M48T35AY

M48T35AV

256千位（32KB ×8 ） TIMEKEEPER

SRAM

s

集成超低功耗SRAM ，

实时时钟，电源失效控制

电路和电池

单字节宽 RAM一样随时访问

BCD码年份，月份，星期，日期，

小时，分钟和秒

电池电量不足标志（ BOK ）

频率测试输出实时

时钟

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48T35AY ： 4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48T35AV ： 2.7V

≤

V

PFD

≤

3.0V

SNAPHAT （ SH ）

电池/水晶

s

s

s

s

28

28

1

1

s

s

SOH28 （ MH ）

PCDIP28 （PC）的

电池/水晶

CAPHAT

s

独立电池和水晶

在CAPHAT DIP封装

SOIC封装提供直接

连接一SNAPHAT住房

包括电池和晶体

SNAPHAT

房屋（电池和

晶体）是可更换

引脚和功能兼容

JEDEC标准32Kb的X8的SRAM

图1.逻辑图

s

VCC

s

15

A0-A14

8

DQ0-DQ7

s

描述

该M48T35AY / 35AV TIMEKEEPER

RAM是一

32KB ×8非易失性静态RAM和实时

时钟。单片芯片有两种spe-

CIAL包提供一种高度集成的BAT-

tery备份存储器和实时时钟

的解决方案。

该M48T35AY / 35AV是一个非易失性销和

等同于任何JEDEC标准32Kb的功能

X8 SRAM 。它也可轻松放入很多的ROM ，

EPROM和EEPROM的插座，提供了

PROM的非挥发性无任何要求

对于在一些特别的写定时或限制

的写操作可被执行。

W

E

G

M48T35AY

M48T35AV

VSS

AI02797B

2000年5月

1/19

M48T35AY ， M48T35AV

图2A 。 DIP连接

图2B中。 SOIC连接

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

28

1

27

2

26

3

25

4

24

5

23

6

7 M48T35AY 22

8 M48T35AV 21

20

9

19

10

18

11

17

12

13

16

14

15

AI02798B

VCC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

2

3

4

5

6

7 M48T35AY

8 M48T35AV

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

AI02799

表1.信号名称

A0-A14

DQ0-DQ7

E

G

W

V

CC

V

SS

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

28引脚600mil DIP CAPHAT 的房子

M48T35AY / 35AV硅与石英晶体和

长寿命锂锰扣式电池在单个封装中。

28引脚330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT壳体载

荷兰国际集团的电池和晶体。独特的设计

允许SNAPHAT电池包要

安装在SOIC封装的后上方

在表面完成安装过程。插入不正

化的SNAPHAT住房后，再流焊前

通风口潜在的电池和晶体造成的损害

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

该SOIC和电池/水晶包

分别在塑料防静电管或运

磁带&卷轴形式。

对于28引脚SOIC封装，电池/水晶包

（即SNAPHAT ）号码是"M4T28-

BR12SH1".

如图3所示，静态存储器阵列和

的石英控制的时钟振荡器

M48T35AY / 35AV都集成在一个硅

芯片。这两个电路互连的向上

每8个存储位置，以提供用户存取权限

在字节sible单字节宽时钟信息

与地址7FF8H 7FFFH 。

时钟单元包含年，月，日，

日，小时，分钟和秒以24小时的BCD换

垫子。更正为28 ， 29 （闰年） ，30和31

天月是自动进行的。字节7FF8H

是时钟控制寄存器。该字节的用户控制

访问时钟信息，并且还存储

时钟校准设置。

2/19

M48T35AY ， M48T35AV

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

T

A

T

英镑

T

SLD （2）

V

IO

参数

1级

工作环境温度

六年级

存储温度（V

CC

关闭，振荡器关闭）

无铅焊锡温度为10秒

M48T35AY

输入或输出电压

M48T35AV

M48T35AY

V

CC

I

O

P

D

电源电压

M48T35AV

输出电流

功耗

-0.3 4.6

20

1

V

mA

W

-0.3 4.6

-0.3 7

V

V

-40到85

-40到85

260

-0.3 7

°C

°C

°C

V

价值

0到70

单位

°C

注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力

只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响

可靠性。

2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

表3.操作模式

(1)

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

SO

到V

PFD

（分钟）

(2)

≤

V

SO

4.5V至5.5V

or

3.0V至3.6V

V

CC

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ0-DQ7

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

注：1，X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

2.请参阅表7的详细信息。

八个时钟字节并不是实际的时钟

反驳自己;它们的存储位置

由BiPORT 的读/写的存储器单元。

该M48T35AY / 35AV包括时钟控制税务局局长

CUIT的更新时钟字节与当前IN-

形成每秒一次。该信息可

可以由用户以同样的方式作为访问

静态存储器阵列中的任何其他位置。

该M48T35AY / 35AV也有自己的电源失效

检测电路。控制电路不断MON-

itors单5V电源为出公差

条件。当V

CC

是出公差，电路

写保护的SRAM ，从而提供了高度

在不可预知系的中间数据安全

TEM操作以低V带来的

CC

。由于V

CC

瀑布

约低于3V时，控制电路CON-

nects这样可保持数据和时钟电池

操作直到有效恢复供电。

3/19

M48T35AY ， M48T35AV

图3.框图

振荡器和

时钟链

32,768赫兹

水晶

动力

8×8 BiPORT

SRAM阵列

A0-A14

32,760 x 8

SRAM阵列

锂

CELL

电压检测

和

开关

电路

VPFD

DQ0-DQ7

E

W

G

VCC

VSS

AI01623

读取模式

该M48T35AY / 35AV是在读取模式而当时─

以往W（写使能）高， E（芯片使能）

是低的。由15 AD-指定的唯一地址

礼服输入定义了的32,768字节1

的数据是要被访问。有效的数据将可用

能够在内部地址访问数据的I / O引脚

时间（t

AVQV

）后的最后一个地址输入信号是

稳定，提供了E和G存取时间

也SATIS网络版。

如果E和G的访问时间得不到满足，有效数据

将可用后片的后启用

访问时间（吨

ELQV

）或输出启用访问时间

(t

GLQV

).

八三态数据I / O信号的状态

用E和G的控制。如果输出是activat-

编前吨

AVQV

中，数据线将被驱动至

不确定的状态，直到吨

AVQV

。如果该地址在 -

看跌期权被改变，而E和G保持活跃，

输出数据的有效期为输出数据保持

时间（t

AXQX

），但走不定，直到下一

地址访问。

写模式

该M48T35AY / 35AV是在写模式当时─

以往W和E为低。一撇一开始是为参考

从W的后者发生的下降沿转制或

E.写由早期的上升沿终止

W或E的地址必须保持有效

整个周期。 或W必须返回高电平

最小的t

EHAX

从芯片使能或T

WHAX

从写使能之前，另一个开始

读或写周期。输入数据必须是有效的吨

DVWH

之前写的结尾，并保持有效吨

WHDX

之后。摹应保持在写赛扬高

克莱斯以避免总线争用;虽然，如果输出

公交车已经在E和G ，低启动由低

W上会禁用输出吨

WLQZ

后W跌倒。

4/19

M48T35AY ， M48T35AV

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

5ns

0至3V

1.5V

设备

下

TEST

645

图4.交流测试负载电路

注意，输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

数据保持方式

凭有效V

CC

应用时， M48T35AY / OP- 35AV

erates作为一个传统的单字节宽，静态RAM 。

如果电源电压衰减时， RAM将非盟

tomatically电源故障取消，写保护它 -

自当V

CC

属于内伏

PFD

（最大） ， VPFD

（分钟）窗口。所有输出变为高阻

ANCE ，并且所有的输入都被视为"don't care."

注意：

在写周期，电源故障可能cor-

在中断当前数据处理的位置，但

不危及RAM的其余内容。

在低于V的电压

PFD

（分钟）中，用户可以AS-

受益匪浅。内存将是在写保护状态，

所提供的V

CC

下降时间不大于吨以下

F

。该

M48T35AY / 35AV可以瞬时噪声回应

在V尖峰

CC

该伸入取消选择窗口

在当时的设备采样V

CC

。 There-

脱颖而出，电源线的去耦是消遣

ommended 。

当V

CC

低于V

SO

中，控制电路

开关电源内部的电池，预

提供的数据和权力的时钟。内部

扣式电池将保持的数据在M48T35AY /

35AV了至少7年积累的时期

当V

CC

小于V

SO

。由于系统电源重新

原来和V

CC

上升超过V

SO

，电池显示

连接，并在电源被切换到

外部V

CC

。写保护一直持续到V

CC

达到V

PFD

（分）加吨

REC

（分钟）。 ê应

保持较高的V

CC

上升超过V

PFD

（分钟），以防止

无意写周期之前的处理器stabili-

矩阵特殊积。正常RAM操作就可以恢复吨

REC

经过V

CC

超过V

PFD

（最大值）。

另外，为V

CC

上升时，电池电压被选中。

如果电压低于约2.5V，一个

内置电池不正常（ BOK ）标志将被置位。该

BOK标志可以加电后进行检查。如果

BOK标志被设置，在第一写入尝试将

受阻。该标志后自动清零

第一次写，和正常的RAM运行恢复。

CL = 100pF的

（或5pF的）

1.75V

CL INCLUDES夹具电容

AI02586

图9显示了BOK常规检查怎么可能

的结构。

有关电池的贮存寿命的更多信息请参考

应用笔记AN1012 。

小时运营

读时钟

更新到TIMEKEEPER寄存器应

时钟数据之前，停止读取，以防止阅读

转型期的数据。由于BiPORT时间 -

咸细胞RAM阵列中只有数据稳压

存器，而不是实际的时钟计数器，更新

该寄存器可以不干扰被停止

时钟本身。

当“1”被写入到更新被中止

读位， D6在控制寄存器7FF8H 。如

只要一个'1'保持在该位置上，更新是

叫停。

发出停止后，寄存器反映

计数;即，星期，日，而且是在时间

目前在此刻halt命令是是 -

起诉。

所有的TIMEKEEPER寄存器被更新Si-所示

multaneously 。一个暂停不会中断更新中

进展情况。更新内的比特之后的第二

被复位为“0” 。

5/19

M48T35AY

M48T35AV

5.0或3.3V ， 256千位（ 32 KB ×8 ） TIMEKEEPER

SRAM

功能摘要

■

■

■

■

■

■

■

■

■

■

■

集成，超低功耗SRAM ，

实时时钟，掉电

控制电路和电池

单字节宽 RAM一样随时访问

BCD码年份，月份，星期，日期，

小时，分钟和秒

电池电量不足标志（ BOK ）

频率测试输出FOR REAL

实时时钟

自动电源失效芯片

DESELECT和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48T35AY ： V

CC

= 4.5 5.5V

4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48T35AV ： V

CC

= 3.0 3.6V

2.7V

≤

V

PFD

≤

3.0V

独立电池和

晶体中的CAPHAT DIP

包

SOIC封装提供直接

Connection中为SNAPHAT

房屋包括电池

和水晶

SNAPHAT

房屋（电池和

晶体）是可更换

引脚和功能兼容

JEDEC标准32Kb的X8的SRAM

图1. 28引脚， PCDIP CAPHAT 封装

28

1

PCDIP28 （PC）的

电池/水晶

CAPHAT

图2. 28引脚SOIC封装

SNAPHAT （ SH ）

电池/水晶

28

1

SOH28 （ MH ）

2004年4月

1/25

M48T35AY ， M48T35AV

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1. 28引脚， PCDIP CAPHAT 封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图2. 28引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

网络连接gure 3 。

表1中。

图4中。

图5中。

图6 。

逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

DIP连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

SOIC连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

.......

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

......

.......

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

......

......

......

......

......

......

.....4

.....4

.....5

.....5

.....5

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

表2.操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

图7.读模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

表3.读模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图8.写使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图9.芯片使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表4.写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

图10.Checking的BOK标志状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

时钟操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

读时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

设置时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

停止和启动的振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表5.寄存器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

校准时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

世纪位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

图11.Crystal精度在整个温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

图12.Clock校准。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

V

CC

噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

图13.Supply电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

表6.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表7.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

图14.AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

表8.电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

表9.直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

......

......

......

......

......

......

......

......

. . . . 16

. . . . 16

. . . . 16

. . . . 17

2/25

M48T35AY ， M48T35AV

图15.Power向下/向上模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

表10.掉电/上交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

表11.掉电/上触发点DC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

图16.PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

表12. PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 19

图17.SOH28 - 28引脚塑料小外形， 4插槽电池SNAPHAT ，封装外形。 20

表13. SOH28 - 28引脚塑料小外形， 4插槽电池SNAPHAT ，包。机甲。数据20

图18.SH - 4针SNAPHAT房屋为48mAh电池&水晶，包装外形。 。 。 。 。 。 。 21

表14. SH - 4针SNAPHAT房屋为48mAh电池&水晶，包装机甲。数据。 。 。 。 21

图19.SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&水晶，包装外形。 。 。 。 。 。 22

表15. SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&水晶，包装机甲。数据。 。 。 22

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

表16.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

表17. SNAPHAT电池表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

表18.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

3/25

M48T35AY ， M48T35AV

概要说明

该M48T35AY / V TIMEKEEPER

RAM是一个32Kb的

×8非易失性静态RAM和实时时钟。

单片芯片有两种特殊的

包以提供一个高度集成的电池

备份存储器和实时时钟溶液。

该M48T35AY / V是一种非易失性销和功能

等同于任何JEDEC标准32Kb的×8和灰

SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，

和EEPROM插座，提供所述非挥发性

PROM中没有特殊的任何规定，

对数写入时序或限制

写入可被执行。

28引脚， 600mil DIP CAPHAT 的房子

M48T35AY / V芯片与石英晶体和

长寿命锂纽扣电池在单个封装中。

28引脚， 330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT

住房CON-

泰宁电池和晶体。独特的设计

允许SNAPHAT电池包要

安装在SOIC封装的后上方

在表面完成安装过程。插入不正

化的SNAPHAT住房后，再流焊前

通风口潜在的电池和晶体造成的损害

所需的高温对设备surface-

安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预

发泄反向插入。

该SOIC和电池/水晶包

分别在塑料防静电管或运

磁带&卷轴形式。

对于28引脚SOIC封装，电池/水晶包

（例如SNAPHAT ），产品编号为“ M4T28 ， BR12SH ”

（见

表17 ，第23页） 。

图3.逻辑图

VCC

表1.信号名称

A0-A14

DQ0-DQ7

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

15

A0-A14

8

DQ0-DQ7

E

G

W

E

G

M48T35AY

M48T35AV

W

V

CC

V

SS

VSS

AI02797B

4/25

M48T35AY ， M48T35AV

图4. DIP连接

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

28

2

27

3

26

4

25

5

24

6

23

7 M48T35AY 22

8 M48T35AV 21

9

20

10

19

11

18

12

17

13

16

14

15

AI02798B

图5. SOIC连接

VCC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

2

3

4

5

6

7 M48T35AY

8 M48T35AV

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

AI02799

图6.框图

振荡器和

时钟链

32,768赫兹

水晶

动力

8×8 BiPORT

SRAM阵列

A0-A14

32,760 x 8

SRAM阵列

锂

CELL

电压检测

和

开关

电路

VPFD

DQ0-DQ7

E

W

G

VCC

VSS

AI01623

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