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M48T129Y
M48T129V
3.3V - 5V 1兆位( 128KB ×8 ) TIMEKEEPER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ,
实时时钟,电源失效控制
电路,电池和水晶
2000年就绪
BCD编码的世纪,年,月,
星期,日期,小时,分钟,
电池电量不足警告标志
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
两个写保护的电压:
(V
PFD
=电源故障取消电压)
- M48T129Y : 4.2V
V
PFD
4.5V
- M48T129V : 2.7V
V
PFD
3.0V
32
1
s
s
s
s
PMDIP32 (PM)的
模块
SNAPHAT ( SH )
电池
s
s
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
软件控制的时钟
校准高精度
应用
10年的数据保存和时钟的
在没有电源的操作
自包含电池和晶体
在DIP封装
微处理器上电复位
(有效的,即使在电池备份模式)
可编程报警输出有效
在电池备份模式
表面贴装芯片组封装
包括一个44引脚SOIC和32引脚
TSOP ( SNAPHAT TOP需订购
另发)
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
SNAPHAT
外壳( BATTERY / CRYSTAL )
可更换
VSS
AI02260
s
TSOP32
(8× 20毫米)
SOH44
s
表面贴装芯片组解决方案( CS )
s
图1.逻辑图
VCC
s
s
17
A0-A16
W
E
G
M48T129Y
M48T129V
8
DQ0-DQ7
RST
IRQ / FT
s
s
s
2000年4月
1/22
M48T129Y , M48T129V
图2. DIP连接
表1.信号名称
A0-A16
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
复位输出(开漏)
中断/频率测试输出
(漏极开路)
电源电压
RST
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8 M48T129Y 25
9 M48T129V 24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI02261
VCC
A15
IRQ / FT
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ0-DQ7
E
G
W
RST
IRQ / FT
V
CC
V
SS
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度(V
CC
关闭,振荡器关闭)
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
M48T129Y
M48T129V
价值
0到70
-40到85
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 7.0
-0.3 4.6
20
1
单位
°C
°C
V
V
V
mA
W
注: 1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃,10秒(总热预算不超过150℃的时间超过30秒)。
注意事项:
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚,而在电池备份模式。
描述
该M48T129Y / V TIMEKEEPER RAM是128KB
×8非易失性静态RAM和实时时钟,
带有可编程报警和看门狗定时器。
特殊的DIP封装提供了一个完全integrat-
编电池后备存储器和实时时钟所谓
(分辨率)。该M48T129Y / V直接替代产业
标准的128KB ×8 SRAM 。它也提供了
Flash的非挥发性无任何要求
上的数量特别写定时或限制
写入可被执行。
表面贴装环境ST提供
芯片组解决方案包括一个44引脚330mil
SOIC TIMEKEEPER主管( M48T201V / Y)
和32引脚TSOP ( 8× 20毫米) LPSRAM
( M68Z128 / W)的包。
44引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。
独特的设计使电池SNAPHAT
要安装在所述的SOIC封装的顶部包
在完成表面的年龄后,装入亲
2/22
M48T129Y , M48T129V
图3.框图
振荡器和
时钟链
32,768赫兹
水晶
动力
16 x 8
TIMEKEEPER
注册
RST
IRQ / FT
A0-A16
CELL
电压检测
开关
电路
VPFD
131,056 x 8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
E
W
G
VCC
VSS
AI02583
塞斯。后插入SNAPHAT住房
回流防止由于潜在的电池损坏
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计,预
发泄反向插入。
该SNAPHAT电池包运另行
得非常好塑料防静电管或带卷&
形式。该产品编号为“ M4Txx - BR12SH1 ” 。
32引脚600密耳DIP混合动力拥有一个控制器
芯片,SRAM,石英晶体,和一个长寿命的锂
钮扣电池在单个封装中。
图3示出的静态存储器阵列和
石英控制的时钟振荡器。在某些地区的时钟
系统蒸发散包含世纪,年,月,日,星期,
小时,分钟,和秒以24小时BCD格式。
更正为28 , 29 (闰年) , 30 ,和31天
月均自动进行。这九个时钟
字节( 1FFFFH - 1FFF9h和1FFF1h )是不
实际的时钟计数器,它们的存储位置
由BiPORT 读/写存储器单元
静态RAM阵列中。
该M48T129Y / V包括一个时钟控制电路
这与当前的Infor公司更新时钟字节
每秒息一次。该信息可以是
由用户以同样的方式作为任何访问
静态存储器阵列中的其它位置。字节
1FFF8h是时钟控制寄存器。该字节CON-
到时钟信息,并且还trols用户访问
存储时钟校准设置。
字节1FFF7h包含看门狗定时器设置。
看门狗定时器可产生复位或
中断,这取决于Watch-的状态
狗督导位( WDS ) 。字节1FFF6h - 1FFF2h IN-
CLUDE位,当编程时,为
时钟闹铃功能。报警被激活
当寄存器内容的一个月匹配,
日期,小时,分钟,以及在时钟的秒
寄存器。字节1FFF1h包含世纪信息
化。字节1FFF0h包含附加信息的标志
化有关的看门狗定时器,报警器
状态和电池状态。该M48T129Y / V
也有自己的电源失效检测电路。这
控制电路持续监控电源
电压是否超出公差情况。当
V
CC
是出公差,电路写保护
计时员寄存器数据和外部
在非中间SRAM ,提供数据安全
可预测的系统操作。由于V
CC
瀑布,
控制电路会自动切换到电池盒盖
tery ,保持数据和时钟的操作,直到
有效恢复供电。
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M48T129Y , M48T129V
图4.硬件联播的SMT贴片套装
(1)
SNAPHAT
(3)
电池/水晶
A0-A16
32,768赫兹
水晶
VOUT
0.1F
5V
CELL
M48T201Y/V
(2)
A0-A16
VCC
VCC
0.1F
E
W
G
WDI
RSTIN1
RSTIN2
VSS
GCON
RST
IRQ / FT
SQW
DQ0-DQ7
ECON
E
W
G
M68Z128/W
(2)
VSS
DQ0-DQ7
AI03632
注: 1。对于引脚连接,请参阅单独的数据表M48T201Y / V和M68Z128 / W在www.st.com 。
2. 5V , M48T129Y ( M48T201Y + M68Z128 ) 。对于3.3V , M48T129V ( M48T201V + M68Z128W ) 。
3. SNAPHAT顶部单独订购。
读取模式
该M48T129Y / V在读模式时
W(写使能)高, E(芯片使能)是
低。由17 AD-指定的唯一地址
礼服输入定义131,072的哪一个
数据的字节将被访问。有效数据将被
内吨可从数据I / O引脚
AVQV
( AD-
最后一个地址后输入打扮访问时间)
信号稳定,提供E和G接入
时间还纳。如果E和G接入
时间得不到满足,有效数据将是可用的后
该芯片的后者允许访问时间(T
ELQV
)
或输出启用访问时间(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
编前吨
AVQV
中,数据线将被驱动至
不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变,而E和G保持活跃,
输出数据的有效期为吨
AXQX
( OUTPUT
数据保持时间),但会不确定,直到
下一个地址的访问。
写模式
该M48T129Y / V在写模式时
W(写使能)和E (片选)低
之后的地址输入状态是稳定的。
写的开始,从后者OC-引用
的W或E.写curring下降沿被终止
按W或E.该地址的早期上升沿
必须在整个周期中保持有效。 ê或W
必须返回高最少的t
EHAX
从芯片
启用或T
WHAX
从写使能之前ini-
tiation另一个读或写周期。数据必须在
有效吨
DVWH
之前写的结尾,并保持
有效的对于T
WHDX
之后。摹应保持高
在写周期,以避免总线争用; AL-
但是,如果输出总线已经由一个激活
低E和G低W上会禁用输出
t
WLQZ
后W跌倒。
4/22
M48T129Y , M48T129V
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
(分钟)
(2)
V
SO(2)
4.5V至5.5V
or
3.0V至3.6V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注:1,X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时, M48T129Y / V操作
作为一个传统的单字节宽静态RAM 。
如果电源电压衰减时, RAM将非盟
tomatically取消,写保护自己的时候
V
CC
V介于
PFD
(最大值) ,V
PFD
(分钟) win-
道指。所有输出变为高阻抗和所有
输入被视为“不关心” 。
注意:
在写周期,电源故障可能cor-
在当前的中断数据寻址的位置,但
不危及RAM的其余内容。
在低于V的电压
PFD
(分钟) ,内存会
在写保护状态,所提供的V
CC
秋天
时间不大于吨以下
F
。该M48T129Y / V可以重新
有反应就V瞬态噪声尖峰
CC
交叉
成过程中的时间DE-取消选定窗口
副是抽样V
CC
。 。因此,脱钩
电源线被推荐。
当V
CC
低于V
SO
中,控制电路
开关电源的内置电池,保护
数据和供电的时钟。内部能量
源将保持在M48T129Y / V数据
的至少10年,在室温的累积期间
温度。由于系统电源升至大于V
SO
,
电池被断开,并且电源
被切换到外部V
CC
。取消持续
t
REC
经过V
CC
达到V
PFD
(最大值)。为了进一步
寿命计算的更详细的审查,
请参阅应用笔记AN1012 。
TIMEKEEPER寄存器
该M48T129Y / V提供了16个内部寄存器
包含TIMEKEEPER ,报警,看门狗,
中断,标志和控制数据。这些寄存器
是包含外部(用户存储器位置
数据的访问)和内部拷贝(通常
称为BiPORT TIMEKEEPER细胞)。该
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
5ns
0至3V
1.5V
注意,输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
图5. AC测试负载电路
设备
TEST
650
CL = 100pF的
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI01803C
注:不包括开漏输出引脚
外部副本是独立的内部功能的
系统蒸发散除,他们定期更新
递增间的同步传输
最终副本。 TIMEKEEPER和报警寄存器
在BCD存储中的数据。
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    -
    -
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