制
