M39832
单芯片8兆位（1MB ×8或512KB ×16）和闪存
256千比特并行EEPROM存储器
初步数据
2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和阅读OPARATIONS
闪存阵列
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
- 可选择X8 / X16数据总线（ BYTE引脚） 。
EEPROM阵列
- X8数据总线只。
120ns的存取时间
（Flash和EEPROM阵列）
写，编程和擦除状态位
并发模式（读Flash ，而
写入EEPROM）
100000擦/写周期
10年的数据保留
低功耗
- 待机模式： 100μA
- 自动待机模式
64字节的一次性可编程
MEMORY （ X8数据总线只）
标准EPROM / OTP存储器
包
扩展温度范围
TSOP48 （ NE ）
12 ×20mm的
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M39832
字节
雇员再培训局
FRB
描述
在M39832是一个存储器器件中结合闪存
和EEPROM集成到一个芯片，并使用单
电源电压。该存储器被映射在2
数组： 8兆位闪存和256千比特的
EEPROM存储器。每个空间是独立的
写作，在并发模式下，闪存可
当EEPROM的写入读出。
另外一个64字节的EPROM是一次性
可编程的。
该M39832 EEPROM存储器阵列是由
在字节只（不考虑对BYTE引脚） 。它可能
被写入由字节或64字节的页面
数据完整性可以借助固定
软件数据保护（ SDP ）的。
EE
EF
G
RP
VSS
AI00844
1999年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/36
M39832
图2. TSOP引脚连接
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出，输入命令
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
EEPROM阵列启用
闪存阵列启用
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
EEPROM就绪/忙输出
闪存就绪/忙输出
闪存阵列字节/字组织
电源电压
地
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
雇员再培训局
EE
W
RP
NC
NC
FRB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
12
13
M39832
37
36
24
25
AI00845
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
EF
A0
DQ8-DQ14
DQ15A–1
EE
EF
G
W
RP
雇员再培训局
FRB
字节
V
CC
V
SS
警告：
NC =未连接。
描述
（续）
该M39832闪存阵列能配置
置的为1Mb的X8或X16 512KB的字节输入
引脚。该M39832 - T和M39832 -B功能asymet-
rically阻塞架构提供系统的MEM
ORY整合。无论M39832 - B和M39832 -T
器件具有19块闪存阵列，一个引导
16 KB或8 K字块， 2参数
8 KB或4 K字，一个主块的块
32 KB或16 K字和15座主要
64 KB或32K字。该M39832 -T有
引导块在内存地址空间的顶部
和M39832 -B定位引导块开始
在底部。该存储器映射显示，
图3A和3B 。每个块可以被擦除
另外，组中的任何组合的可指定
田间多块擦除或整个芯片可以是
删除。擦除操作是自动管理
matically 。块擦除操作可以可持
挂起，以便读取或程序的任何
阻止未ersased ，然后重新开始。块
保护提供额外的数据的安全性。每
块可以被单独保护或未被保护
对编程或擦除编程分析装备
换货。所有以前受保护的块可以温
porarily未受保护的应用程序。闪存
存储器阵列是与功能兼容
M29W800单电压闪存设备。
在闪存阵列中的编程或擦除周期
或EEPROM阵列，状态位写在
适用于特定DQN引脚提供信息
在M39832内部逻辑。
引脚说明
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节输入选择的输出配置
闪存阵列：字节宽的（x8）模式或字宽
（ X16 ）的模式。 EEPROM阵列和64字节
OTP行总是访问字节宽的（x8） 。
当字节为高，字宽模式是SE-
lected用于闪存阵列（ ×16） ，并且所述数据
阅读和DQ0 - DQ15编程。闪存
数组访问与A0 - A18 Adrress线。在这
模式中，在EEPROM阵列的（x8）中的数据被读出并
编程的DQ0 - DQ7和数组是AC-
cessed与A0 - A14 。将64个字节的OTP被读
和编程上DQ0 - DQ7和被访问
与A0 -A5和A6 = 0 。
当字节为低电平时，字节宽度模式选择
用于闪存阵列的（x8）和数据被读出并
2/36
M39832
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9
, V
G
, V
EF
(2)
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，G ， EF电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注意事项：
1.除评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
编程的DQ0 - DQ7 。在这种模式下， DQ8-
DQ14是在高阻抗和DQ15A -1是
LSB地址位，使得闪存阵列是
与A-1 - A18联系地址线访问。在这种模式下，
EEPROM阵列的（x8）中的数据被读出并
编程的DQ0 - DQ7和数组是AC-
cessed与A-1 - A13 。将64个字节的OTP被读
和编程上DQ0 - DQ7和被访问
与A-1 - A4和A6 = 0 。
地址输入（ A0 - A18 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化上的芯片使能（ EE或EF ）的下降沿
或写使能W的字宽的组织
地址线A0是-A18 ，在字节宽度organisa-
化DQ15A - 1作为一个额外的LSB地址
线。当A9提高到V
ID
，或者读
电子签名的制造商或设备代码，
块保护状态或写块保护
或阻止unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
吨他本身我正
看跌/输出在使用的字节宽度和字处理
广泛的组织。的输入是数据是
存储器阵列或命令的程序
被写入。既被锁止在上升沿
芯片启用（ EE或EF）或写使能W的
输出是从存储器阵列中， Elec-数据
TRONIC签名制造商或设备代码时，
块保护状态或状态寄存器的数据
轮询DQ7位，触发位DQ6和DQ2中，
错误位DQ5或擦除定时器位DQ3 。输出
是有效的，当芯片使能（ EE或EF）和输出
使G为活跃。的输出为高阻抗
当芯片被取消选择或输出是
残疾人和RP的时候是处于较低的水平。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14和DQ15A - 1 ） 。
这些输入/输出的附加使用
字宽的组织。当一个字节是高DQ8-
DQ14和DQ15A -1充当数据的MSB
输入或输出，用作描述DQ0-
DQ7以上，而DQ8 - DQ15是“不关心”的
命令输入或状态输出。当字节是
低， DQ8 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
内存阵列启用（ EE和EF ） 。
内存
阵列启用（ EE或EF ）激活的记忆
控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器。当EE的输入被驱动为高，则
EEPROM存储器阵列未选择;当
EF输入驱动为高电平时，闪存阵列
不选。试图同时访问EEPROM
和Flash阵列（ EE低，低EF ）的forbid-
巢穴。两个存储器阵列之间的切换
启用（ EE和EF ）不得在取得
相同的时钟周期，大于吨的延迟
EHFL
必须
被插入。
该M39832处于待机状态时，无论EF和EE
高（在没有内部擦除或编程
正在运行）。的功率消耗减小到
备用电平与输出处于高
阻抗状态，独立输出的恩
能够G或写使能W输入。
后闲置为150ns和地址时，
自动驱动CMOS电平，芯片
进入伪待机模式下功耗
被减小到CMOS备用值，而
输出继续驱动总线。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。数据输出为高阻抗
当输出使能摹ANCE状态为高电平。
在块保护和块撤消操作
系统蒸发散，对G输入必须被迫V
ID
级（ 12V
+ 0.5V ）（仅适用于Flash存储器阵列） 。
3/36
QQ：2881677436 复制
