M48T559Y
图2. SOIC连接
表1.信号名称
AD0-AD7
AS0-AS1
地址/数据
地址选通
写使能
读使能
芯片使能
看门狗输入
复位输入
电源故障复位输出
（漏极开路）
中断/频率测试
输出（漏极开路）
电源电压
地
在内部没有连接
不要使用必须连接
到V
CC
或V
SS
RST
WDI
RSTIN1
RSTIN2
DU
NC
NC
NC
NC
AD0
AD1
AD2
VSS
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48T559Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01675B
VCC
W
IRQ / FT
DU
DU
AS1
AS0
R
E
AD7
AD6
AD5
AD4
AD3
W
R
E
WDI
RSTIN1-RSTIN2
RST
IRQ / FT
V
CC
V
SS
NC
DU
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
价值
0到70
-40到85
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
V
V
mA
W
注：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，时间过长会影响其可靠性。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
回流后的SNAPHAT住房插入
防止潜在的电池和晶体造成的损害
到所需设备的高温外加
面安装。该SNAPHAT外壳键控
防止反向插入。
该SOIC和电池/水晶包
分别在塑料防静电管或运
磁带&卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池盒盖
tery /水晶包（即SNAPHAT ）部件号
是"M4T28 - BR12SH1" 。
注意事项：
不要把SNAPHAT电池/ crys-
TAL顶部导电泡棉，因为这会耗尽lith-
IUM纽扣电池。
如图3所示，静态存储器阵列和
的石英控制的时钟振荡器
M48T559Y都集成在一个硅芯片上。该
两个电路被互连在上部8
存储单元，以提供用户可访问的
与字节单字节宽时钟信息
地址1FF8h - 1FFFh的。时钟位置
包含年，月，日，星期，小时，分钟，
二以24小时BCD格式。更正
28 ， 29 （闰年） ， 30 ，和31天的月均
自动进行的。字节1FF8h是时钟CON-
控制寄存器。这个字节控制用户接入
时钟信息，并且还存储了时钟校准
化设置。
八个时钟字节并不是实际的时钟
反驳自己;它们的存储位置
由BiPORT 的读/写的存储器单元。
该M48T559Y包括时钟控制电路
这与当前的Infor公司更新时钟字节
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M48T559Y
图3.框图
IRQ / FT
振荡器和
时钟链
32,768赫兹
水晶
动力
16 ×8 BiPORT
SRAM阵列
数据
收发器
W
R
8176 x 8
SRAM阵列
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
VPFD
上
地址
LATCH
AD0-AD7
AS1
低
地址
LATCH
AS0
RSTIN1
VCC
RSTIN2
RST
VSS
E
AI01676B
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
R
X
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
AD0-AD7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
(3)
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
3. AD0 - AD7 ， AS0 ， AS1主动当E为高电平和V
CC
＆ GT ; V
PFD
.
每秒息一次。该信息可以是
由用户以同样的方式作为任何访问
静态存储器阵列中的其它位置。
该M48T559Y也有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差条件
化。
当V
CC
是出公差，电路写出的
便可使SRAM中，提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中能操作
通报BULLETIN低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V，所述控制电路连接
这样可保持数据和时钟操作电池
化，直到有效恢复供电。
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M48T559Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
1.9k
设备
下
TEST
1k
图4.交流测试负载电路
5V
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
OUT
CL = 100pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01673
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.5V至5.5V ）
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
LRST （2）
I
CC
I
CC1
I
CC2 (3)
V
白细胞介素（4）
V
IH
V
OL
V
OH （ 6 ）
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
参数
输入漏电流
输出漏电流
输入漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压（ IRQ / FT ）
(5)
输出高电压
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
民
最大
±1
±5
100
50
10
7
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
–0.3
2.2
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -1mA
2.4
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
输出取消。
输入RESET引脚输入漏电流。
AD0 - AD7 ， AS0 ， AS1主动当E为高电平和V
CC
＆ GT ; V
PFD
.
-1V的负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
该IRQ引脚为漏极开路。
测量设置控制位如下：R = ' 1 ' ; W， ST ， FT =' 0 ' 。
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M48T559Y
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0 70℃ ）
符号
V
PFD
V
SO
t
DR （ 2 ）
参数
电源故障取消电压
备用电池切换电压
预计数据保存时间
7
民
4.2
典型值
4.35
3.0
最大
4.5
单位
V
V
岁月
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
2.在25 ℃。
表8.掉电/上AC特性
(T
A
= 0 70℃ ）
符号
t
PD
t
F (1)
t
FB （ 2 ）
t
R
t
RB
t
REC
参数
在V
IH
掉电前
V
PFD
（MAX）到V
PFD
（最小值）V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
SS
V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
PFD
（最大值）V
CC
上升时间
V
SS
到V
PFD
（最小值）V
CC
上升时间
V
PFD
（最大值） ，以RST高
民
0
300
10
10
1
40
200
最大
单位
s
s
s
s
s
ms
注：1， V
PFD
（MAX）到V
PFD
（分）落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生，直到V后为200ps
CC
密码
ES V
PFD
（最小值） 。
2. V
PFD
（分钟）至V
SS
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD （最大）
VPFD （分钟）
VSO
tF
TFB
tPD的
RST
TDR
TRB
TREC
tR
输入
认可
不关心
认可
高-Z
输出
有效
（每个控制输入）
有效
（每个控制输入）
AI01384D
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