M48T59
M48T59Y/M48T59V
64千位（8KB X8 ） TIMEKEEPER
SRAM
初步数据
s
集成超低功耗SRAM ，
实时时钟，电源失效控制
电路和电池
频率测试输出实时
时钟软件校准
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48T59 ： 4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48T59Y ： 4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
- M48T59V ： 2.7V
≤
V
PFD
≤
3.0V
SNAPHAT （ SH ）
电池/ Crytstal
s
s
s
28
28
1
1
SOH28 （ MH ）
PCDIP28 （PC）的
电池/水晶
CAPHAT
s
独立电池和水晶
在CAPHAT DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
顶部
（需单独订购）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
微处理器上电复位
（有效的，即使在电池备份模式）
可编程报警输出有效
在电池备份模式
BATTERY LOW标志
A0-A12
M48T59
M48T59Y
M48T59V
13
VCC
s
图1.逻辑图
s
s
s
8
DQ0-DQ7
s
表1.信号名称
A0-A12
DQ0-DQ7
IRQ / FT
RST
E
G
W
V
CC
V
SS
1999年10月
地址输入
数据输入/输出
中断/频率测试
输出（漏极开路）
电源故障复位输出
（漏极开路）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
W
E
G
IRQ / FT
RST
VSS
AI01380E
1/21
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V
图2A 。 DIP连接
RST
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48T59 22
8 M48T59Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01381D
图2B中。 SOIC连接
VCC
W
IRQ / FT
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
RST
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7 M48T59Y 22
8 M48T59V 21
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01382E
VCC
W
IRQ / FT
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
M48T59/M48T59Y
M48T59V
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 4.6
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
CC
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
or
3.0V至3.6V
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ7-DQ0
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
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M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V
图3.框图
IRQ / FT
振荡器和
时钟链
32,768赫兹
水晶
动力
16 ×8 BiPORT
SRAM阵列
A0-A12
8176 x 8
SRAM阵列
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
VPFD
DQ0-DQ7
E
W
G
VCC
RST
VSS
AI01383D
描述
该M48T59 / 59Y / 59V TIMEKEEPER
RAM是一种
8kb的x8的非易失性静态RAM和实时时钟。
单片芯片有两种特殊的
包以提供一个高度集成的电池
备份存储器和实时时钟溶液。
该M48T59 / 59Y / 59V是一个非易失性销和
等同于任何JEDEC标准的8Kb x8的功能
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。
28引脚600mil DIP CAPHAT 的房子
M48T59 / 59Y / 59V硅与石英晶体和
长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池和晶体。独特的设计
允许SNAPHAT电池包要
安装在SOIC封装的后上方
在表面完成安装过程。插入不正
化的SNAPHAT住房后，再流焊前
通风口潜在的电池和晶体造成的损害
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
图4.交流测试负载电路
设备
下
TEST
645
CL = 100pF的
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI02325
注：不包括开漏输出引脚。
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M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V或3.0V至3.6V ）
M48T59/Y
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素（2）
V
IH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机）
TTL
电源电流（待机）
CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
V
OL
输出低电压（ IRQ / FT
和RST ）
(3)
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
民
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
最大
±1
±1
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
2.4
–0.3
2
民
最大
±1
±1
30
2
1
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
M48T59V
单位
V
OH
注：1，输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
3. IRQ / FT和RST引脚为开漏。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
参数
M48T59
V
PFD
电源故障取消电压
M48T59Y
M48T59V
M48T59/Y
V
SO
备用电池切换电压
M48T59V
1级
t
DR
ExpectedDataRetentionTime(at25°C)
六年级
10
(2)
岁月
7
V
PFD
–100mV
V
岁月
民
4.5
4.2
2.7
典型值
4.6
4.35
2.9
3.0
最大
4.75
4.5
3.0
单位
V
V
V
V
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
2.使用较大M4T32 - BR12SH6 SNAPHAT顶部（推荐用于工业温度范围 - 6级设备） 。
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M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V
表8.掉电/上AC特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
t
PD
t
F (1)
t
FB （ 2 ）
t
R
t
RB
t
REC （ 3 ）
参数
在V ê或W
IH
掉电前
V
PFD
（MAX）到V
PFD
（最小值）V
CC
下降时间
M48T59/Y
V
PFD
（分钟）至V
SS
V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
PFD
（最大值）V
CC
上升时间
V
SS
到V
PFD
（最小值）V
CC
上升时间
V
PFD
（最大值） ，以RST高
M48T59V
民
0
300
10
150
10
1
40
200
最大
单位
s
s
s
s
s
s
ms
注：1， V
PFD
（MAX）到V
PFD
（分）落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生，直到V后为200ps
CC
密码
ES V
PFD
（最小值） 。
2. V
PFD
（分钟）至V
SS
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
3. t
REC
（分钟） = 20ms的工业温度级6的设备。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD （最大）
VPFD （分钟）
VSO
tF
tPD的
TFB
TDR
TREC
RST
TRB
tR
输入
认可
不关心
认可
高-Z
输出
有效
（每个控制输入）
有效
（每个控制输入）
AI03258
该SOIC和电池/水晶包
分别在塑料防静电管或运
磁带&卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池盒盖
tery /水晶包（即SNAPHAT ）部件号
是"M4T28 - BR12SH"或“ M4T32 - BR12SH ” 。
注意事项：
不要把SNAPHAT电池/ crys-
TAL顶部导电泡棉，因为这会耗尽lith-
IUM纽扣电池。
如图3所示，静态存储器阵列和
的石英控制的时钟振荡器
M48T59 / 59Y / 59V集成在一个硅
芯片。
这两个电路被互连在上
八个内存位置，以提供用户可访问
与字节单字节宽时钟信息
地址1FF8h - 1FFFh的。时钟位置
包含世纪，年，月，日，星期，时，
分钟和秒以24小时BCD格式（除
本世纪） 。更正为28 ， 29 （闰年）
30 ，和31天的月均自动进行。
字节1FF8h是时钟控制寄存器。该字节
控制用户对时钟信息获取和
还存储了时钟校准设置。
5/21
QQ：2881677436 复制
