1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM注册模块

基于1Gb的A-模具240PIN注册的模块

72位ECC

信息在本文档提供有关三星产品，

并随时更改，恕不另行通知。

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修订版1.2 2005年9月

1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组

目录

DDR2 SDRAM

1.0 DDR2 DIMM登记订购信息............................................ .............................. 4

2.0产品特点........................................................................................................................................ 4

3.0地址配置................................................................................................................4

4.0引脚配置（正面/背面） ........................................ ......................................... 5

5.0引脚说明.............................................................................................................................6

6.0输入/输出功能说明............................................ ................................................. 7

7.0功能块Diagram............................................................................................................8

7.1 1GB ， 128Mx72模块（ M393T2863AZ3 / M393T2863AZA ）

7.2 2GB ， 256Mx72模块（ M393T5663AZ3 / M393T5663AZA ）

7.3 2GB ， 256Mx72模块（ M393T5660AZ3 / M393T5660AZA ）

7.4 4GB ， 512Mx72模块（ M393T5168AZ0 / M393T5166AZA ）

................................................................ 8

.................................................................9

...............................................................10

...............................................................11

8.0绝对最大额定直流电压值............................................. .................................................. 0.12

9.0交流&直流工作条件............................................ .................................................. ... 12

9.1工作温度条件

................................................................................................13

9.2 DC输入逻辑电平

..................................................................................................................13

9.3交流输入逻辑电平

..................................................................................................................13

9.4交流输入测试条件

............................................................................................................13

10.0 IDD规格参数定义............................................. ................................... 14

11.0工作电流表（ 1-1 ） ...................................................................................................15

11.1 M393T2863AZ3 / M393T2863AZA ： 1GB （ 128Mx8 * 9 ）模块

..........................................................15

11.2 M393T5663AZ3 / M393T5663AZA ： 2GB （ 128Mx8 * 18 ）模块

........................................................15

11.3 M393T5660AZ3 / M393T5660AZA ： 2GB （ 256Mx4 * 18 ）模块

........................................................16

11.4 M393T5168AZ0 / M393T5166AZA ： 4GB （ st.512Mx4 * 18 ）模块

....................................................16

12.0输入/输出电容.......................................................................................................17

13.0电气特性&交流时序DDR2-667 / 400分之533 .................................... ........ 18

通过器件密度13.1刷新参数

.....................................................................................

13.2速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌

由速度等级13.3时序参数

18

...........................................18

.........................................................................................18

.................................20

21

14.0物理尺寸............................................................................................................... 20

14.1 128Mbx8基于128Mx72模块（等级1 ）（ M393T2863AZ3 / M393T2863AZA ）

14.2 128Mbx8 / 256Mbx4基于256Mx72模块（ 2/1秩）

（ M393T5663AZ3 / M393T5663AZA / M393T5660AZ3 / M393T5660AZA ）

.............................................

基于512Mx72模块14.3 st.512Mbx4 （ 2级） （ M393T5168AZ0 / M393T5166AZA ）

..............................22

15.0 240针DDR2 DIMM注册时钟拓扑.......................................... ........................ 23

修订版1.2 2005年9月

1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组

修订历史

调整

1.0

1.1

1.2

MONTH

七月

八月

九月

YEAR

2005

2005

2005

- 初始版本

- 修订IDD电流值

- 修改了订购信息

历史

DDR2 SDRAM

修订版1.2 2005年9月

1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组

DDR2 DIMM登记订购信息

产品型号

M393T2863AZ3-CD5/CC

M393T2863AZA-CE6/D5/CC

M393T5663AZ3-CD5/CC

M393T5663AZA-CE6/D5/CC

M393T5660AZ3-CD5/CC

M393T5660AZA-CE6/D5/CC

M393T5168AZ0-CD5/CC

M393T5166AZA-CE6/D5/CC

密度

1GB

1GB

2GB

2GB

2GB

2GB

4GB

4GB

组织

128Mx72

128Mx72

256Mx72

256Mx72

256Mx72

256Mx72

512Mx72

512Mx72

部件组成

128Mx8(K4T1G084QA)*9EA

128Mx8(K4T1G084QA)*9EA

128Mx8(K4T1G084QA)*18EA

128Mx8(K4T1G084QA)*18EA

256Mx4(K4T1G044QA)*18EA

256Mx4(K4T1G044QA)*18EA

st.512Mx4(K4T2G064QA)*18EA

st.512Mx4(K4T2G264QA)*18EA

等级数

1

1

2

2

1

1

2

2

DDR2 SDRAM

奇偶注册

X

O

X

O

X

O

X

O

高度

30mm

30mm

30mm

30mm

30mm

30mm

30mm

30mm

注：部件号（第11位）的“Z ”代表无铅产品。

注： “3”部分的数量（第12位）代表虚设焊盘PCB产品。

注：部件号（第12位）代表奇偶注册产品"A" 。

特点

性能范围

E6(DDR2-667)

Speed@CL3

Speed@CL4

Speed@CL5

CL- tRCD的-TRP

400

533

667

5-5-5

D5(DDR2-533)

400

533

533

4-4-4

CC(DDR2-400)

400

400

-

3-3-3

单位

Mbps的

Mbps的

Mbps的

CK

JEDEC标准的1.8V ± 0.1V电源

V

DDQ

= 1.8V ± 0.1V

200 MHz的F

CK

为400MB /秒/针， 267MHz F

CK

为533MB /秒/针， 333MHz的F

CK

为667Mb /秒/针

8银行

中科院发布

可编程CAS延时： 3 ， 4 ， 5

可编程附加延迟：0， 1 ，2，3和4中

写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1

突发长度： 4,8 （隔行/半字节顺序）

可编程顺序/交错突发模式

双向差分数据选通（单端数据选通是一个可选功能）

片外驱动器（ OCD ）阻抗调整

片上终端与可选值（ 50/75/150欧姆或禁用）

PASR （部分阵列自刷新）

平均更新周期7.8us在比一件T低

例

85°C ， 3.9us在85°C <牛逼

例

< 95

°C

-

支持高温度自刷新速率使得功能

??串行存在检测与EEPROM

DDR2 SDRAM封装： 68ball FBGA - 256Mx4 / 128Mx8 ， 56ball BGA - st.512Mbx4

所有无铅产品符合RoHS指令的

注：有关详细DDR2 SDRAM操作，请参考三星的设备操作&时序图。

.

地址配置

组织

256Mx4 （1GB ）基于模块

128Mx8 （1GB ）基于模块

行地址

A0-A13

A0-A13

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

银行地址

BA0-BA2

BA0-BA2

自动预充电

A10

A10

修订版1.2 2005年9月

1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组

引脚配置（正面/背面）

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

前

V

REF

V

SS

DQ0

DQ1

V

SS

DQS0

DQS0

V

SS

DQ2

DQ3

V

SS

DQ8

DQ9

V

SS

DQS1

DQS1

V

SS

RESET

NC

V

SS

DQ10

DQ11

V

SS

DQ16

DQ17

V

SS

DQS2

DQS2

V

SS

DQ18

针

121

122

123

124

125

126

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

后

V

SS

DQ4

DQ5

V

SS

DM0/DQS9

NC/DQS9

V

SS

DQ6

DQ7

V

SS

DQ12

DQ13

V

SS

DM1/DQS10

NC/DQS10

V

SS

俄罗斯足协

俄罗斯足协

V

SS

DQ14

DQ15

V

SS

DQ20

DQ21

V

SS

DM2/DQS11

NC/DQS11

V

SS

DQ22

DQ23

针

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

前

DQ19

V

SS

DQ24

DQ25

V

SS

DQS3

DQS3

V

SS

DQ26

DQ27

V

SS

CB0

CB1

V

SS

DQS8

DQS8

V

SS

CB2

CB3

V

SS

V

DDQ

CKE0

V

DD

BA2

NC / Err_Out

V

DDQ

A11

A7

V

DD

A5

针

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160

161

162

163

164

165

166

167

168

169

170

171

172

173

174

175

176

177

178

179

180

后

V

SS

DQ28

DQ29

V

SS

DM3/DQS12

NC/DQS12

V

SS

DQ30

DQ31

V

SS

CB4

CB5

V

SS

DM8/DQS17

NC/DQS17

V

SS

CB6

CB7

V

SS

V

DDQ

CKE1

4

V

DD

NC

NC

V

DDQ

A12

A9

V

DD

A8

A6

65

66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

76

77

78

79

80

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

V

SS

V

SS

V

DD

NC / Par_In

V

DD

A10/AP

BA0

V

DDQ

WE

CAS

V

DDQ

S1

4

ODT1

V

DDQ

V

SS

DQ32

DQ33

V

SS

DQS4

DQS4

V

SS

DQ34

DQ35

V

SS

DQ40

DQ41

针

61

62

63

64

前

A4

V

DDQ

A2

V

DD

针

181

182

183

184

关键

185

186

187

188

189

190

191

192

193

194

195

196

197

198

199

200

201

202

203

204

205

206

207

208

209

210

CK0

CK0

V

DD

A0

V

DD

BA1

V

DDQ

RAS

S0

V

DDQ

ODT0

A13

V

DD

V

SS

DQ36

DQ37

V

SS

DM4/DQS13

NC/DQS13

V

SS

DQ38

DQ39

V

SS

DQ44

DQ45

V

SS

后

V

DDQ

A3

A1

V

DD

针

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

DDR2 SDRAM

前

V

SS

DQS5

DQS5

V

SS

DQ42

DQ43

V

SS

DQ48

DQ49

V

SS

SA2

数控（TEST）

V

SS

DQS6

DQS6

V

SS

DQ50

DQ51

V

SS

DQ56

DQ57

V

SS

DQS7

DQS7

V

SS

DQ58

DQ59

V

SS

SDA

SCL

针

211

212

213

214

215

216

217

218

219

220

221

222

223

224

225

226

227

228

229

230

231

232

233

234

235

236

237

238

239

240

后

DM5/DQS14

NC/DQS14

V

SS

DQ46

DQ47

V

SS

DQ52

DQ53

V

SS

俄罗斯足协

俄罗斯足协

V

SS

DM6/DQS15

NC/DQS15

V

SS

DQ54

DQ55

V

SS

DQ60

DQ61

V

SS

DM7/DQS16

NC/DQS16

V

SS

DQ62

DQ63

V

SS

VDDSPD

SA0

SA1

NC =无连接，足协=保留供以后使用

1. RESET （引脚18 ）连接到PLL的两个OE和复位寄存器。

2.测试引脚（引脚102 ）被保留用于总线分析探针和连接不正常的内存模块（DIMM ）

3. NC / Err_Out （引脚55 ）和NC / Par_In （引脚68 ）是可选的函数来检查地址和命令校验。

4. CKE1 ， S1引脚用于双面注册的DIMM。

引脚说明

引脚名称

CK0

CK0

CKE0 ， CKE1

RAS

CAS

WE

S0, S1

A0~A9, A11~A13

A10/AP

BA0~BA2

SCL

SDA

SA0~SA2

Par_In

Err_Out

RESET

描述

时钟输入端，正线

时钟输入端，负极线

时钟使能

行地址选通

列地址选通

写使能

芯片选择

地址输入

地址输入/ Autoprecharge

DDR2 SDRAM行地址

串行存在检测（ SPD ）时钟输入

SPD数据输入/输出

SPD地址

奇偶校验位的地址和控制总线

在地址和控制总线发现奇偶校验错误

寄存器和PLL控制引脚

引脚名称

ODT0~ODT1

DQ0~DQ63

CB0~CB7

DQS0~DQS8

DQS0~DQS8

DQS9~DQS17

俄罗斯足协

NC

TEST

V

DD

V

DDQ

V

SS

V

REF

V

DDSPD

描述

片上终端

数据输入/输出

数据校验位输入/输出

数据选通信号

数据选通信号，负线

数据选通脉冲（读） ，负极线

留作将来使用

无连接

内存总线测试工具

（不连接，并没有可用的DIMM上）

核心动力

I / O电源

地

输入/输出参考

SPD电源

DM （ 0 8 ） ， DQS （ 9 17 ）数据掩码/数据选通（读）

* VDD和VDDQ引脚连接到单电源平面的PCB 。

修订版1.2 2005年9月