M390S2858CTU
M390S2858CTU SDRAM DIMM
PC133 / PC100低调注册DIMM
128Mx72 SDRAM DIMM带PLL &注册的基础上堆积128Mx4 ， 4Banks 8K参考， 3.3V的SDRAM与SPD
概述
三星M390S2858CTU是128M位x 72同步的
知性动态RAM的高密度内存模块。该SAM-
宋M390S2858CTU由18 CMOS堆栈
三TSOP- II 400mil 128Mx4位同步DRAM
包，输入控制信号2个18位的驱动芯片， 1
PLL采用24引脚TSSOP封装的时钟和一个2K EEPROM
采用8引脚TSSOP封装的串行存在于168-检测
销的玻璃环氧基板。两个0.1uF的去耦电容
被安装在所述印刷电路板在平行于各
SDRAM 。该M390S2858CTU是双列直插内存模组
ULE并intented安装到168针边缘连接器
插槽。
同步设计允许通过使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每时钟
周期。的工作频率，可编程laten-范围
连锁商店允许相同的设备可用于各种高有用
带宽，高性能存储系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
M390S2858CTU-C7C
M390S2858CTU-C7A
M390S2858CTU-C1H
M390S2858CTU-C1L
最大频率。 （速度）
为133MHz （ 7.5ns @ CL = 2 ）
为133MHz （ 7.5ns @ CL = 3 ）
为100MHz （ 10ns的@ CL = 2 ）
为100MHz （ 10ns的@ CL = 3 ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 8192周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,200mil ）
双面组件
引脚配置（正面/背面）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
前
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE
DQM0
针
前
针
前
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
*V
REF
*CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
*CLK2
NC
NC
** SDA
** SCL
V
DD
针
后
针
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
后
DQM5
CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
*CLK1
A12
V
SS
CKE0
CS3
DQM6
DQM7
*A13
V
DD
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
针
后
29 DQM1 57
58
CS0
30
59
31
DU
60
32
V
SS
61
33
A0
62
34
A2
63
35
A4
64
36
A6
65
37
A8
38 A10 / AP 66
67
39
BA1
68
40
V
DD
69
41
V
DD
42 CLK0 70
71
43
V
SS
44
DU
72
73
45
CS2
46 DQM2 74
47 DQM3 75
76
48
DU
77
49
V
DD
78
50
NC
79
51
NC
80
52
CB2
81
53
CB3
82
54
V
SS
55 DQ16 83
56 DQ17 84
V
SS
85
86 DQ32
87 DQ33
88 DQ34
89 DQ35
V
DD
90
91 DQ36
92 DQ37
93 DQ38
94 DQ39
95 DQ40
V
SS
96
97 DQ41
98 DQ42
99 DQ43
100 DQ44
101 DQ45
102 V
DD
103 DQ46
104 DQ47
105 CB4
106 CB5
107
V
SS
NC
108
NC
109
110 V
DD
111 CAS
112 DQM4
141 DQ50
142 DQ51
143 V
DD
144 DQ52
NC
145
146 *V
REF
147 REGE
148
V
SS
149 DQ53
150 DQ54
151 DQ55
152
V
SS
153 DQ56
154 DQ57
155 DQ58
156 DQ59
157 V
DD
158 DQ60
159 DQ61
160 DQ62
161 DQ63
V
SS
162
163 * CLK3
NC
164
165 ** SA0
166 ** SA1
167 ** SA2
168 V
DD
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A12
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CB0 CB7
CLK0
CKE0
CS0 CS3
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
*V
REF
雷杰
SDA
SCL
SA0 2
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
校验位（数据输入/数据输出）
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
Colume地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
电源为参考
注册启用
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
不使用
无连接
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
M390S2858CTU
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133 / PC100低调注册DIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA12 ，列地址： CA0 CA9 ， CA11
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
该器件工作在透明模式时，雷杰低。当雷杰高，
该器件工作在注册模式。在注册模式中，地址和反对
控制输入锁存如果CLK被保持在一个高或低逻辑电平。输入被存储在
在CLK的上升沿锁存器/触发器。雷杰被连接到V
DD
通过10K欧姆
电阻在PCB上。因此，如果模块的雷杰是浮动的，该模块将作为稳压运行
istered模式。
数据输入/输出复用在相同的针。
校验位用于ECC 。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A12
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
雷杰
注册启用
DQ0 63
CB0 7
V
DD
/V
SS
数据输入/输出
校验位
电源/接地
REV 。 2001年九月0.1
M390S2858CTU
PC133 / PC100低调注册DIMM
与PLL &寄存器（ CL = 2 ， BL = 4 ）标准时序图
*2
*1
控制信号（ RAS ， CAS ， WE）
REG
*3
D
OUT
* 1 。注册输入
0
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
RAS
CAS
WE
* 2 。寄存器输出
RAS
td
tr
td
tr
CAS
WE
* 3 。 SDRAM
CAS等待时间（参见* 1）
=2CLK+1CLK
TSAC
TRAC （参照* 1）
1CLK
DQ
TRAC （参照* 2）
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
CAS等待时间（参见* 2）
=2CLK
TRDL
行活动
读
命令
预充电
命令
行活动
写
命令
预充电
命令
TD TR寄存器，延时=
(74ALVCF162835)
注意事项：
1.如遇模块时序，指令周期延迟1CLK相对于外部输入时序的地址和输入信号
由于在寄存器中的缓冲。因此，读/写功能的输入/输出信号应
发行1CLK早些时候相比，非缓冲DIMM 。
2. D
IN
是要写入命令后，由于D外部定时发出1clock
IN
直接发给模块。
：唐
′t
CARE
REV 。 2001年九月0.1
M390S2858CTU
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
PC133 / PC100低调注册DIMM
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
36
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IN7
C
OUT
C
OUT
1
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
15
15
15
20
15
15
15
22
22
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
12
)
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ CLK0 ）
输入电容（ CS0 ， CS2 ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
输入电容（ BA0 BA1 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
数据输入/输出电容（ CB0 CB7 ）
REV 。 2001年九月0.1
QQ：2880707522 复制
