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M48Z02
M48Z12
16千位( 2K位×8 ) ZEROPOWER
SRAM
集成超低功耗SRAM ,
电源失效控制电路和
电池
没有写次数限制
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT和
写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压) :
- M48Z02 : 4.50V
V
PFD
4.75V
- M48Z12 : 4.20V
V
PFD
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
引脚和功能兼容
JEDEC标准的2K ×8的SRAM
描述
该M48Z02 / 12 ZEROPOWER
RAM是2K ×8
非易失性静态RAM是引脚和功能
与DS1220兼容。
一个特殊的24引脚600mil DIP CAPHAT 封装
房屋的M48Z02 / 12芯片与长寿命lith-
鎓纽扣电池以形成一个高度集成的电池
备份存储解决方案。
该M48Z02 / 12扣式电池有足够的能力
和贮存寿命,保持数据和时钟功能 -
先进而精湛为至少10的累积时间段
年在断电的情况下,在工作
温度范围。
表1.信号名称
A0-A10
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
24
1
PCDIP24 (PC)的
电池CAPHAT
图1.逻辑图
VCC
11
A0-A10
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M48Z02
M48Z12
VSS
AI01186
1999年5月
1/12
M48Z02 , M48Z12
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD (2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
OFF )
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
价值
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
注意事项:
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长,则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3伏,而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
表3.操作模式
模式
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意事项:
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP引脚连接
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
24
1
23
2
22
3
21
4
20
5
6
M48Z02 19
M48Z12 18
7
17
8
16
9
15
10
11
14
12
13
AI01187
VCC
A8
A9
W
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
(续)
该M48Z02 / 12是一种非挥发性的引脚和功能
等同于任何JEDEC标准的2K ×8 SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ,EPROM和
EEPROM的插座,提供的非挥发性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。
该M48Z02 / 12也有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差情况。
当V
CC
是出公差,电路写
保护的SRAM ,提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
关合作由低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V,所述控制电路连接的
电池可保持数据和时钟的操作
直到有效恢复供电。
2/12
M48Z02 , M48Z12
图3.框图
A0-A10
CELL
电压检测
开关
电路
动力
2K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01255
读取模式
该M48Z02 / 12是在读取模式时W
(写使能)为高和E(芯片使能)是低的。
该器件的架构允许纹波通过AC-
从8 16384中的位置过程数据的
静态存储阵列。因此,唯一的地址
由11地址输入指定定义了
的2048个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内(T
AVQV
)后的最后一个
地址输入信号是稳定的,所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足,有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间(t
ELQV
)或输出启用访问时间(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
由E和G.控制。如果输出被激活
吨前
AVQV
中,数据线将被驱动至
不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变,而E和G保持活跃,
输出数据的有效期为输出数据保持
时间(t
AXQX
),但走不定,直到下一
地址访问。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
5ns
0V至3V
1.5V
注意,输出高阻被定义为点数据是无
再驱动。
图4.交流测试负载电路
5V
1.8k
设备
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01019
3/12
M48Z02 , M48Z12
表5.电容
(1)
(T
A
= 25
°C)
符号
C
IN
C
IO (2)
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
10
单位
pF
pF
注意事项:
1.有效电容用在5V电源测量。
2.输出取消
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V )
符号
I
李(1)
I
LO ( 1 )
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素(2)
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
最大
±1
±5
80
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意事项:
1.输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃)
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR
参数
电源故障取消电压( M48Z02 )
电源故障取消电压( M48Z12 )
备用电池切换电压
预计数据保存时间
10
4.5
4.2
典型值
4.6
4.3
3.0
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意:
1.所有电压参考V
SS
.
4/12
M48Z02 , M48Z12
表8.掉电/模式AC特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃)
符号
t
PD
t
F (1)
t
FB ( 2 )
t
R
t
RB
t
REC
参数
在V ê或W
IH
掉电前
V
PFD
(MAX)到V
PFD
(最小值)V
CC
下降时间
V
PFD
(分钟)至V
SO
V
CC
下降时间
V
PFD
(分钟)至V
PFD
(最大值)V
CC
上升时间
V
SO
到V
PFD
(最小值)V
CC
上升时间
在V ê或W
IH
电后
0
300
10
0
1
2
最大
单位
s
s
s
s
s
ms
注意事项:
1. V
PFD
(MAX)到V
PFD
(分)落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生,直到50
s
V
CC
通过V
PFD
(最小值) 。
2. V
PFD
(分钟)至V
SO
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD (最大)
VPFD (分钟)
VSO
tF
tPD的
输入
认可
TDR
TFB
TRB
不关心
tR
TREC
认可
高-Z
输出
有效
(每个控制输入)
有效
(每个控制输入)
AI00606
注意:
输入可能会或可能不会在此时识别。需注意保持é高达V
CC
上升超过V
PFD
(分钟)。有些系统
可以执行V后无意写周期
CC
上升超过V
PFD
(分钟),但正常的系统操作开始之前。即使在电源
复位时被施加到处理器,复位条件也可以不发生,直到系统时钟运行之后。
5/12
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