M464S0924DTS
M464S0924DTS SDRAM SODIMM
PC133 / PC100 SODIMM
基于8Mx16 ， 4Banks ， 4K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 8Mx64 SDRAM SODIMM
概述
三星M464S0924DTS是8M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
M464S0924DTS由四个CMOS 8M ×16位与
4banks的TSOP- II封装400mil同步DRAM和
在一个144引脚的玻璃 - 一个2K EEPROM采用8引脚TSSOP封装
环氧基板。三0.1uF的去耦电容
安装在印刷电路板在平行于各
SDRAM 。该M464S0924DTS是一个小外形双列直插式
内存模块，并适用于安装到144针
边缘连接器插座。
同步设计允许通过使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每时钟
周期。的工作频率，可编程laten-范围
连锁商店允许相同的设备可用于各种高有用
带宽，高性能存储系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
M464S0924DTS-L7C/C7C
M464S0924DTS-L7A/C7A
M464S0924DTS-L1H/C1H
M464S0924DTS-L1L/C1L
最大频率。 （速度）
为133MHz （ 7.5ns @ CL = 2 ）
为133MHz （ 7.5ns @ CL = 3 ）
为100MHz （ 10ns的@ CL = 2 ）
为100MHz （ 10ns的@ CL = 3 ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,000mil ）
，双面组件
引脚配置（正面/背面）
针
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
前
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
DQM0
DQM1
V
DD
A0
A1
A2
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
DD
DQ12
DQ13
针
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQM4
DQM5
V
DD
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
DD
DQ44
DQ45
针
51
53
55
57
59
前
DQ14
DQ15
V
SS
NC
NC
针
52
54
56
58
60
后
DQ46
DQ47
V
SS
NC
NC
针
前
DQ21
DQ22
DQ23
V
DD
A6
A8
V
SS
A9
A10/AP
V
DD
DQM2
DQM3
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
** SDA
V
DD
针
后
95
97
99
101
103
105
电压键
107
109
CLK0 62 CKE0 111
V
DD
64
V
DD
113
RAS
66
CAS 115
WE
68 * 117 CKE1
CS0
70
*A12 119
* CS1 72
*A13 121
DU
74 * 123 CLK1
V
SS
76
V
SS
125
NC
78
NC
127
NC
80
NC
129
V
DD
82
V
DD
131
DQ16 84 DQ48 133
DQ17 86 DQ49 135
DQ18 88 DQ50 137
DQ19 90 DQ51 139
V
SS
92
V
SS
141
DQ20 94 DQ52 143
96 DQ53
98 DQ54
100 DQ55
102 V
DD
104
A7
106 BA0
108 V
SS
110 BA1
112 A11
114 V
DD
116 DQM6
118 DQM7
120 V
SS
122 DQ56
124 DQ57
126 DQ58
128 DQ59
130 V
DD
132 DQ60
134 DQ61
136 DQ62
138 DQ63
140 V
SS
142 ** SCL
144 V
DD
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0
CKE0
CS0
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
SDA
SCL
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址storbe
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
串行数据I / O
串行时钟
不使用
无连接
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
* SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ，公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
M464S0924DTS
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100 SODIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
地址
BA0 BA1
RAS
银行选择地址
行地址选通
CAS
列地址选通
WE
写使能
DQM0 7
Q
0
~
63
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
V
DD
/V
SS
REV 。 2001年九月0.1
M464S0924DTS
功能框图
CS0
DQM0
LDQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM4
PC133 / PC100 SODIMM
U0
LDQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS
U2
DQM2
LDQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQM
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A0 A11 ， BA0 & 1
RAS
CAS
WE
CKE0
10
DQN
V
DD
三0.1uF的X7R 0603Capacitors
按每个SDRAM
VSS
所有的SDRAM
SDRAM的每个DQ引脚
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
SDRAM U0 U3
CS
DQM6
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
LDQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQM
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS
U1
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM7
U3
DQM3
串行PD
SDRAM U0 U3
SDRAM U0 U3
SDRAM U0 U3
SDRAM U0 U3
SCL
47K
WP
SA0 SA1 SA2
SDA
U0
CLK0
U1
U2
U3
10
CLK1
10pF
注意：
用零欧姆跳线隔离A12从SDRAM引脚非的256Mbit设计。
REV 。 2001年九月0.1
M464S0924DTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133 / PC100 SODIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
4
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
I H
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
民
15
15
15
15
15
10
10
最大
25
25
25
21
25
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
11
， BA0 BA1 ）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ CLK0 ）
输入电容（ CS0 ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
REV 。 2001年九月0.1
QQ：2881677436 复制
