M48T59

M48T59Y/M48T59V

64千位（8KB X8 ） TIMEKEEPER

SRAM

初步数据

s

集成超低功耗SRAM ，

实时时钟，电源失效控制

电路和电池

频率测试输出实时

时钟软件校准

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48T59 ： 4.5V

≤

V

PFD

≤

4.75V

- M48T59Y ： 4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48T59V ： 2.7V

≤

V

PFD

≤

3.0V

SNAPHAT （ SH ）

电池/ Crytstal

s

s

s

28

28

1

1

SOH28 （ MH ）

PCDIP28 （PC）的

电池/水晶

CAPHAT

s

独立电池和水晶

在CAPHAT DIP封装

包装包括一个28引脚SOIC和

SNAPHAT

顶部

（需单独订购）

SOIC封装提供直接

连接对于一个SNAPHAT TOP其中

包含电池和晶体

微处理器上电复位

（有效的，即使在电池备份模式）

可编程报警输出有效

在电池备份模式

BATTERY LOW标志

A0-A12

M48T59

M48T59Y

M48T59V

13

VCC

s

图1.逻辑图

s

s

s

8

DQ0-DQ7

s

表1.信号名称

A0-A12

DQ0-DQ7

IRQ / FT

RST

E

G

W

V

CC

V

SS

1999年10月

地址输入

数据输入/输出

中断/频率测试

输出（漏极开路）

电源故障复位输出

（漏极开路）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

W

E

G

IRQ / FT

RST

VSS

AI01380E

1/21

这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

图2A 。 DIP连接

RST

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

28

1

27

2

26

3

25

4

24

5

23

6

7

M48T59 22

8 M48T59Y 21

20

9

19

10

18

11

17

12

13

16

14

15

AI01381D

图2B中。 SOIC连接

VCC

W

IRQ / FT

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

RST

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

28

27

2

26

3

25

4

24

5

23

6

7 M48T59Y 22

8 M48T59V 21

20

9

19

10

18

11

17

12

16

13

15

14

AI01382E

VCC

W

IRQ / FT

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

T

A

T

英镑

T

SLD （2）

V

IO

V

CC

I

O

P

D

参数

工作环境温度

存储温度（V

CC

关闭，振荡器关闭）

无铅焊锡温度为10秒

输入或输出电压

电源电压

输出电流

功耗

M48T59/M48T59Y

M48T59V

1级

六年级

价值

0到70

-40到85

-40到85

260

-0.3 7

-0.3 7

-0.3 4.6

20

1

单位

°C

°C

°C

V

V

mA

W

注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力

只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响

可靠性。

2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

注意事项：

不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。

表3.操作模式

(1)

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

CC

4.75V至5.5V

or

4.5V至5.5V

or

3.0V至3.6V

V

SO

到V

PFD

（分钟）

(2)

≤

V

SO

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ7-DQ0

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

注：1，X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

2.请参阅表7的详细信息。

2/21

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

图3.框图

IRQ / FT

振荡器和

时钟链

32,768赫兹

水晶

动力

16 ×8 BiPORT

SRAM阵列

A0-A12

8176 x 8

SRAM阵列

锂

CELL

电压检测

和

开关

电路

VPFD

DQ0-DQ7

E

W

G

VCC

RST

VSS

AI01383D

描述

该M48T59 / 59Y / 59V TIMEKEEPER

RAM是一种

8kb的x8的非易失性静态RAM和实时时钟。

单片芯片有两种特殊的

包以提供一个高度集成的电池

备份存储器和实时时钟溶液。

该M48T59 / 59Y / 59V是一个非易失性销和

等同于任何JEDEC标准的8Kb x8的功能

SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，

和EEPROM插座，提供所述非挥发性

PROM中没有特殊的任何规定，

写时序或限制写入次数

可以进行的。

28引脚600mil DIP CAPHAT 的房子

M48T59 / 59Y / 59V硅与石英晶体和

长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。

28引脚330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT壳体载

荷兰国际集团的电池和晶体。独特的设计

允许SNAPHAT电池包要

安装在SOIC封装的后上方

在表面完成安装过程。插入不正

化的SNAPHAT住房后，再流焊前

通风口潜在的电池和晶体造成的损害

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

5ns

0至3V

1.5V

注意，输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

图4.交流测试负载电路

设备

下

TEST

645

CL = 100pF的

1.75V

CL INCLUDES夹具电容

AI02325

注：不包括开漏输出引脚。

3/21

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

表5.电容

(1, 2)

(T

A

= 25 °C)

符号

C

IN

C

IO （3）

参数

输入电容

输入/输出电容

测试条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

民

最大

10

10

单位

pF

pF

注意：在使用5V电源测量1.有效电容。

2.采样只，而不是100 ％测试。

3.输出取消。

表6.直流特性

(T

A

= 0至70℃或-40至85℃ ; V

CC

= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V或3.0V至3.6V ）

M48T59/Y

符号

I

李（1）

I

LO （ 1 ）

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

白细胞介素（2）

V

IH

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机）

TTL

电源电流（待机）

CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

V

OL

输出低电压（ IRQ / FT

和RST ）

(3)

输出高电压

I

OL

= 2.1毫安

I

OL

= 10毫安

I

OH

= -1mA

2.4

测试条件

民

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

输出打开

E = V

IH

E = V

CC

– 0.2V

–0.3

2.2

最大

±1

±1

50

3

3

0.8

V

CC

+ 0.3

0.4

0.4

2.4

–0.3

2

民

最大

±1

±1

30

2

1

0.8

V

CC

+ 0.3

0.4

0.4

A

A

mA

mA

mA

V

V

V

V

V

M48T59V

单位

V

OH

注：1，输出取消。

-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。

3. IRQ / FT和RST引脚为开漏。

表7.掉电/上触发点DC特性

(1)

(T

A

= 0至70℃或-40至85 ℃）

符号

参数

M48T59

V

PFD

电源故障取消电压

M48T59Y

M48T59V

M48T59/Y

V

SO

备用电池切换电压

M48T59V

1级

t

DR

ExpectedDataRetentionTime(at25°C)

六年级

10

(2)

岁月

7

V

PFD

–100mV

V

岁月

民

4.5

4.2

2.7

典型值

4.6

4.35

2.9

3.0

最大

4.75

4.5

3.0

单位

V

V

V

V

注意事项：1.参考V所有电压

SS

.

2.使用较大M4T32 - BR12SH6 SNAPHAT顶部（推荐用于工业温度范围 - 6级设备） 。

4/21

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

表8.掉电/上AC特性

(T

A

= 0至70℃或-40至85 ℃）

符号

t

PD

t

F (1)

t

FB （ 2 ）

t

R

t

RB

t

REC （ 3 ）

参数

在V ê或W

IH

掉电前

V

PFD

（MAX）到V

PFD

（最小值）V

CC

下降时间

M48T59/Y

V

PFD

（分钟）至V

SS

V

CC

下降时间

V

PFD

（分钟）至V

PFD

（最大值）V

CC

上升时间

V

SS

到V

PFD

（最小值）V

CC

上升时间

V

PFD

（最大值） ，以RST高

M48T59V

民

0

300

10

150

10

1

40

200

最大

单位

s

s

s

s

s

s

ms

注：1， V

PFD

（MAX）到V

PFD

（分）落入小于T的时间

F

可能导致取消选择/写保护没有发生，直到V后为200ps

CC

密码

ES V

PFD

（最小值） 。

2. V

PFD

（分钟）至V

SS

属于小于T的时间

FB

可能会导致内存中的数据损坏。

3. t

REC

（分钟） = 20ms的工业温度级6的设备。

图5.掉电/模式AC波形

VCC

VPFD （最大）

VPFD （分钟）

VSO

tF

tPD的

TFB

TDR

TREC

RST

TRB

tR

输入

认可

不关心

认可

高-Z

输出

有效

（每个控制输入）

有效

（每个控制输入）

AI03258

该SOIC和电池/水晶包

分别在塑料防静电管或运

磁带&卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池盒盖

tery /水晶包（即SNAPHAT ）部件号

是"M4T28 - BR12SH"或“ M4T32 - BR12SH ” 。

注意事项：

不要把SNAPHAT电池/ crys-

TAL顶部导电泡棉，因为这会耗尽lith-

IUM纽扣电池。

如图3所示，静态存储器阵列和

的石英控制的时钟振荡器

M48T59 / 59Y / 59V集成在一个硅

芯片。

这两个电路被互连在上

八个内存位置，以提供用户可访问

与字节单字节宽时钟信息

地址1FF8h - 1FFFh的。时钟位置

包含世纪，年，月，日，星期，时，

分钟和秒以24小时BCD格式（除

本世纪） 。更正为28 ， 29 （闰年）

30 ，和31天的月均自动进行。

字节1FF8h是时钟控制寄存器。该字节

控制用户对时钟信息获取和

还存储了时钟校准设置。

5/21

M48T59

M48T59Y ， M48T59V

5.0或3.3 V ， 64千位（ 8千位×8 ） TIMEKEEPER

SRAM

不适用于新设计

特点

■

■

■

■

集成的超低功耗SRAM ，实时

时钟，电源故障控制电路和电池

频测试输出用于实时时钟

软件校准

自动电源失效芯片取消和WRITE

保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48T59 ： V

CC

= 4.75 5.5 V

4.5 V

≤

V

PFD

≤

4.75 V

- M48T59Y ： V

CC

= 4.5 5.5 V

4.2 V

≤

V

PFD

≤

4.5 V

- M48T59V

(a)

: V

CC

= 3.0 3.6 V

2.7 V

≤

V

PFD

≤

3.0 V

自包含电池和晶体中的

CAPHAT DIP封装

包装包括一个28引脚SOIC和

SNAPHAT

TOP （单独订购）

28

1

PCDIP28 （PC）的

电池/水晶

CAPHAT

■

■

■

SOIC封装提供了一个直接连接

SNAPHAT顶部包含电池和

水晶

微处理器上电复位（也有效

期间电池备份模式）

可编程报警输出活跃在

电池备份模式

BATTERY LOW标志

符合RoHS

- 无铅二级互连

■

■

■

■

so

b

O

et

l

ro

P

e

uc

d

-O

s)

t(

so

b

P

te

le

c

du

ro

s)

t(

SNAPHAT （ SH ）

电池/水晶

28

1

SOH28 （ MH ）

一。请联系当地的ST销售办事处为3.3 V可用性

版本。

2008年4月

第七版

1/32

www.st.com

1

这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。

目录

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

目录

1

2

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

2.1

2.2

2.3

阅读模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

数据保持方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

3

时钟操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

3.12

读出时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

设置时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

停止和启动的振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

校准所述时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

设定闹钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

看门狗定时器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

上电复位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

可编程的中断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

电池电量低的标志。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

世纪位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

初始上电默认值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

V

CC

噪声和负向瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

4

5

bs

O

7

6

8

uc

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

最大额定值。

d

ro

P

DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

te

le

机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

o

包

-O

s)

t(

so

b

P

te

le

c

du

ro

s)

t(

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31

2/32

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

表格清单

表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

表10 。

表11 。

表12 。

表13 。

表14 。

表15 。

表16 。

表17 。

表18 。

表19 。

表20 。

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

阅读模式的交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

寄存器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

报警重复模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

的默认值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

电力向下/向上AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

电力向下/向上跳变点的直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

SOH28 - 28引脚塑料小外形，电池SNAPHAT ，包装。机甲。数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

SH - 4针SNAPHAT住房48mAh电池&晶，包机甲。数据。 。 。 。 。 。 。 27

SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&晶，包机甲。数据。 。 。 。 。 。 28

订购信息方案。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29

SNAPHAT电池表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十

文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31

bs

O

et

ol

ro

P

e

uc

d

-O

s)

t(

so

b

P

te

le

c

du

ro

s)

t(

3/32

图列表

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

图列表

图1 。

图2中。

网络连接gure 3 。

图4中。

图5中。

图6 。

图7 。

网络连接gure 8 。

图9 。

网络连接gure 10 。

图11 。

图12 。

图13 。

图14 。

图15 。

图16 。

图17 。

图18 。

逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

28引脚SOIC封装的连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

PCDIP28 CAPHAT连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

阅读模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

写使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

芯片使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

在整个温度范围晶体精度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

时钟校准。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

报警中断复位波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

备份模式报警波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

电源电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

掉电/模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

SOH28 - 28引脚塑料小外形，电池SNAPHAT ，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

SH - 4针SNAPHAT住房48mAh电池&晶，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&晶，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 28

bs

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4/32

M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V

描述

1

描述

该M48T59 / Y / V TIMEKEEPER

RAM是一个8 KB ×8非易失性静态RAM和实时

时钟。单片芯片有两种特殊的封装，提供一个高度集成的

电池备份存储器和实时时钟溶液。

该M48T59 / Y / V是一个等同于任何JEDEC标准的8 KB的非易失引脚和功能

X8 SRAM 。它也很容易适应许多ROM，EPROM，和EEPROM的插座，提供了

PROM的非挥发性不具备在特殊的写时序或限制任何要求

可以进行的写操作的数目。

28引脚， 600万DIP CAPHAT 容纳M48T59 / Y / V芯片与石英晶体

并在单一封装，寿命长的锂扣式电池。

28引脚， 330密耳SOIC插座提供镀金触点两端直接

连接到一个单独的SNAPHAT

住房包含电池和晶体。该

独特设计允许装在SOIC封装顶部的SNAPHAT电池包

包装完成表面贴装后的过程。该SNAPHAT的插入

回流后机身可防止潜在的电池和晶体的损害由于高

所需的设备表面安装温度。该SNAPHAT外壳键入到

防止反向插入。

该SOIC和电池/晶体封装在塑料防静电管分开运输或

在磁带&卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池/水晶包（例如， SNAPHAT ）

产品编号为“ M4T28 - BR12SH1 ”或“ M4T32 - BR12SHx ”（见

表19第30页） 。

注意事项：

不要把SNAPHAT电池/晶体顶部导电泡棉，因为这将耗尽

锂锰扣式电池。

图1 。

逻辑图

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A0-A12

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13

DQ0-DQ7

M48T59

M48T59Y

M48T59V

IRQ / FT

RST

VSS

AI01380E

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