256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM的无缓冲模块

基于512Mb的C-模184PIN无缓冲模块

66 TSOP - II与无铅

（符合RoHS ）

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修订版1.2 2005年6月

256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM

目录

DDR SDRAM

1.0订购Information................................................................................................................... 4

2.0工作Frequencies................................................................................................................ 4

3.0 Feature.......................................................................................................................................... 4

4.0引脚配置（正面/背面） ........................................ ......................................... 5

5.0引脚说明............................................................................................................................五

6.0功能框图.......................................................................................................... 6

6.1 256MB ， 32M ×64的非ECC模块（ M470L3324CU0 ）

........................................................................ 6

6.2 512MB ， 64M ×64的非ECC模块(M470L6524CU0).......................................................................................

7

7.0绝对最大Ratings........................................................................................................ 8

8.0直流工作Conditions............................................................................................................ 8

9.0 DDR SDRAM IDD规格表....................................................................................................... 9

9.1 M470L3324CU0 [ （ 32M ×16 ） * 4 ， 256MB ECC非模块]

.....................................................................................

9

9.2 M470L6524CU0 [ （ 32M ×16 ） * 8 ， 512MB ECC非模块]

......................................................................................

9

10.0 AC工作Conditions........................................................................................................ 10

11.0输入/输出电容....................................................................................................... 10

12.0 AC Timming参数&规格............................................ ................................ 11

13.0系统特性的DDR SDRAM ............................................ .................................. 12

14.0组件Notes.................................................................................................................... 13

15.0系统注意事项........................................................................................................................... 14

16.0命令真相Table............................................................................................................. 15

17.0物理Dimensions............................................................................................................... 16

17.1 32Mx64 （ M470L3324CU0 ）

......................................................................................................... 16

17.2 64Mx64 （ M470L6524CU0 ）

......................................................................................................... 17

修订版1.2 2005年6月

256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM

修订历史

调整

0.0

0.1

0.2

1.0

1.1

1.2

MONTH

四月

九月

十月

二月

四月

六月

YEAR

2004

2004

2004

2005

2005

2005

- 第一个版本的内部审查

- 初步规范发布。

- 改变IDD电流。

- 修订版1.0规范发布。

- 增加了通知。

- 更改的主格式。

历史

DDR SDRAM

修订版1.2 2005年6月

256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM

DDR SDRAM

基于512Mb的C-模条200Pin无缓冲SODIMM （ X8 ， X16 ）

1.0订购信息

产品型号

M470L3324CU0-C(L)CC/B3/A2/B0

M470L6524CU0-C(L)CC/B3/A2/B0

密度

256MB

512MB

组织

32M ×64

64M ×64

部件组成

32Mx16 （ K4H511638C ） * 4EA

32Mx16 （ K4H511638C ） * 8EA

高度

1,250mil

1,250mil

2.0工作频率

CC(DDR400@CL=3)

速度@ CL2

速度@ CL2.5

速度@ CL3

CL- tRCD的-TRP

-

166MHz

200MHz

3-3-3

B3(DDR333@CL=2.5)

133MHz

166MHz

-

2.5-3-3

A2(DDR266@CL=2)

133MHz

133MHz

-

2-3-3

B0(DDR266@CL=2.5)

100MHz

133MHz

-

2.5-3-3

3.0功能

VDD ： 2.5V ± 0.2V ， VDDQ ： 2.5V ± 0.2V为DDR266 ， 333

VDD ： 2.6V ± 0.1V ， VDDQ ： 2.6V ± 0.1V的DDR400

双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输

双向数据选通[ DQ ] （ X4，X8 ）， & [L （ U） DQS ] （ X16 ）

差分时钟输入（ CK和CK ）

DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型

可编程只读潜伏期： DDR266 （ 2 ， 2.5个时钟） ， DDR333 （ 2.5时钟） ， DDR400 （ 3时钟）

可编程突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ）

可编程突发类型（顺序&交错）

边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入

自动&自我刷新， 7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）

??串行存在检测与EEPROM

PCB ：身高 - 256 （非ECC / ECC SS ， 1250mil ） ， 512MB / 1GB （非ECC DS ， 1250mil ， ECC DS ， 1400mil ）

SSTL_2接口

66pin TSOP II

无铅

包

符合RoHS

修订版1.2 2005年6月

256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM

4.0引脚配置（正面/背面）

针

1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

47

49

51

53

55

57

59

61

63

65

关键

DQ16

DQ17

VDD

DQS2

DQ18

VSS

DQ19

DQ24

VDD

DQ25

DQS3

VSS

DQ26

前

VREF

VSS

DQ0

DQ1

VDD

DQS0

DQ2

VSS

DQ3

DQ8

VDD

DQ9

DQS1

VSS

DQ10

DQ11

VDD

CK0

CK0

VSS

针

67

69

71

73

75

77

79

81

83

85

87

89

91

93

95

97

99

101

103

105

107

109

111

113

115

117

119

121

123

125

127

129

131

133

前

DQ27

VDD

CB0

CB1

VSS

DQS8

CB2

VDD

CB3

DU

VSS

CK2

CK2

VDD

CKE1

DU

A12

A9

VSS

A7

A5

A3

A1

VDD

A10/AP

BA0

WE

CS0

*DU(A13)

VSS

DQ32

DQ33

VDD

DQS4

针

135

137

139

141

143

145

147

149

151

153

155

157

159

161

163

165

167

169

171

173

175

177

179

181

183

185

187

189

191

193

195

197

199

前

DQ34

VSS

DQ35

DQ40

VDD

DQ41

DQS5

VSS

DQ42

DQ43

VDD

VDD

VSS

VSS

DQ48

DQ49

VDD

DQS6

DQ50

VSS

DQ51

DQ56

VDD

DQ57

DQS7

VSS

DQ58

DQ59

VDD

SDA

SCL

VDDSPD

VDDID

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

针

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

后

VREF

VSS

DQ4

DQ5

VDD

DM0

DQ6

VSS

DQ7

DQ12

VDD

DQ13

DM1

VSS

DQ14

DQ15

VDD

VDD

VSS

VSS

关键

DQ20

DQ21

VDD

DM2

DQ22

VSS

DQ23

DQ28

VDD

DQ29

DM3

VSS

DQ30

针

68

70

72

74

76

78

80

82

84

86

88

90

92

94

96

98

100

102

104

106

108

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

130

132

134

后

DQ31

VDD

CB4

CB5

VSS

DM8

CB6

VDD

CB7

DDR SDRAM

针

136

138

140

142

144

146

148

150

152

154

156

158

160

162

164

166

168

170

172

174

176

178

180

182

184

186

188

190

192

194

196

198

200

后

DQ38

VSS

DQ39

DQ44

VDD

DQ45

DM5

VSS

DQ46

DQ47

VDD

CK1

CK1

VSS

DQ52

DQ53

VDD

DM6

DQ54

VSS

DQ55

DQ60

VDD

DQ61

DM7

VSS

DQ62

DQ63

VDD

SA0

SA1

SA2

DU

* DU / （ RESET ）

VSS

VSS

VDD

VDD

CKE0

*DU(BA2)

A11

A8

VSS

A6

A4

A2

A0

VDD

BA1

RAS

CAS

CS1

DU

VSS

DQ36

DQ37

VDD

DM4

注意：

1. * ：这些引脚没有这个模块中使用。

2.引脚71 ， 72 ， 73 ， 74 ， 77 ， 78 ， 79 ， 80 ， 83 ，84不会在x64使用（ M470 ）模块， &在X72中使用（ M485 ）模块。

3.引脚95122顷NC的用于2ROW MOULE （ M470L6524CU0 ， M485L2829CU0 ） 1Row模块& 。

5.0引脚说明

引脚名称

A0 ~ A12

BA0 BA1A

DQ0 DQ63

DQS0 DQS8

CK0 ， CK0 CK2 ， CK2

CKE0 ， CKE1 （双银行）

CS0 ， CS1 （双银行）

RAS

CAS

WE

CB0 CB7 （对于X72模块）

功能

地址输入（复用）

银行选择地址

数据输入/输出

数据选通输入/输出

时钟输入

时钟使能输入

片选输入

行地址选通

列地址选通

写使能

校验位（数据输入/数据输出）

引脚名称

DM0 7.8 （用于ECC ）数据 - 戴面具

VDD

VDDQ

VSS

VREF

VDDSPD

SDA

SCL

SA0 2

VDDID

NC

电源

（ 2.5V的DDR266 / 333 2.6V的DDR400 ）

电源的DQS

（ 2.5V的DDR266 / 333 2.6V的DDR400 ）

地

电源为参考

串行EEPROM电源/电源（ 2.3V至3.6V ）

串行数据I / O

串行时钟

地址在EEPROM

VDD和VDDQ电平检测

无连接

功能

注： VDDID定义VDD和VDDQ的关系，它的默认状态是打开的（ VDD = VDDQ ）

修订版1.2 2005年6月