M40Z111

M40Z111W

5V或3V NVRAM主管长达两个LPSRAMs

功能摘要

s

CONVERT低功率SRAM成

NVRAMs

s

图1. 28引脚SOIC封装

精密电量监控和

功率开关电路

自动写保护当

V

CC

是Out的公差

电源电压的选择和

电源故障DESELECT的电压：

- M40Z111 ： V

CC

= 4.5 5.5V

THS = V

SS

; 4.5

≤

V

PFD

≤

4.75V

THS = V

OUT

; 4.2

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M40Z111W ： V

CC

= 3.0 3.6V

THS = V

SS

; 2.8

≤

V

PFD

≤

3.0V

V

CC

= 2.7 3.3V

THS = V

OUT

; 2.5

≤

V

PFD

≤

2.7V

少于15ns的芯片使能访问

传播延迟（ 5.0V设备）

包装包括一个28引脚SOIC和

SNAPHAT

TOP （单独订购）

SOIC封装提供直接

连接对于一个SNAPHAT TOP其中

包含电池

s

SNAPHAT （ SH ）

电池

s

28

1

SOH28 （ MH ）

s

s

s

2002年5月

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M40Z111 ， M40Z111W

目录

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

逻辑图（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。

信号名称（表1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。

SOIC28连接（图3 ） 。 。

硬件接线图（图4 ） 。 。 。 。

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

......

......

......

......

.....3

.....3

.....3

.....4

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

绝对最大额定值（表2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

DC和AC测量条件（表3 ） 。 。 。

AC测试负载电路（图5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

电容（表4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

直流特性（表5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

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.......

.......

.......

......

......

......

......

.......

.......

.......

.......

......

......

......

......

......

......

......

......

.....5

.....5

.....5

.....6

操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

数据保存寿命计算。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

掉电时序（图6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

上电时序（图7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

掉电/上AC特性（表6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

V

CC

噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

电源电压保护（图8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

电池表（表8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

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M40Z111 ， M40Z111W

概要说明

该M40Z111 / W NVRAM监控是自

载装置，转换成一个标准的低

功耗SRAM到非易失性存储器。

精密电压基准和比较

监视V

CC

输入超出容限的CON-

DITION 。

当一个无效的V

CC

情况发生时，条件

tioned芯片使能（E

CON

）输出被强制处于非活动状态

写保护存储的数据在SRAM中。

在电源故障期间，该SRAM被从切换

在V

CC

脚内的锂电池

SNAPHAT

以提供所需的能量

数据保留。在随后的加电时，该

SRAM遗体写保护，直到一个有效的权力

条件回报。

28引脚， 330mil SOIC封装提供与插座

镀金触点两端直接CON-

nection到一个单独的SNAPHAT壳体载

荷兰国际集团的电池。独特的设计使

要安装在顶部SNAPHAT电池包

SOIC封装完成后的

表面贴装工艺。

回流后的SNAPHAT住房插入

防止潜在的电池损坏，由于高

所需的设备表面温度mount-

ING 。该SNAPHAT外壳键控，以防止

反向插入。

该SOIC和电池包运sep-

另行购买塑料防静电管或带卷&

形式。对于28引脚SOIC封装，电池包

（例如， SNAPHAT ），产品编号为“ M4Z28-

BR00SH “或” M4Z32 - BR00SH “ （见表8 ，

第10页） 。

图2.逻辑图

VCC

表1.信号名称

THS

E

E

CON

阈值的选择输入

芯片使能输入

空调的芯片使能输出

电源电压输出

电源电压

地

在内部没有连接

THS

M40Z111

M40Z111W

E

VOUT

V

OUT

V

CC

ECON

V

SS

NC

图3. SOIC28连接

VSS

AI02238B

VOUT

NC

NC

NC

NC

VCC

NC

VCC

NC

NC

NC

NC

THS

VSS

1

28

27

2

26

3

25

4

24

5

23

6

7 M40Z111 22

8 M40Z111W 21

20

9

19

10

18

11

17

12

16

13

15

14

AI02239B

VCC

E

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

ECON

NC

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M40Z111 ， M40Z111W

图4.硬件接线图

3.0 ， 3.3或5V

VCC

VOUT

VCC

E2

1N5817或

MBR5120T3

0.1F

0.1F

CMOS

SRAM

M40Z111/W

E

Thereshold

THS

VSS

ECON

E

x8或x16

AI02394

最大额定值

强调上面列出的等级的设备

“绝对最大额定值”表可能会导致

永久损坏设备。这些都是

值仅为设备的操作

这些或任何高于它指示其他条件

编辑本说明书中的操作部分是

表2.绝对最大额定值

符号

T

A

T

英镑

T

SLD(1)

V

IO

V

CC

I

O

P

D

输出电流

功耗

参数

工作环境温度

存储温度（V

CC

OFF ）

无铅焊锡温度为10秒

输入或输出电压

电源电压

不是暗示。暴露在绝对最大额定

荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-

副

可靠性。

参考

还

to

该

意法半导体SURE计划和其他rel-

埃文特高质量的文档。

价值

六年级

SNAPHAT

SOIC

-40到85

-40到85

-55至125

260

-0.3到V

CC

+0.3

M40Z111

M40Z111W

-0.3 7.0

-0.3 4.6

20

1

单位

°C

°C

°C

°C

V

V

V

mA

W

注：1，回流在215 ℃的峰值温度下，以225℃为< 60秒（总热预算不超过180℃之间的90至120

秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

注意事项：

不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。

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M40Z111 ， M40Z111W

DC和AC参数

本节总结了操作和测

surement条件，以及直流和交流

该装置的特征。在参数

以下DC和AC特性表是

从下测量进行的测试得出

表3. DC和AC测量条件

参数

V

CC

电源电压

工作环境温度

负载电容（C

L

)

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

注意：需要注意的是输出高阻被定义为其中的数据将不再被驱动的点。

在相关的表中列出换货条件。 DE-

签名者应检查运行条件

在他们的项目相匹配的测量条件

使用引用参数时，系统蒸发散。

M40Z111

4.5 5.5V

-40到85°C

100pF

≤

5ns

0至3V

1.5V

M40Z111W

2.7至3.6V

-40到85°C

50pF

≤

5ns

0至3V

1.5V

图5. AC测试负载电路

设备

下

TEST

645

(1)

CL = 100pF的

或为5pF

1.75V

CL INCLUDES夹具电容

AI02326

注： 1。 50pF的为M40Z111W 。

表4.电容

符号

C

IN

C

OUT(3)

输入电容

输出电容

参数

(1,2)

民

最大

8

10

单位

pF

pF

注：在5V （ M40Z111 ）或3.3V （ M40Z111W ）测量电源1.有效电容;只有采样，而不是100 ％测试。

2.在25 ° C，F = 1MHz的。

3.取消选择输出

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