M48T35
M48T35Y
256千位（32KB ×8 ） TIMEKEEPER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ，
实时时钟，电源失效控制
电路和电池
单字节宽 RAM一样随时访问
BCD码年份，月份，星期，日期，
小时，分钟和秒
频率测试输出实时
时钟
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48T35 ： 4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48T35Y ： 4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
28
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
s
28
1
s
1
s
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
s
独立电池和水晶
在CAPHAT DIP封装
SOIC封装提供直接
连接一SNAPHAT住房
包括电池和晶体
SNAPHAT
房屋（电池和
晶体）是可更换
引脚和功能兼容
JEDEC标准32Kb的X8的SRAM
图1.逻辑图
s
s
VCC
s
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
M48T35
M48T35Y
E
G
VSS
AI01620B
2000年2月
1/18
M48T35 ， M48T35Y
图2A 。 DIP连接
图2B中。 SOIC连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48T35 22
8 M48T35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01621B
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48T35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01622B
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
1级
工作环境温度
六年级
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
°C
°C
°C
V
V
mA
W
价值
0到70
单位
°C
注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
描述
该M48T35 / 35Y TIMEKEEPER
RAM是一个32Kb的
x8的非易失性静态RAM和实时时钟。该
单片芯片有两种特殊的packag-可用
西文提供一种高度集成的电池备份
存储器和实时时钟溶液。
该M48T35 / 35Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准32Kb的x8的
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。
28引脚600mil DIP CAPHAT的房子
M48T35 / 35Y硅与石英晶体和
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
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M48T35 ， M48T35Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
1.9k
设备
下
TEST
1k
5V
图4.交流测试负载电路
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
时钟单元包含年，月，日，
日，小时，分钟和秒以24小时的BCD换
垫子。更正为28 ， 29 （闰年） ，30和31
天月是自动进行的。字节7FF8H
是时钟控制寄存器。该字节的用户控制
访问时钟信息，并且还存储
时钟校准设置。
八个时钟字节并不是实际的时钟
反驳自己;它们的存储位置
由BiPORT的读/写的存储器单元。
该M48T35 / 35Y包括时钟控制电路
这与当前的Infor公司更新时钟字节
每秒息一次。该信息可以是
由用户以同样的方式作为任何访问
静态存储器阵列中的其它位置。
该M48T35 / 35Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据和时钟电池
操作直到有效恢复供电。
读取模式
该M48T35 / 35Y是在读取模式时
W（写使能）高， E（芯片使能）是
低。由15 AD-指定的唯一地址
礼服输入定义了的32,768字节1
的数据是要被访问。有效的数据将可用
能够在内部地址访问数据的I / O引脚
时间（t
AVQV
）后的最后一个地址输入信号是
稳定，提供了E和G存取时间
也SATIS网络版。
如果E和G的访问时间得不到满足，有效数据
将可用后片的后启用
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
访问时间（吨
ELQV
）或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
编前吨
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
.
如果在地址输入，而E和G改
保持活跃，输出数据将保持有效输出
把数据保持时间（t
AXQX
），但会indetermi-
内特 - 直到下一个地址访问。
写模式
该M48T35 / 35Y是在写模式时
W和E为低。写的开始被引用
从W或E. A中后期出现的下降沿
写为W的早期上升沿终止
或E的地址必须在整个召开有效
该循环。 或W必须返回高最少
的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写入恩
能之前的另一个开始读或写
周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前结束
的编写和保持有效吨
WHDX
之后。
应高保持在写周期，以避免
总线争用;虽然，如果输出总线具有
对E和G ，低W上被激活，由低
将禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
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M48T35 ， M48T35Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素（2）
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
民
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注：1，输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
V
PFD
V
SO
t
DR
参数
M48T35
电源故障取消电压
M48T35Y
备用电池切换电压
预计数据保存时间
（在25℃ ）
1级
六年级
10
(2)
10
(3)
4.2
4.35
3.0
4.5
V
V
岁月
岁月
民
4.5
典型值
4.6
最大
4.75
单位
V
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
2. CAPHAT和M4T32 - BR12SH1 SNAPHAT只， M4T28 - BR12SH1 SNAPHAT顶部吨
DR
= 7年（典型值） 。
3.使用较大M4T32 - BR12SH6 SNAPHAT顶部（推荐用于工业温度范围 - 6级设备） 。
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