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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2857页 > M48T35Y-70MH1TR
M48T35
M48T35Y
5V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER
SRAM
特点
■
■
■
■
■
■
集成，超低功耗SRAM ，实时
时钟，掉电控制电路和电池
单字节宽 RAM一样随时访问
BCD编码的年，月，星期，日期，小时，
分钟和秒
28
频率测试输出实时时钟
自动电源失效芯片取消和WRITE
保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48T35 ： V
CC
= 4.75 5.5V
– 4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48T35Y ： V
CC
= 4.5 5.5V
– 4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
1
PCDIP28 （PC）的
电池/水晶
CAPHAT
SNAPHAT （ SH ）
电池/水晶
■
■
自包含电池和晶体中的
CAPHAT DIP封装
SOIC封装提供了一个直接连接
SNAPHAT
含电池外壳和
水晶
SNAPHAT
壳体（电池和晶体）是
可更换
引脚和功能与JEDEC兼容
标准的32 KB ×8的SRAM
符合RoHS
- 无铅二级互连
28
1
■
■
■
SOH28 （ MH ）
2007年8月
第七版
1/29
www.st.com
1
目录
M48T35 M48T35Y
目录
1
2
概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
2.1
2.2
2.3
阅读模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
数据保持方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
3
时钟操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
读出时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
设置时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
停止和启动的振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
校准所述时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
世纪位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
V
CC
噪声和负向瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
4
5
6
7
8
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
包装机械的信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
2/29
M48T35 M48T35Y
表格清单
表格清单
表1中。
表2中。
表3中。
表4 。
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
表9 。
表10 。
表11 。
表12 。
表13 。
表14 。
表15 。
表16 。
表17 。
表18 。
表19 。
信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
阅读模式的交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
寄存器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
电力向下/向上AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
电力向下/向上跳变点的直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
SOH28 - 28引脚塑料SO ， 4插槽电池SNAPHAT ，包装机械数据。 。 。 22
SH - 4针SNAPHAT住房48mAh电池&水晶，包装机械数据。 。 23
SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&水晶，包装机械数据。 24
PMDIP28 - 28引脚塑料DIP ，混合，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
订购信息方案。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
SNAPHAT电池表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
3/29
图列表
M48T35 M48T35Y
图列表
图1 。
图2中。
网络连接gure 3 。
图4中。
图5中。
图6 。
图7 。
网络连接gure 8 。
图9 。
网络连接gure 10 。
图11 。
图12 。
图13 。
图14 。
图15 。
图16 。
图17 。
逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
DIP连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
SOIC连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
阅读模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
写使能控制的，写的交流波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
芯片使能控制的，写的交流波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
在整个温度范围晶体精度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
时钟校准。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
电源电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
掉电/模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
SOH28 - 28引脚塑料小外形， 4插槽电池SNAPHAT ，封装外形。 。 。 。 22
SH - 4针SNAPHAT住房48mAh电池&晶，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&晶，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
PMDIP28 - 28引脚塑料DIP ，混合型，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
4/29
M48T35 M48T35Y
概要说明
1
概要说明
该M48T35 / Y TIMEKEEPER
RAM为32KB的×8非易失性静态RAM和实时
时钟。单片芯片有两种特殊的封装，提供一个高度集成的
电池备份存储器和实时时钟溶液。
该M48T35 / Y是等效的非挥发性引脚和功能的任何JEDEC标准32Kb的X
8 SRAM 。它也很容易适应许多ROM，EPROM，和EEPROM的插座，提供了
PROM的非挥发性不具备在特殊的写时序或限制任何要求
可以进行的写操作的数目。
28引脚， 600mil DIP CAPHAT设有一个石英晶体和在M48T35 / Y硅
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚， 330mil SOIC插座提供镀金触点两端直接
连接到一个单独的SNAPHAT
住房包含电池和晶体。该
独特设计允许装在SOIC封装顶部的SNAPHAT电池包
包装完成表面贴装后的过程。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池和晶体的损害由于高
所需的设备表面安装温度。该SNAPHAT外壳键入到
防止反向插入。该SOIC和电池/晶体封装在单独装运
塑料防静电管或磁带&卷轴形式。
对于28引脚SOIC封装，电池/水晶包（例如， SNAPHAT ），产品编号为“ M4T28-
BR12SH “ （见
表18第27页） 。
图1 。
逻辑图
VCC
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M48T35
M48T35Y
VSS
AI01620B
5/29
M48T35
M48T35Y
256千位（32KB ×8 ） TIMEKEEPER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ，
实时时钟，电源失效控制
电路和电池
单字节宽 RAM一样随时访问
BCD码年份，月份，星期，日期，
小时，分钟和秒
频率测试输出实时
时钟
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48T35 ： 4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48T35Y ： 4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
28
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
s
28
1
s
1
s
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
s
独立电池和水晶
在CAPHAT DIP封装
SOIC封装提供直接
连接一SNAPHAT住房
包括电池和晶体
SNAPHAT
房屋（电池和
晶体）是可更换
引脚和功能兼容
JEDEC标准32Kb的X8的SRAM
图1.逻辑图
s
s
VCC
s
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
M48T35
M48T35Y
E
G
VSS
AI01620B
2000年2月
1/18
M48T35 ， M48T35Y
图2A 。 DIP连接
图2B中。 SOIC连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48T35 22
8 M48T35Y 21
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01621B
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M48T35Y
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01622B
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
1级
工作环境温度
六年级
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
°C
°C
°C
V
V
mA
W
价值
0到70
单位
°C
注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
描述
该M48T35 / 35Y TIMEKEEPER
RAM是一个32Kb的
x8的非易失性静态RAM和实时时钟。该
单片芯片有两种特殊的packag-可用
西文提供一种高度集成的电池备份
存储器和实时时钟溶液。
该M48T35 / 35Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准32Kb的x8的
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。
28引脚600mil DIP CAPHAT的房子
M48T35 / 35Y硅与石英晶体和
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
2/18
M48T35 ， M48T35Y
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
图3.框图
振荡器和
时钟链
32,768赫兹
水晶
动力
8×8 BiPORT
SRAM阵列
A0-A14
32,760 x 8
SRAM阵列
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
VPFD
DQ0-DQ7
E
W
G
VCC
VSS
AI01623
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池和晶体。独特的设计
允许SNAPHAT电池包要
安装在SOIC封装的后上方
在表面完成安装过程。插入不正
化的SNAPHAT住房后，再流焊前
通风口潜在的电池和晶体造成的损害
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。该SOIC和电池/ crys-
TAL包在塑料抗单独装运
静态管或磁带&卷轴形式。
对于28引脚SOIC封装，电池/水晶包
（即SNAPHAT ）号码是"M4T28-
BR12SH1".
如图3所示，静态存储器阵列和
的石英控制的时钟振荡器
M48T35 / 35Y都集成在一个硅芯片上。
这两个电路被互连在上
八个内存位置，以提供用户可访问
与AD-字节单字节宽，时钟信息
礼服7FF8H 7FFFH 。
3/18
M48T35 ， M48T35Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
1.9k
设备
下
TEST
1k
5V
图4.交流测试负载电路
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
时钟单元包含年，月，日，
日，小时，分钟和秒以24小时的BCD换
垫子。更正为28 ， 29 （闰年） ，30和31
天月是自动进行的。字节7FF8H
是时钟控制寄存器。该字节的用户控制
访问时钟信息，并且还存储
时钟校准设置。
八个时钟字节并不是实际的时钟
反驳自己;它们的存储位置
由BiPORT的读/写的存储器单元。
该M48T35 / 35Y包括时钟控制电路
这与当前的Infor公司更新时钟字节
每秒息一次。该信息可以是
由用户以同样的方式作为任何访问
静态存储器阵列中的其它位置。
该M48T35 / 35Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据和时钟电池
操作直到有效恢复供电。
读取模式
该M48T35 / 35Y是在读取模式时
W（写使能）高， E（芯片使能）是
低。由15 AD-指定的唯一地址
礼服输入定义了的32,768字节1
的数据是要被访问。有效的数据将可用
能够在内部地址访问数据的I / O引脚
时间（t
AVQV
）后的最后一个地址输入信号是
稳定，提供了E和G存取时间
也SATIS网络版。
如果E和G的访问时间得不到满足，有效数据
将可用后片的后启用
OUT
CL = 100pF的或5pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01030
访问时间（吨
ELQV
）或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
编前吨
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
.
如果在地址输入，而E和G改
保持活跃，输出数据将保持有效输出
把数据保持时间（t
AXQX
），但会indetermi-
内特 - 直到下一个地址访问。
写模式
该M48T35 / 35Y是在写模式时
W和E为低。写的开始被引用
从W或E. A中后期出现的下降沿
写为W的早期上升沿终止
或E的地址必须在整个召开有效
该循环。 或W必须返回高最少
的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写入恩
能之前的另一个开始读或写
周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前结束
的编写和保持有效吨
WHDX
之后。
应高保持在写周期，以避免
总线争用;虽然，如果输出总线具有
对E和G ，低W上被激活，由低
将禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
4/18
M48T35 ， M48T35Y
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25 °C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：在使用5V电源测量1.有效电容。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.输出取消。
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素（2）
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
民
最大
±1
±5
50
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注：1，输出取消。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85 ℃）
符号
V
PFD
V
SO
t
DR
参数
M48T35
电源故障取消电压
M48T35Y
备用电池切换电压
预计数据保存时间
（在25℃ ）
1级
六年级
10
(2)
10
(3)
4.2
4.35
3.0
4.5
V
V
岁月
岁月
民
4.5
典型值
4.6
最大
4.75
单位
V
注意事项：1.参考V所有电压
SS
.
2. CAPHAT和M4T32 - BR12SH1 SNAPHAT只， M4T28 - BR12SH1 SNAPHAT顶部吨
DR
= 7年（典型值） 。
3.使用较大M4T32 - BR12SH6 SNAPHAT顶部（推荐用于工业温度范围 - 6级设备） 。
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