M48T212A
3.3V TIMEKEEPER
调节器
初步数据
s
转换成低功耗SRAM INTO
NVRAMs
符合2000年(四位数年份)
采用超电容器或锂
电池(用户自备)
BATTERY LOW标志
集成实时时钟,
电源失效控制电路
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
看门狗定时器
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压) :
- M48T212A : 2.7V
≤
V
PFD
≤
3.0V
微处理器上电复位
可编程报警输出有效
在电池备份模式
4
A0-A3
A
E
EX
W
G
WDI
RSTIN1
RSTIN2
X0
XI
M48T212A
IRQ / FT
RST
E1CON
E2CON
VCCSW
VOUT
s
s
s
s
44
1
SOH44 ( MH )
s
s
s
s
s
图1.逻辑图
VCC
VCAP
描述
该M48T212A是在 - 一个自包含的设备
附有实时时钟(RTC) ,可编程
报警器,看门狗定时器和两个外部芯片
使能输出可提供多达四个的控制
(两个平行的)外部的低功耗静态RAM 。
内置的32.768 kHz振荡器(外部晶振
控制)是用于时钟/日历功能。
访问所有TIMEKEEPER功能和EX-
ternal RAM是与常规的相同字节宽
SRAM 。 16 TIMEKEEPER寄存器提供
世纪,年,月,日,星期,时,分,
其次,控制,校准,报警器,看门狗,
和标志。外部连接的静态RAM是
通过E1的M48T212A控制
CON
和
E2
CON
信号(见表4) 。
自动备份和写保护的EX-
ternal SRAM通过V提供
OUT
, E1
CON
和E2
CON
销。 (用户务必保证
电压规格,同时为控制芯片
和外部SRAM选择,都差不多) 。
8
DQ0-DQ7
VSS
VBAT-
AI03047
2000年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/20
M48T212A
图2. SOIC连接
表1.信号名称
A0-A3
DQ0-DQ7
XO
地址输入
数据输入/输出
振荡器输出
振荡器输入
复位1输入
复位输入2
复位输出(开漏)
看门狗输入
银行选择输入
芯片使能输入
外部芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
RAM芯片使能输出1
RAM芯片使能输出2
INT /频率测试输出(开漏)
V
CC
开关输出
电源电压输出
超级电容输入
蓄电池接地引脚(可选)
电源电压
地
在内部没有连接
RSTIN1
RSTIN2
RST
NC
XO
XI
NC
NC
A
NC
NC
NC
A3
A2
A1
A0
WDI
E2CON
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
44
1
43
2
3
42
4
41
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
34
11
M48T212A
33
12
32
13
31
14
30
15
29
16
28
17
27
18
26
19
25
20
24
21
23
22
AI03048
VCC
VOUT
VCCSW
IRQ / FT
EX
NC
NC
NC
NC
NC
G
W
VBAT-
NC
E
E1CON
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VCAP
XI
RSTIN1
RSTIN2
RST
WDI
A
E
EX
G
W
E1
CON
E2
CON
IRQ / FT
VCCSW
V
OUT
V
帽
V
BAT =
V
CC
V
SS
NC
锂能源(或超级电容器)
使用永久供电实时时钟是
还用于保留RAM数据在无
V
CC
通过V电源
OUT
引脚。
芯片使能输出到RAM( E1
CON
和
E2
CON
)在电源瞬变控制
防止数据损坏。日期是自动
为个月,少于31天调整
修正闰年。内部看门狗时序
呃提供可编程的报警窗口。
九个时钟字节( Fh的 - 部9h和1小时)是不
实际的时钟计数器,它们的存储位置
由BiPORT的
TM
读/写存储器单元
静态RAM阵列中。时钟电路上调
日期时钟字节与当前的信息,一旦
每秒。该信息可以由被访问
以相同的方式与任何其他位置处的用户
在静态存储器阵列。
字节是8小时的时钟控制寄存器。该字节CON-
到时钟信息,并且还trols用户访问
存储时钟校准设置。字节7H CON-
2/20
包括作为看门狗定时器的设置。看门狗
时可产生复位或中断,
根据看门狗督导的状态
位( WDS ) 。字节6H - 2H包括,亲当位
编程,提供了时钟闹铃功能。
报警被激活时,寄存器内容
相匹配的月,日,小时,分钟,和
时钟寄存器秒。字节包含1小时
世纪的信息。字节0H包含其他
关于看门狗定时器标志信息,
报警和电池状态。
该M48T212A也有自己的电源失效DE-
TECT电路。该控制电路不断MONI-
器的电源电压是否超出公差
条件。当V
CC
是出公差,电路
写保护TIMEKEEPER寄存器和数据
外部SRAM ,在提供数据安全
中间不可预测的系统操作。由于V
CC
跌倒时,控制电路会自动切换到
电池,保持数据和时钟操作
直到有效恢复供电。
M48T212A
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD (2)
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
关闭,振荡器关闭)
无铅焊锡温度,持续10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
价值
0到70
-55至125
260
-0.3 4.6
-0.3 4.6
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
注: 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚,而在电池备份模式。
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
3.0V至3.6V
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
(2)
≤
V
SO(2)
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
X
X
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
活跃
活跃
CMOS待机
备用电池
V
CC
E
V
IH
V
IL
G
X
X
W
X
V
IL
DQ7-DQ0
高-Z
D
IN
动力
待机
活跃
注:1,X = V
IH
或V
IL
.
2. V
SO
=电池备份切换电压。 (见表7的详细信息) 。
表4.真值表的SRAM存储区选择
(1)
模式
SELECT
3.0V至3.6V
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
(2)
≤
V
SO(2)
低
高
X
X
高
X
X
X
高
高
高
高
低
高
高
高
活跃
待机
CMOS待机
备用电池
V
CC
EX
低
A
低
E1
CON
低
E2
CON
高
动力
活跃
注:1,X = V
IH
或V
IL
.
2. V
SO
=电池备份切换电压。 (见表7的详细信息) 。
3/20
M48T212A
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫)
符号
C
IN
C
出(2)
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
2.输出取消。
表7.直流特性
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 3V至3.6V )
符号
I
李(1,2)
I
LO ( 1 )
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
BAT
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
OHB ( 4 )
I
OUT1的(5)
I
OUT2
V
PFD
V
SO
V
BAT
V
帽
注: 1 。
2.
3.
4.
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
电池电流OSC开
电池电流OSC关闭
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压(漏极开路)
(3)
输出高电压
V
OH
备用电池
V
OUT
当前(活动)
V
OUT
电流(电池备份)
电源故障取消电压
备用电池切换电压
电池电压
电容电压
(6)
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
–0.2
民
典型值
最大
±1
±1
单位
A
A
mA
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
V
4
10
3
2
575
800
100
–0.3
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -1.0mA
I
OUT2
= –1.0A
V
OUT1
& GT ; V
CC
–0.3
V
OUT2
& GT ; V
BAT
–0.3
2.7
2.9
V
PFD
–100mV
3.0
V
CC
2.4
2.0
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
3.6
70
100
3.0
V
mA
A
V
V
V
V
输出取消。
RSTIN1和RSTIN2内部上拉至V
CC
通过100KΩ电阻。 WDI内部上拉下来到V
SS
通过100KΩ电阻。
对于IRQ / FT & RST引脚(漏极开路) 。
空调的输出( E1
CON
- E2
CON
)只能维持在电池备份模式CMOS漏电流。更高的泄漏电流
租金会降低电池寿命。
5.外部SRAM必须匹配TIMEKEEPER控制芯片V
CC
特定连接的阳离子。
6.当充满电。
5/20