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Am41DL3208G
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
25870
调整
A
修订
0
发行日期
2002年2月13日
初步
Am41DL3208G
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位) CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
内存和8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)静态RAM
特色鲜明
MCP特点
I
2.7至3.3伏的电源电压
I
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
I
每个扇区保证至少1百万次写周期
I
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
I
- 73球FBGA
I
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
软件特点
I
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
FLASH内存功能
架构优势
I
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
I
支持通用闪存接口( CFI )
I
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
硬件特性
I
任何部门的结合可以被删除
I
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
I
灵活的银行
TM
架构
- 未写入读取可能发生在任何的三家银行
或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现预期
银行部门。
I
安全硅( SecSi )部门:额外的256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。
客户可锁定:
部门是一次性可编程的。一旦
锁定时,数据不能被改变
I
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读阵列数据
I
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护两个最外侧
引导扇区,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
I
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零
I
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是在系统或
使用编程设备,以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
I
顶部或底部启动块
I
在0.17微米制程技术制造的
I
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
SRAM特点
I
功耗
- 操作:30 mA(最大值)
- 待机: 15 μA最大
性能特点
I
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速功能
I
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
I
I
I
I
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 1.5 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 ) , UB # S( DQ15 - DQ8 )
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
25870
启:
A
Amendment/0
发行日期:
2002年2月13日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29DL320G特点
该Am29DL320G由32兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织为16位2,097,152字
每个或4,194,304字节,每字节8位。字模式数据AP-
P·E A R S 0 N D Q 1 5 - D Q 0 ; B YT ê米 D E D A T A的P P E A R 5 0:N
DQ7 - DQ0 。该设备被设计为被编程
在系统与标准的3.0伏V
CC
供应,并能
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件具有70和85纳秒的存取时间。
该器件采用73球FBGA封装。标准
控制引脚芯片使能( CE #楼) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # ) - 控制正常的读写操作
系统蒸发散,避免总线争用问题。
该设备只需要一
单3.0伏电源
用于读取和写入功能。内部生成的,
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
一些以前的AMD 32兆位Am29DL32x设备有
大SecSi部门。
工厂锁定部分提供几个
选项。该SecSi扇区可存储一个安全的,随机16
字节ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或两者兼而有之。
DMS (数据管理软件)
允许系统eas-
随手取的先进架构优势
通过使除去的同时读/写的产品线
EEPROM器件。 DMS也将允许系统软件
被简化,因为其将执行所有必要的功能
修改数据中的文件结构,相对于单字节
修改。要写出或更新特定的数据(一
电话号码或配置数据,例如)时,用户
只需要说明哪些数据块是要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这是一
优势相比于用户编写的软系统
器必须跟踪的旧数据的位置,状态,逻辑
于数据的物理地址的转换到闪存DE-
六, CE( ormemo RY德六CES)上, andmore 。美国I N克D M S,
用户编写的软件不需要与接口
快闪记忆体直接。取而代之的是,用户的软件AC-
正如事实吨he f来画眼线备忘录RY被呼唤克只有六分之一
功能。 AMD提供了该软件,以简化的系统设
签署和软件的整合工作。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC
单电源闪存命令集的标准。
命令使用标写入到命令寄存器
准微处理器写时序。读出数据的
装置是相似的,从其他闪存或EPROM读
设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过使用设备
状态位:
RY / BY #
脚, DQ7 (数据#投票)和DQ6 / DQ2 (触发位) 。经过
编程或擦除周期已经完成,该装置盟
tomatically返回到读出阵列的数据。
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该
硬件部门保护
特征
禁用这两个方案,并在任意组合擦除操作
民族记忆的部门。这可以实现
在系统或通过编程设备。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为
FOUR
银行,
2个4 Mb的银行与小型和大型行业,并
两个12兆大的银行部门。扇区地址是
定,系统软件可以被用于形成用户定义的
银行团。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。请注意,只有两个存储体
可以同时操作。该设备允许主机系
TEM编程或擦除立即在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零延迟。
这从等待完成发行制度
编程或擦除操作。
该Am29DL320G可以组织,可以是顶部或bot-
汤姆引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
4兆
12 MB
12 MB
4兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
七64千字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
24个64字节/ 32 K字
8个64字节/ 32 K字
Am41DL3208G特点
SecSi
TM
(安全硅)行业
是一个256字节的额外
部门能够被永久锁定, AMD或客
tomers 。该
SecSi标志位
( DQ7 )被永久设置
到1,如果该部件是
工厂锁定,
并设置为0,如果
Tomer的上锁。
通过这种方式,客户可锁定部分可以
从未被用来替换一工厂锁定部分。
注意
2
Am41DL3208G
2002年2月13日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作,闪字模式, CIOf = V
IH
;
SRAM字模式下, CIO们= V
CC
..................................................... 11
表2.设备总线操作,闪字模式, CIOf = V
IH
;
SRAM字节模式, CIO们= V
SS
......................................................12
表3.设备总线操作闪存字节模式, CIOf = V
SS
;
SRAM字模式下, CIO们= V
CC
.....................................................13
表4.设备总线的运行闪存字节模式, CIOf = V
IL
; SRAM
字节模式, CIO们= V
SS
..................................................................14
复位命令................................................ ..................... 28
自选命令序列............................................ 28
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 29
字节/字编程命令序列............................. 29
解锁绕道命令序列.................................. 29
图3.程序操作............................................. ............ 30
芯片擦除命令序列........................................... 30
扇区擦除命令序列........................................ 30
擦除暂停/删除恢复命令........................... 31
图4.擦除操作............................................. ................. 31
表15.命令定义(闪字模式) ...................... 32
表16.命令定义(闪存字节模式) ....................... 33
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 34
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 34
字/字节配置.............................................. .......... 15
对于读阵列数据要求................................... 15
写命令/命令序列............................ 15
加快程序运行.......................................... 15
自选功能................................................ ........... 15
同时读/写操作零延迟....... 15
待机模式................................................ ........................ 16
自动休眠模式............................................... ............ 16
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 16
输出禁止模式............................................... ............... 16
表5.设备银行部............................................ ............ 16
表6.前引导扇区地址........................................... ..17
热门引导SecSi扇区地址............................................ 18
表8.底部引导扇区地址......................................... 19
底部启动SecSi扇区地址........................................ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 35
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 35
图6.切换位算法............................................ ............ 35
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 36
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 36
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 36
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 36
表17.写操作状态............................................ ....... 37
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
工业级(I )设备............................................. ............... 38
V
CC
F / V
CC
客户供应电压............................................... .... 38
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
CMOS兼容................................................ .................. 39
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 40
零功耗闪存.............................................. ................... 41
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动休眠
电流) ................................................ ........................................ 41
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 41
自选模式................................................ ..................... 21
部门/部门块保护和unprotection的.................. 21
表10.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 21
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图11.测试设置............................................. ....................... 42
表18.测试规范............................................. ............ 42
写保护( WP # ) ............................................ .................... 21
临时机构/部门撤消座............................. 22
图1.临时机构撤消操作........................... 22
图2.在系统部门/部门块保护和撤消Algo-
rithms ................................................. ............................................. 23
键切换波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图12.输入波形和测量水平................. 42
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 24
工厂锁定: SecSi部门编程,并受到保护
工厂................................................ .......................... 24
客户可锁定: SecSi部门未编程或亲
tected在工厂.............................................. ............. 24
硬件数据保护............................................... ....... 24
低V
CC
写禁止................................................ ........... 24
写脉冲“毛刺”保护............................................ 24
逻辑禁止................................................ ...................... 24
上电写禁止............................................. ............ 25
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 25
表11. CFI查询标识字符串........................................ 25
系统接口字符串............................................... .................... 26
表13.设备几何定义............................................ 26
表14.主要供应商特定的扩展查询...................... 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
SRAM CE#的时机............................................. ................... 43
图13.时序图交替SRAM之间的Flash ..
43
闪存只读操作............................................. .... 44
图14.读操作时序............................................ ... 44
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 45
图15.复位时序............................................. .................. 45
闪字/字节配置( CIOf ) .................................... 46
图16. CIOf时序进行读操作................................ 46
图17. CIOf时序写操作................................ 46
闪存擦除和编程操作.................................... 47
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
48
48
49
50
50
51
51
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读阵列数据............................................... ................. 28
2002年2月13日
Am41DL3208G
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临时机构/部门撤消座............................. 52
图25.临时机构/部门撤消座
时序图................................................ ............................... 52
图26.行业/部门块保护和撤消
时序图................................................ ............................... 53
图32. SRAM写周期-UB # s和LB #控制研究............... 60
备用CE #楼控擦除和编程操作.... 54
图27.闪存替代CE #楼可控写(擦除/编程) OP-
关合作计时................................................ ................................ 55
闪存擦除和编程性能........................ 61
闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
图33. CE1 # ●可控制数据保留模式....................... 62
图34. CE2s控制数据保留模式......................... 62
SRAM读周期............................................... ................... 56
图28. SRAM读周期,地址控制....................... 56
图29. SRAM读周期............................................ ............. 57
SRAM写周期............................................... ................... 58
图30. SRAM写周期-WE #控制................................. 58
图31. SRAM写周期- CE1 # - 控制.............................. 59
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
FLB073-73球细间距栅阵列8× 11.6毫米............. 63
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
版本A( 2002年1月3日) .......................................... ....... 64
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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