M48Z128

M48Z128Y

1兆位（ 128KB ×8 ） ZEROPOWER

SRAM

s

集成的低功耗SRAM ，

电源失效控制电路和

电池

传统的SRAM操作;

没有写次数限制

在10年的数据保留

电源缺位

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48Z128 ： 4.50V

≤

V

PFD

≤

4.75V

- M48Z128Y ： 4.20V

≤

V

PFD

≤

4.50V

s

32

1

s

s

PMDIP32 （PM）的

模块

SNAPHAT （ SH ）

电池

s

s

电池内部隔离，直到

电源施加

引脚和功能兼容

JEDEC标准128K ×8的SRAM

表面贴装芯片组封装

包括一个28引脚SOIC和32引脚

TSOP （ SNAPHAT TOP需订购

另发）

SOIC封装提供直接

连接对于一个SNAPHAT TOP其中

包含电池

SNAPHAT

外壳（电池）为

可更换

17

A0-A16

M48Z128

M48Z128Y

TSOP32

（8× 20毫米）

SOH28

s

s

表面贴装芯片组解决方案（ CS ）

s

图1.逻辑图

s

VCC

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

E

G

W

V

CC

V

SS

NC

2000年6月

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

8

DQ0-DQ7

W

E

G

写使能

电源电压

地

在内部没有连接

1/17

VSS

AI01194

M48Z128 ， M48Z128Y

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

T

A

T

英镑

T

BIAS

T

SLD （2）

V

IO

V

CC

参数

工作环境温度

存储温度（V

CC

OFF ）

在偏置温度

无铅焊锡温度为10秒

输入或输出电压

电源电压

价值

0到70

-40到70

-10到70

260

-0.3 7

-0.3 7

单位

°C

°C

°C

°C

V

V

注： 1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响

可靠性。

2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

表3.操作模式

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

SO

到V

PFD

（分钟）

≤

V

SO

4.75V至5.5V

or

4.5V至5.5V

V

CC

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ0-DQ7

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

注：1，X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

图2. DIP连接

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

32

2

31

3

30

4

29

5

28

6

27

7

26

8 M48Z128 25

9 M48Z128Y 24

10

23

11

22

12

21

13

20

14

19

15

18

16

17

AI01195

VCC

A15

NC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

描述

该M48Z128 / 128Y ZEROPOWER

RAM是一

128千位×8非易失性静态RAM ，集成

电源故障取消电路和电池控制

逻辑在一个芯片上。单片芯片可用

能够在两个特殊的软件包，提供一个高度IN-

tegrated电池备份的存储器解决方案。

该M48Z128 / 128Y是一个非易失性销和功能

等同于任何JEDEC标准128K ×8和灰

SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，

和EEPROM插座，提供所述非挥发性

PROM中没有特殊的任何规定，

写时序或限制写入次数

可以进行的。 32引脚600mil DIP

模块厂的M48Z128 / 128Y硅带

长寿命锂扣式电池在单个封装中。

表面贴装环境ST提供芯片

包括一个28引脚330mil SOIC组解决方案

NVRAM主管（ M40Z300 ）和32引脚TSOP

（ 8× 20毫米） LPSRAM （ M68Z128 ）封装。

28引脚330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT壳体载

荷兰国际集团的电池。

2/17

M48Z128 ， M48Z128Y

图3.框图

VCC

A0-A16

动力

E

电压检测

和

开关

电路

131,072 x 8

SRAM阵列

DQ0-DQ7

E

W

G

国内

电池

VSS

AI01196

独特的设计使电池SNAPHAT

要安装在所述的SOIC封装的顶部包

在完成表面的年龄后，装入亲

塞斯。后插入SNAPHAT住房

回流防止由于潜在的电池损坏

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

该SNAPHAT电池包运另行

得非常好塑料防静电管或带卷&

形式。该产品编号为“ M4Z28 - BRxxSH1 ” 。

该M48Z128 / 128Y也有自己的电源失效

检测电路。控制电路不断MON-

itors单5V电源为出公差

条件。当V

CC

是出公差，电路

写保护的SRAM ，从而提供了高度

在不可预知系的中间数据安全

TEM操作以低V带来的

CC

。由于V

CC

瀑布

约低于3V时，控制电路CON-

nects这样可保持数据有效，直到电池

恢复供电。

读取模式

该M48Z128 / 128Y是在读取模式whenev-

呃W（写使能）高， E（芯片使能）是

低。该器件的架构允许纹波通

数据从1,048,576位置8的访问中

静态存储阵列。因此，唯一的地址

由17地址输入指定定义了

的131072字节的数据中的一个将被访问。

有效的数据将在数据I / O引脚

地址访问时间内（T

AVQV

）后的最后一个

地址输入信号是稳定的，所提供的电子

和G （输出使能）的存取时间也卫星 -

isfied 。如果E和G的访问时间得不到满足， val-

芯片的更高版本后ID数据将可用

允许访问时间（t

ELQV

）或输出使能AC-

塞斯时间（t

GLQV

） 。八三状态

状态数据的I / O信号是由E和G.如果控制

输出吨前被激活

AVQV

中，数据

线将被驱动到一个不确定的状态，直到

t

AVQV

。如果在地址输入使用E改变

和G保持低电平，输出数据将保持有效

输出数据保持时间（t

AXQX

），但会indeter-

minate直到下一个地址访问。

3/17

M48Z128 ， M48Z128Y

图4.硬件联播的SMT贴片套装

(1)

THS

(2)

SNAPHAT

电池

(3)

VOUT

VCC

E2

M40Z300

E

E1CON

E2CON

E3CON

E4CON

A

RST

B

BL

VSS

W

E

M68Z128

DQ0-DQ7

A0-A16

VSS

AI03625

注： 1。对于引脚连接，请参阅单独的数据表M40Z300和M68Z128在www.st.com 。

2.连接THS引脚连接到V

OUT

如果4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V （ M48Z128Y ）或THS引脚连接到V

SS

如果4.5V

≤

V

PFD

≤

4.75V （ M48Z128 ） 。

3. SNAPHAT单独订购。

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

5ns

0至3V

1.5V

图5. AC测试负载电路

5V

注意，输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

1.9k

设备

下

TEST

1k

OUT

CL = 100pF的或5pF的

CL INCLUDES夹具电容

AI01030

4/17

M48Z128 ， M48Z128Y

表5.电容

(1, 2)

(T

A

= 25

°C,

F = 1MHz的）

符号

C

IN

C

IO （3）

参数

输入电容

输入/输出电容

测试康迪特离子

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

民

最大

10

10

单位

pF

pF

注意：在使用5V电源测量1.有效电容。

2.采样只，而不是100 ％测试。

3.输出取消。

表6.直流特性

(T

A

= 0至70

°C;

V

CC

= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）

符号

I

李（1）

I

LO （ 1 ）

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机） TTL

电源电流（待机） CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1mA

2.4

测试Conditio

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

E = V

IL

，输出打开

E = V

IH

E

≥

V

CC

– 0.2V

–0.3

2.2

民

最大

±1

±1

105

7

4

0.8

V

CC

+ 0.3

0.4

单位

A

A

mA

mA

mA

V

V

V

V

注：1，输出取消。

表7.掉电/上触发点DC特性

(1)

(T

A

= 0至70

°C)

符号

V

PFD

V

SO

t

DR （ 2 ）

参数

M48Z128

电源故障取消电压

M48Z128Y

备用电池切换电压

数据保存时间

10

4.2

4.3

3

4.5

V

V

岁月

民

4.5

典型值

4.6

最大

4.75

单位

V

注意事项：1.参考V所有电压

SS

.

2.在25

°C.

5/17

M48Z128

M48Z128Y ， M48Z128V *

5.0V或3.3V ， 1兆位（ 128千位×8 ） ZEROPOWER

SRAM

功能摘要

s

集成，超低功耗SRAM ，

掉电控制电路，以及

电池

s

图1. 32针PMDIP模块

传统的SRAM操作;

没有写次数限制

在10年的数据保留

电源缺位

电池内部隔离，直到

首次上电

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

写保护电压：

(V

PFD

=电源故障取消电压）

- M48Z128 ： V

CC

= 4.75 5.5V

4.5V

≤

V

PFD

≤

4.75V

- M48Z128Y ： V

CC

= 4.5 5.5V

4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48Z128V ： V

CC

= 3.0 3.6V

2.8V

≤

V

PFD

≤

3.0V

SOIC封装提供直接

连接对于一个SNAPHAT TOP其中

包含电池

SNAPHAT外壳（电池）为

可更换

引脚和功能兼容

JEDEC标准128K ×8的SRAM

等效表面贴装（ SMT ）

解决方案需要采用28引脚M40Z300 / W

和一个独立的128K ×8 LPSRAM

（ SNAPHAT

顶部需要单独订购）

32

1

s

s

s

s

PMDIP32 （PM）的

模块

s

s

s

s

*联系当地销售办事处

2003年10月

修订版3.4

1/21

M48Z128 ， M48Z128Y ， M48Z128V *

目录

描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

逻辑图（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

信号名称（表1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

DIP连接（图3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

框图（图4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

硬件联播的等效表面贴装（ SMT ）解决方案（图5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

等效表面贴装（ SMT ）解决方案（表2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

绝对最大额定值（表3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

操作和AC测量条件（表4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

AC测量负载电路（图6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

电容（表5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

直流特性（表6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

工作模式（表7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

芯片使能和输出使能控制，读取模式AC波形（图7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

地址控制，读取模式AC波形（图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

读模式AC特性（表8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

写使能控制的，写AC波形（图9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

芯片使能控制的，写AC波形（图10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

写模式AC特性（见表9 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

掉电/模式AC波形（图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

掉电/上AC特性（表10 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

掉电/上触发点DC特性（表11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

V

CC

噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

电源电压保护（图12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

SNAPHAT电池表（表13 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

2/21

M48Z128 ， M48Z128Y ， M48Z128V *

描述

该M48Z128 / Y / V ZEROPOWER

RAM是一

128千位×8非易失性静态RAM举办

as131,072字由8位。该器件结合

内置锂电池， CMOS SRAM和

控制电路的塑料， 32引脚DIP模块。这

解决办法是在两个特殊包可用

提供一种高度集成的电池备份

内存解决方案。

该M48Z128 / Y / V是一种非易失性销和功能

等同于任何JEDEC标准128K ×8的灰

SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，

和EEPROM插座，提供所述非挥发性

PROM中没有特殊的任何规定，

对数写入时序或限制

写入可被执行。 32针，

600mil DIP模块厂的M48Z128 / Y / V sili-

精读，在一个单一的长寿命锂锰扣式电池

封装。

对于表面贴装环境ST提供

相当于SMT解决方案，由一个28针的，

330mil SOIC NVRAM主管（ M40Z300 /

W）和32引脚， （ TSOP ， 8× 20毫米） 1Mb的

LPSRAM 。 5V和3V版本可供选择

（参见表2 ，第5页） 。

28引脚， 330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT

住房CON-

泰宁电池。

独特的设计使电池SNAPHAT

要安装在所述的SOIC封装的顶部包

在完成表面贴装亲的年龄后，

塞斯。后插入SNAPHAT住房

回流防止由于潜在的电池损坏

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

该SNAPHAT电池包运另行

得非常好塑料防静电管或带卷&

形式。该产品编号为“ M4Zxx - BR00SH ”（见

表13 ，第15页） 。

图2.逻辑图

VCC

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

电源电压

地

在内部没有连接

17

A0-A16

M48Z128

M48Z128Y

M48Z128V

8

DQ0-DQ7

E

G

W

V

CC

V

SS

NC

W

E

G

VSS

AI01194

3/21

M48Z128 ， M48Z128Y ， M48Z128V *

图3. DIP连接

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

32

1

31

2

30

3

29

4

28

5

27

6

26

7

M48Z128 25

8

M48Z128Y

24

9

M48Z128V

23

10

22

11

21

12

20

13

19

14

18

15

17

16

AI01195

VCC

A15

NC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

图4.框图

VCC

A0-A16

动力

E

电压检测

和

开关

电路

131,072 x 8

SRAM阵列

DQ0-DQ7

E

W

G

国内

电池

VSS

AI01196

4/21

M48Z128 ， M48Z128Y ， M48Z128V *

图5.硬件联播的等效表面贴装（ SMT ）解决方案

THS

(1,2)

SNAPHAT

(3)

电池

V

OUT

V

CC

E2

M40Z300/W

E

E1

CON

E2

CON

E3

CON

E4

CON

A

RST

B

BL

V

SS

1MB LPSRAM

DQ0-DQ7

E

A0-A16

W

V

SS

AI03625

注意：对于引脚连接，请参阅单独的数据表M48Z300 / 300W在www.st.com 。

1.连接THS引脚连接到V

OUT

如果4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V （ M48Z128Y ）或THS引脚连接到V

SS

如果4.5V

≤

V

PFD

≤

4.75V （ M48Z128 ） 。

2.连接THS引脚连接到V

SS

如果2.8V

≤

V

PFD

≤

3.0V （ M48Z128V ） 。

3. SNAPHAT

另外顶部订购。

表2.等效表面贴装（ SMT ）解决方案

NVRAM

M48Z128

M48Z128Y

M48Z128V

LPSRAM

5V为1Mb LPSRAM

5V为1Mb LPSRAM

3V 1Mb的LPSRAM

监

M40Z300

M40Z300

M40Z300W

THS引脚

(1)

V

SS

V

OUT

V

SS

注： 1.连接监事阈值选择引脚（引脚13 ） （ M40Z300 / 300W ） 。

5/21

M48Z128

M48Z128Y

1兆位（ 128KB ×8 ） ZEROPOWER

SRAM

s

集成的低功耗SRAM ，

电源失效控制电路和

电池

传统的SRAM操作;

没有写次数限制

在10年的数据保留

电源缺位

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48Z128 ： 4.50V

≤

V

PFD

≤

4.75V

- M48Z128Y ： 4.20V

≤

V

PFD

≤

4.50V

s

32

1

s

s

PMDIP32 （PM）的

模块

SNAPHAT （ SH ）

电池

s

s

电池内部隔离，直到

电源施加

引脚和功能兼容

JEDEC标准128K ×8的SRAM

表面贴装芯片组封装

包括一个28引脚SOIC和32引脚

TSOP （ SNAPHAT TOP需订购

另发）

SOIC封装提供直接

连接对于一个SNAPHAT TOP其中

包含电池

SNAPHAT

外壳（电池）为

可更换

17

A0-A16

M48Z128

M48Z128Y

TSOP32

（8× 20毫米）

SOH28

s

s

表面贴装芯片组解决方案（ CS ）

s

图1.逻辑图

s

VCC

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

E

G

W

V

CC

V

SS

NC

2000年6月

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

8

DQ0-DQ7

W

E

G

写使能

电源电压

地

在内部没有连接

1/17

VSS

AI01194

M48Z128 ， M48Z128Y

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

T

A

T

英镑

T

BIAS

T

SLD （2）

V

IO

V

CC

参数

工作环境温度

存储温度（V

CC

OFF ）

在偏置温度

无铅焊锡温度为10秒

输入或输出电压

电源电压

价值

0到70

-40到70

-10到70

260

-0.3 7

-0.3 7

单位

°C

°C

°C

°C

V

V

注： 1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响

可靠性。

2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

表3.操作模式

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

SO

到V

PFD

（分钟）

≤

V

SO

4.75V至5.5V

or

4.5V至5.5V

V

CC

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ0-DQ7

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

注：1，X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

图2. DIP连接

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

32

2

31

3

30

4

29

5

28

6

27

7

26

8 M48Z128 25

9 M48Z128Y 24

10

23

11

22

12

21

13

20

14

19

15

18

16

17

AI01195

VCC

A15

NC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

描述

该M48Z128 / 128Y ZEROPOWER

RAM是一

128千位×8非易失性静态RAM ，集成

电源故障取消电路和电池控制

逻辑在一个芯片上。单片芯片可用

能够在两个特殊的软件包，提供一个高度IN-

tegrated电池备份的存储器解决方案。

该M48Z128 / 128Y是一个非易失性销和功能

等同于任何JEDEC标准128K ×8和灰

SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，

和EEPROM插座，提供所述非挥发性

PROM中没有特殊的任何规定，

写时序或限制写入次数

可以进行的。 32引脚600mil DIP

模块厂的M48Z128 / 128Y硅带

长寿命锂扣式电池在单个封装中。

表面贴装环境ST提供芯片

包括一个28引脚330mil SOIC组解决方案

NVRAM主管（ M40Z300 ）和32引脚TSOP

（ 8× 20毫米） LPSRAM （ M68Z128 ）封装。

28引脚330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT壳体载

荷兰国际集团的电池。

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M48Z128 ， M48Z128Y

图3.框图

VCC

A0-A16

动力

E

电压检测

和

开关

电路

131,072 x 8

SRAM阵列

DQ0-DQ7

E

W

G

国内

电池

VSS

AI01196

独特的设计使电池SNAPHAT

要安装在所述的SOIC封装的顶部包

在完成表面的年龄后，装入亲

塞斯。后插入SNAPHAT住房

回流防止由于潜在的电池损坏

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

该SNAPHAT电池包运另行

得非常好塑料防静电管或带卷&

形式。该产品编号为“ M4Z28 - BRxxSH1 ” 。

该M48Z128 / 128Y也有自己的电源失效

检测电路。控制电路不断MON-

itors单5V电源为出公差

条件。当V

CC

是出公差，电路

写保护的SRAM ，从而提供了高度

在不可预知系的中间数据安全

TEM操作以低V带来的

CC

。由于V

CC

瀑布

约低于3V时，控制电路CON-

nects这样可保持数据有效，直到电池

恢复供电。

读取模式

该M48Z128 / 128Y是在读取模式whenev-

呃W（写使能）高， E（芯片使能）是

低。该器件的架构允许纹波通

数据从1,048,576位置8的访问中

静态存储阵列。因此，唯一的地址

由17地址输入指定定义了

的131072字节的数据中的一个将被访问。

有效的数据将在数据I / O引脚

地址访问时间内（T

AVQV

）后的最后一个

地址输入信号是稳定的，所提供的电子

和G （输出使能）的存取时间也卫星 -

isfied 。如果E和G的访问时间得不到满足， val-

芯片的更高版本后ID数据将可用

允许访问时间（t

ELQV

）或输出使能AC-

塞斯时间（t

GLQV

） 。八三状态

状态数据的I / O信号是由E和G.如果控制

输出吨前被激活

AVQV

中，数据

线将被驱动到一个不确定的状态，直到

t

AVQV

。如果在地址输入使用E改变

和G保持低电平，输出数据将保持有效

输出数据保持时间（t

AXQX

），但会indeter-

minate直到下一个地址访问。

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M48Z128 ， M48Z128Y

图4.硬件联播的SMT贴片套装

(1)

THS

(2)

SNAPHAT

电池

(3)

VOUT

VCC

E2

M40Z300

E

E1CON

E2CON

E3CON

E4CON

A

RST

B

BL

VSS

W

E

M68Z128

DQ0-DQ7

A0-A16

VSS

AI03625

注： 1。对于引脚连接，请参阅单独的数据表M40Z300和M68Z128在www.st.com 。

2.连接THS引脚连接到V

OUT

如果4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V （ M48Z128Y ）或THS引脚连接到V

SS

如果4.5V

≤

V

PFD

≤

4.75V （ M48Z128 ） 。

3. SNAPHAT单独订购。

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

5ns

0至3V

1.5V

图5. AC测试负载电路

5V

注意，输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

1.9k

设备

下

TEST

1k

OUT

CL = 100pF的或5pF的

CL INCLUDES夹具电容

AI01030

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M48Z128 ， M48Z128Y

表5.电容

(1, 2)

(T

A

= 25

°C,

F = 1MHz的）

符号

C

IN

C

IO （3）

参数

输入电容

输入/输出电容

测试康迪特离子

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

民

最大

10

10

单位

pF

pF

注意：在使用5V电源测量1.有效电容。

2.采样只，而不是100 ％测试。

3.输出取消。

表6.直流特性

(T

A

= 0至70

°C;

V

CC

= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）

符号

I

李（1）

I

LO （ 1 ）

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机） TTL

电源电流（待机） CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1mA

2.4

测试Conditio

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

E = V

IL

，输出打开

E = V

IH

E

≥

V

CC

– 0.2V

–0.3

2.2

民

最大

±1

±1

105

7

4

0.8

V

CC

+ 0.3

0.4

单位

A

A

mA

mA

mA

V

V

V

V

注：1，输出取消。

表7.掉电/上触发点DC特性

(1)

(T

A

= 0至70

°C)

符号

V

PFD

V

SO

t

DR （ 2 ）

参数

M48Z128

电源故障取消电压

M48Z128Y

备用电池切换电压

数据保存时间

10

4.2

4.3

3

4.5

V

V

岁月

民

4.5

典型值

4.6

最大

4.75

单位

V

注意事项：1.参考V所有电压

SS

.

2.在25

°C.

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