M39P0R9070E0

512兆位（ X16 ，多银行，多层次，突发）闪存

128 Mbit的低功耗SDRAM ， 1.8V电源，多芯片封装

初步数据

功能摘要

■

多芯片封装

- 512兆位（32 MB ×16 ，多行1die ，

多层次，突发）闪存

- 1模128兆位（ 4银行的2Mb X16的）

低

功率同步动态RAM

电源电压

– V

DDF

= V

CCP

= V

DDQ

= 1.7 1.95V

– V

PPF

= 9V快速程序（ 12V宽容）

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 器件代码： 8819

包

- ECOPACK （符合RoHS）

同步/异步读取

- 同步突发读取模式：

108MHz的， 66MHz的

■

■

FBGA

■

TFBGA105 （ ZAD ）

9× 11毫米

■

每座10万编程/擦除周期

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- WP

F

座向下锁定

- 绝对的写保护与V

PPF

= V

SS

通用闪存接口（ CFI ）

的128Mbit同步动态RAM

- 组织为四组2 MWords ，每

16位宽

同步突发读写

- 修正突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8字或全部

页面

- 突发类型：顺序和交错。

- 最大时钟频率： 104MHz的

- CAS延迟2,3

自动预充电

低功耗特点：

- PASR （部分阵列自刷新）

- 自动TCSR （温度

补偿自刷新）

- 驱动强度（ DS ）

- 深度掉电模式

自动刷新和自刷新

■

FL灰内存

■

■

LPSDRAM

■

- 异步页读模式

- 随机访问： 93ns

■

编程时间

- 4微秒典型的Word程序时使用缓冲区

强化厂程序命令

存储器组织

- 多组内存阵列： 64兆位

银行

- 四个扩展闪存阵列（ EFA）的块

64千位

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

■

■

■

■

■

■

■

2005年11月

这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有

更改，恕不另行通知。

第1版

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www.st.com

1

M39P0R9070E0

目录

1

2

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

2.10

2.11

2.12

2.13

2.14

2.15

2.16

2.17

2.18

2.19

2.20

2.21

2.22

2.23

2.24

地址输入（ A0 -A24 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

LPSDRAM银行选择地址输入（ BA0 - BA1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

闪存芯片使能输入（E

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Flash存储器输出使能（G

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Flash存储器写使能（W

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Flash存储器写保护输入（ WP

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

闪存复位（ RP

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

深度掉电（ DPD

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

闪存锁存使能（L

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Flash存储器时钟（K

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

闪存等待（等待

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM片选（E

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM列地址选通（ CAS

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM行地址选通（RAS

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM写使能（W

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM时钟输入（K

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

LPSDRAM时钟使能（ KE

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

LPSDRAM下/上的数据输入/输出面膜（ LDQM

S

/ UDQM

S

) . . . . . 12

闪存的V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

LPSDRAM V

DDS

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

V

DDQ

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

V

SS

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

3

4

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

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6

7

8

DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

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表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

表10 。

表11 。

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

公交车运营。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

LPSDRAM直流特性1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

LPSDRAM直流特性2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

TFBGA105 9x11mm - 9x12活跃球阵列， 0.8mm间距，机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

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图列表

图1 。

图2中。

网络连接gure 3 。

图4中。

图5中。

图6 。

逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

AC测量I / O波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

TFBGA105 9x11mm - 9x12活跃球阵列， 0.8mm间距，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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512兆位（ X16 ，多银行，多层次，突发）闪存

128 Mbit的低功耗SDRAM ， 1.8V电源，多芯片封装

初步数据

功能摘要

■

多芯片封装

- 512兆位（32 MB ×16 ，多行1die ，

多层次，突发）闪存

- 1模128兆位（ 4银行的2Mb X16的）

低

功率同步动态RAM

电源电压

– V

DDF

= V

CCP

= V

DDQ

= 1.7 1.95V

– V

PPF

= 9V快速程序（ 12V宽容）

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 器件代码： 8819

包

- ECOPACK （符合RoHS）

同步/异步读取

- 同步突发读取模式：

108MHz的， 66MHz的

■

■

FBGA

■

TFBGA105 （ ZAD ）

9× 11毫米

■

每座10万编程/擦除周期

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- WP

F

座向下锁定

- 绝对的写保护与V

PPF

= V

SS

通用闪存接口（ CFI ）

的128Mbit同步动态RAM

- 组织为四组2 MWords ，每

16位宽

同步突发读写

- 修正突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8字或全部

页面

- 突发类型：顺序和交错。

- 最大时钟频率： 104MHz的

- CAS延迟2,3

自动预充电

低功耗特点：

- PASR （部分阵列自刷新）

- 自动TCSR （温度

补偿自刷新）

- 驱动强度（ DS ）

- 深度掉电模式

自动刷新和自刷新

■

FL灰内存

■

■

LPSDRAM

■

- 异步页读模式

- 随机访问： 93ns

■

编程时间

- 4微秒典型的Word程序时使用缓冲区

强化厂程序命令

存储器组织

- 多组内存阵列： 64兆位

银行

- 四个扩展闪存阵列（ EFA）的块

64千位

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

■

■

■

■

■

■

■

2005年11月

这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有

更改，恕不另行通知。

第1版

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目录

1

2

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

2.10

2.11

2.12

2.13

2.14

2.15

2.16

2.17

2.18

2.19

2.20

2.21

2.22

2.23

2.24

地址输入（ A0 -A24 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

LPSDRAM银行选择地址输入（ BA0 - BA1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

闪存芯片使能输入（E

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Flash存储器输出使能（G

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Flash存储器写使能（W

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Flash存储器写保护输入（ WP

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

闪存复位（ RP

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

深度掉电（ DPD

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

闪存锁存使能（L

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Flash存储器时钟（K

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

闪存等待（等待

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM片选（E

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM列地址选通（ CAS

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM行地址选通（RAS

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM写使能（W

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

LPSDRAM时钟输入（K

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

LPSDRAM时钟使能（ KE

S

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

LPSDRAM下/上的数据输入/输出面膜（ LDQM

S

/ UDQM

S

) . . . . . 12

闪存的V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

LPSDRAM V

DDS

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

V

DDQ

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

V

SS

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

3

4

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

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5

6

7

8

DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

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表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

表10 。

表11 。

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

公交车运营。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

LPSDRAM直流特性1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

LPSDRAM直流特性2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

TFBGA105 9x11mm - 9x12活跃球阵列， 0.8mm间距，机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

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图列表

图1 。

图2中。

网络连接gure 3 。

图4中。

图5中。

图6 。

逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

AC测量I / O波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

TFBGA105 9x11mm - 9x12活跃球阵列， 0.8mm间距，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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