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64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
SDRAM
无缓冲SDRAM SODIMM
基于128Mb的144pin无缓冲的SODIMM E-死
64位非ECC
修订版1.4
三月。 2004年
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
修订历史
版本1.0 ( 2002年11月)
- 首次发行
版本1.1 ( 2003年5月)。
- 合并后的规格。
版本1.2 ( 2003年6月)。
- 正确的错字。
版本1.3 (二月,2004)
- 正确的错字。
版本1.4 (三月2004)
- 修正封装尺寸。
SDRAM
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
基于128Mb的电子芯片144Pin DIMM无缓冲( X16 )
订购信息
产品型号
M464S0924ETS-C(L)7A
M464S1724ETS-C(L)7A
密度
64MB
128MB
组织
8M ×64
16M ×64
部件组成
8Mx16 ( K4S281632E ) * 4EA
8Mx16 ( K4S281632E ) * 8EA
部件
54-TSOPII
54-TSOPII
SDRAM
高度
1,000mil
1,250mil
工作频率
- 7A
@CL3
最大时钟频率
CL- tRCD的-TRP (时钟)
133MHz(7.5ns)
3-3-3
@CL2
100MHz(10ns)
2-2-2
特征
??突发模式工作
自动&自我更新能力( 4096周期/ 64ms的)
?? LVTTL兼容的输入和输出
单3.3V
±
0.3V电源
MRS循环地址重点项目延迟(从地址栏访问)
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
数据加扰(顺序&交错)
所有输入进行采样,系统时钟的正向沿
??串行存在检测与EEPROM
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
引脚配置(正面/背面)
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQM0
DQM1
VDD
A0
A1
A2
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VDD
DQ12
DQ13
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VDD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQM4
DQM5
VDD
A3
A4
A5
VSS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VDD
DQ44
DQ45
51
53
55
57
59
DQ14
DQ15
VSS
NC
NC
52
54
56
58
60
DQ46
DQ47
VSS
NC
NC
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
DQ21
DQ22
DQ23
VDD
A6
A8
VSS
A9
A10/AP
VDD
DQM2
DQM3
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VDD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SDA
VDD
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
SDRAM
DQ53
DQ54
DQ55
VDD
A7
BA0
VSS
BA1
A11
VDD
DQM6
DQM7
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VDD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
SCL
VDD
电压键
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
**CLK0
VDD
RAS
WE
**CS0
**CS1
DU
VSS
NC
NC
VDD
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
**CKE0
VDD
CAS
**CKE1
*A12
*A13
**CLK1
VSS
NC
NC
VDD
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VSS
DQ52
注意:
1. *这些引脚没有这个模块中使用。
2.Pins 141142应的NC在不支持SPD系统。
3 。 **关于这些管脚,请参阅各的框图。
引脚说明
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 CLK1
CKE0 CKE1
CS0 CS1
RAS
CAS
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
功能
地址输入(复用)
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
SDA
SCL
DU
NC
引脚名称
写使能
DQM
电源( 3.3V )
串行数据I / O
串行时钟
不使用
无连接
功能
* SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ,公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
引脚配置说明
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
SDRAM
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 RA11
列地址: ( X16 : CA0 CA8 )
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
地址
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ
0
~
63
V
DD
/V
SS
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
SDRAM
无缓冲SDRAM SODIMM
基于128Mb的144pin无缓冲的SODIMM E-死
64位非ECC
修订版1.4
三月。 2004年
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
修订历史
版本1.0 ( 2002年11月)
- 首次发行
版本1.1 ( 2003年5月)。
- 合并后的规格。
版本1.2 ( 2003年6月)。
- 正确的错字。
版本1.3 (二月,2004)
- 正确的错字。
版本1.4 (三月2004)
- 修正封装尺寸。
SDRAM
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
基于128Mb的电子芯片144Pin DIMM无缓冲( X16 )
订购信息
产品型号
M464S0924ETS-C(L)7A
M464S1724ETS-C(L)7A
密度
64MB
128MB
组织
8M ×64
16M ×64
部件组成
8Mx16 ( K4S281632E ) * 4EA
8Mx16 ( K4S281632E ) * 8EA
部件
54-TSOPII
54-TSOPII
SDRAM
高度
1,000mil
1,250mil
工作频率
- 7A
@CL3
最大时钟频率
CL- tRCD的-TRP (时钟)
133MHz(7.5ns)
3-3-3
@CL2
100MHz(10ns)
2-2-2
特征
??突发模式工作
自动&自我更新能力( 4096周期/ 64ms的)
?? LVTTL兼容的输入和输出
单3.3V
±
0.3V电源
MRS循环地址重点项目延迟(从地址栏访问)
突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
数据加扰(顺序&交错)
所有输入进行采样,系统时钟的正向沿
??串行存在检测与EEPROM
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
引脚配置(正面/背面)
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQM0
DQM1
VDD
A0
A1
A2
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VDD
DQ12
DQ13
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VDD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQM4
DQM5
VDD
A3
A4
A5
VSS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VDD
DQ44
DQ45
51
53
55
57
59
DQ14
DQ15
VSS
NC
NC
52
54
56
58
60
DQ46
DQ47
VSS
NC
NC
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
DQ21
DQ22
DQ23
VDD
A6
A8
VSS
A9
A10/AP
VDD
DQM2
DQM3
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VDD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SDA
VDD
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
SDRAM
DQ53
DQ54
DQ55
VDD
A7
BA0
VSS
BA1
A11
VDD
DQM6
DQM7
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VDD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
SCL
VDD
电压键
61
63
65
67
69
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73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
**CLK0
VDD
RAS
WE
**CS0
**CS1
DU
VSS
NC
NC
VDD
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
**CKE0
VDD
CAS
**CKE1
*A12
*A13
**CLK1
VSS
NC
NC
VDD
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VSS
DQ52
注意:
1. *这些引脚没有这个模块中使用。
2.Pins 141142应的NC在不支持SPD系统。
3 。 **关于这些管脚,请参阅各的框图。
引脚说明
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 CLK1
CKE0 CKE1
CS0 CS1
RAS
CAS
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
功能
地址输入(复用)
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
SDA
SCL
DU
NC
引脚名称
写使能
DQM
电源( 3.3V )
串行数据I / O
串行时钟
不使用
无连接
功能
* SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ,公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
修订版1.4日。 2004年
64MB , 128MB无缓冲的SODIMM
引脚配置说明
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
SDRAM
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 RA11
列地址: ( X16 : CA0 CA8 )
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
地址
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ
0
~
63
V
DD
/V
SS
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
修订版1.4日。 2004年
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    M464S0924ETS-C7A
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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