英制
MIL-M-38510/101J
2003年2月7日
取代
MIL-M-38510/101H
○○一年十月三十
军事科幻特定阳离子
微电路，线性，运算放大器，单片硅
该规范被批准用于所有部门和国防部的机构使用。
1995年7月13日之后，不适用于新的设计。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅，运算放大器的具体要求。两款产品
提供了每种类型的保障类和案例的选择，外形和引线完成并反映在完整
零件号。对于这款产品， MIL - M- 38510的要求已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.3） 。
1.2产品编号。完整的零件数量应符合MIL -PRF- 38535 ，并指定在此..
1.2.1设备类型。设备类型应在下文中，如下所示：
设备类型
01
02
03
04
05
06
07
08
电路
单运算放大器 - 内部补偿
双运算放大器 - 内部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
单运算放大器，高速
双运算放大器 - 内部补偿
1.2.2设备类。设备类应按MIL -PRF- 38535中定义的产品保证水平。
______
1 /设备类型05和06可以是整体的，或者它们可以由两个单独的，独立的管芯。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用
改善这种文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，
联系人： DSCC - VAS ， 3990东宽街，哥伦布，OH 43216-5000 ，通过使用标准化
文档改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5962
MIL-M-38510/101J
1.2.3案例概述。案件轮廓应在指定的MIL- STD- 1835 ，如下所示：
概要信
A 2/
B 2/
C
D
E
F
G
H
I
P
Z
2
描述性标志
GDFP5 - F14或CDFP6 -F14
GDFP4-14
GDIP1 - T14或CDIP2 -T14
GDFP1 - F14或CDFP2 -F14
GDIP1 - T16或CDIP2 -T16
GDFP2 - F16或CDFP3 -F16
MACY1-X8
GDFP1 - F10或CDFP2 -F10
MACY1-X10
GDIP1 - T8或CDIP2 -T8
GDFP1-G10
CQCC1-N20
码头
14
14
14
14
16
16
8
10
10
8
10
20
包装样式
扁平封装
扁平封装
双列直插式
扁平封装
双列直插式
扁平封装
可以
扁平封装
可以
双列直插式
扁平封装用引线鸥翼式
方形无引线芯片载体
1.3绝对最大额定值。
电源电压范围（V
CC
).............................................................................
±22
V DC 3 /
输入电压范围............................................... ..........................................
±20
V DC 4 /
差分输入电压范围.............................................. .........................
±30
V DC 5 /
输入电流范围............................................... .......................................... -0.1 mA至10毫安
存储温度范围............................................... .............................. -65 ° C至+ 150°C
输出短路持续时间............................................. ...............................无限6 /
引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ........... + 300℃
结温（T
J
) ............................................................................... +175°C 7/
1.4推荐工作条件。
电源电压（V
CC
) ......................................................................................
±5
V直流
±20
V DC
环境温度范围（T
A
） ................................................. ................... -55 ° C至+ 125°C
______
2 /停用包案轮廓。
3 /电压超过这些可施加短期测试，如果电压差不超过44伏。
4 /对于供电电压小于
±20
伏直流电，绝对最大输入电压等于电源电压。
5 /对于设备类型04 ， 06 ，和07只，这一评级是
±1.0
V除非2 kΩ或更大的电阻插入
串联在输入端，以限制电流在输入并联二极管的最大允许值。
6 /短路可能是地面或任一电源。评级适用于+ 125°C的外壳温度或+ 75°C
环境温度。
7 /对于短期试验（在具体的老化和寿命测试配置需要和高达168小时，此时
最大）T
J
= +275°C.
2
MIL-M-38510/101J
1.5电源和散热特性。
案例大纲
A，B ，D
C， E，P
G
I
H
F
Z
2
最大允许功率
耗散
350毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
350毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
8 /在T
A
= +125°C
最大
最大
θ
JC
60°C/W
35°C/W
40°C/W
40°C/W
60°C/W
35°C/W
21°C/W
60°C/W
θ
JA
140°C/W
120°C/W
150°C/W
140°C/W
150°C/W
120°C/W
225 ° C / W静止空气
142 ° C / W 500 LFPM
120°C/W
2.适用文件
2.1政府文件。
2.1.1规格，标准和手册。下面的规格和标准，形成了这项工作的一部分
说明书中对本发明中规定的范围。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的
招标或合同。
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-38535
- 集成电路（微型）制造，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-883
MIL-STD-1835
- 测试方法标准的微电子。
- 接口标准的电子元器件大纲。
（这些文件的副本可从标准化文件令台， 700罗宾斯大道，大厦
如图4D所示，费城，宾夕法尼亚州19111-5094或http://astimage.daps.dla.mil/quicksearch/或www.dodssp.daps.mil ）。
2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献之间存在冲突的情况下
该文件应优先的文本。本文件的内容，但是，取代了现行法律和
规定除非特定豁免已获得。
______
8/ P
D
= 102毫瓦的设备类型01. P
D
= 75毫瓦的设备类型03. P
D
= 149毫瓦的设备类型04 。
3
MIL-M-38510/101J
3.要求
3.1资格。微型根据本规范的装修应是由生产的产品
授权资格的活动上适用的合格厂家生产上市合约前列出
奖项（见4.3和6.4 ） 。
3.2项目的要求。个别项目要求应符合MIL -PRF- 38535和规定
本文或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改应
如本文所述不影响的形式，尺寸或功能。
3.3设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应为
在MIL -PRF- 38535和本文规定。
3.3.1终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。
3.3.2电路原理图。该电路原理图应由制造商进行维护和提供给
排位赛活动及其制备活性（ DSCC - VAS）要求。
3.3.3案例概述。案件轮廓应按1.2.3规定。
3.4铅材料和面漆。铅材料及表面处理应符合MIL -PRF- 38535 （见6.6 ） 。
3.5电气性能特性。下面的电性能特性适用于整个
-55 ° C至+ 125°C和电源电压工作环境温度范围
±5
V直流
±20
V直流，除非另有
规定（见表一）。
3.5.1偏移零电路。每个放大器具有置零投入（设备类型01 ， 02 ， 03 ， 05 ， 07 ）应能
正在调零1毫伏超出规定的失调电压限值-55°C
≤
T
A
≤
+ 125 ℃，用图2的电路。
3.5.2频率补偿。当一个单位增益操作的设备类型01 ， 02 ， 07 ，和08应是自由振荡
非反相模式下，无需外部补偿和源电阻
≤
10千欧，并且在任何试验操作时
条件是，这里指定。当与30 pF的补偿设备类型03 ， 04 ， 05 ，和06应无振动
电容对所有增益配置或增益为10时，使用一个3 pF电容。
3.6离子烫。离子烫应符合MIL -PRF- 38535 。
3.7电气试验的要求。每个设备类电气试验要求应在分组中指定
表二。电气测试每个子组中的表III中描述。
3.8标记。标志应符合MIL -PRF- 38535 。
3.9微电路组分配。适用本规范中的设备应微电路组49号
（见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。
4
英制
MIL-M-38510/101J
2003年2月7日
取代
MIL-M-38510/101H
○○一年十月三十
军事科幻特定阳离子
微电路，线性，运算放大器，单片硅
该规范被批准用于所有部门和国防部的机构使用。
1995年7月13日之后，不适用于新的设计。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅，运算放大器的具体要求。两款产品
提供了每种类型的保障类和案例的选择，外形和引线完成并反映在完整
零件号。对于这款产品， MIL - M- 38510的要求已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.3） 。
1.2产品编号。完整的零件数量应符合MIL -PRF- 38535 ，并指定在此..
1.2.1设备类型。设备类型应在下文中，如下所示：
设备类型
01
02
03
04
05
06
07
08
电路
单运算放大器 - 内部补偿
双运算放大器 - 内部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
单运算放大器，高速
双运算放大器 - 内部补偿
1.2.2设备类。设备类应按MIL -PRF- 38535中定义的产品保证水平。
______
1 /设备类型05和06可以是整体的，或者它们可以由两个单独的，独立的管芯。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用
改善这种文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，
联系人： DSCC - VAS ， 3990东宽街，哥伦布，OH 43216-5000 ，通过使用标准化
文档改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5962
MIL-M-38510/101J
1.2.3案例概述。案件轮廓应在指定的MIL- STD- 1835 ，如下所示：
概要信
A 2/
B 2/
C
D
E
F
G
H
I
P
Z
2
描述性标志
GDFP5 - F14或CDFP6 -F14
GDFP4-14
GDIP1 - T14或CDIP2 -T14
GDFP1 - F14或CDFP2 -F14
GDIP1 - T16或CDIP2 -T16
GDFP2 - F16或CDFP3 -F16
MACY1-X8
GDFP1 - F10或CDFP2 -F10
MACY1-X10
GDIP1 - T8或CDIP2 -T8
GDFP1-G10
CQCC1-N20
码头
14
14
14
14
16
16
8
10
10
8
10
20
包装样式
扁平封装
扁平封装
双列直插式
扁平封装
双列直插式
扁平封装
可以
扁平封装
可以
双列直插式
扁平封装用引线鸥翼式
方形无引线芯片载体
1.3绝对最大额定值。
电源电压范围（V
CC
).............................................................................
±22
V DC 3 /
输入电压范围............................................... ..........................................
±20
V DC 4 /
差分输入电压范围.............................................. .........................
±30
V DC 5 /
输入电流范围............................................... .......................................... -0.1 mA至10毫安
存储温度范围............................................... .............................. -65 ° C至+ 150°C
输出短路持续时间............................................. ...............................无限6 /
引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ........... + 300℃
结温（T
J
) ............................................................................... +175°C 7/
1.4推荐工作条件。
电源电压（V
CC
) ......................................................................................
±5
V直流
±20
V DC
环境温度范围（T
A
） ................................................. ................... -55 ° C至+ 125°C
______
2 /停用包案轮廓。
3 /电压超过这些可施加短期测试，如果电压差不超过44伏。
4 /对于供电电压小于
±20
伏直流电，绝对最大输入电压等于电源电压。
5 /对于设备类型04 ， 06 ，和07只，这一评级是
±1.0
V除非2 kΩ或更大的电阻插入
串联在输入端，以限制电流在输入并联二极管的最大允许值。
6 /短路可能是地面或任一电源。评级适用于+ 125°C的外壳温度或+ 75°C
环境温度。
7 /对于短期试验（在具体的老化和寿命测试配置需要和高达168小时，此时
最大）T
J
= +275°C.
2
MIL-M-38510/101J
1.5电源和散热特性。
案例大纲
A，B ，D
C， E，P
G
I
H
F
Z
2
最大允许功率
耗散
350毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
350毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
8 /在T
A
= +125°C
最大
最大
θ
JC
60°C/W
35°C/W
40°C/W
40°C/W
60°C/W
35°C/W
21°C/W
60°C/W
θ
JA
140°C/W
120°C/W
150°C/W
140°C/W
150°C/W
120°C/W
225 ° C / W静止空气
142 ° C / W 500 LFPM
120°C/W
2.适用文件
2.1政府文件。
2.1.1规格，标准和手册。下面的规格和标准，形成了这项工作的一部分
说明书中对本发明中规定的范围。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的
招标或合同。
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-38535
- 集成电路（微型）制造，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-883
MIL-STD-1835
- 测试方法标准的微电子。
- 接口标准的电子元器件大纲。
（这些文件的副本可从标准化文件令台， 700罗宾斯大道，大厦
如图4D所示，费城，宾夕法尼亚州19111-5094或http://astimage.daps.dla.mil/quicksearch/或www.dodssp.daps.mil ）。
2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献之间存在冲突的情况下
该文件应优先的文本。本文件的内容，但是，取代了现行法律和
规定除非特定豁免已获得。
______
8/ P
D
= 102毫瓦的设备类型01. P
D
= 75毫瓦的设备类型03. P
D
= 149毫瓦的设备类型04 。
3
MIL-M-38510/101J
3.要求
3.1资格。微型根据本规范的装修应是由生产的产品
授权资格的活动上适用的合格厂家生产上市合约前列出
奖项（见4.3和6.4 ） 。
3.2项目的要求。个别项目要求应符合MIL -PRF- 38535和规定
本文或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改应
如本文所述不影响的形式，尺寸或功能。
3.3设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应为
在MIL -PRF- 38535和本文规定。
3.3.1终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。
3.3.2电路原理图。该电路原理图应由制造商进行维护和提供给
排位赛活动及其制备活性（ DSCC - VAS）要求。
3.3.3案例概述。案件轮廓应按1.2.3规定。
3.4铅材料和面漆。铅材料及表面处理应符合MIL -PRF- 38535 （见6.6 ） 。
3.5电气性能特性。下面的电性能特性适用于整个
-55 ° C至+ 125°C和电源电压工作环境温度范围
±5
V直流
±20
V直流，除非另有
规定（见表一）。
3.5.1偏移零电路。每个放大器具有置零投入（设备类型01 ， 02 ， 03 ， 05 ， 07 ）应能
正在调零1毫伏超出规定的失调电压限值-55°C
≤
T
A
≤
+ 125 ℃，用图2的电路。
3.5.2频率补偿。当一个单位增益操作的设备类型01 ， 02 ， 07 ，和08应是自由振荡
非反相模式下，无需外部补偿和源电阻
≤
10千欧，并且在任何试验操作时
条件是，这里指定。当与30 pF的补偿设备类型03 ， 04 ， 05 ，和06应无振动
电容对所有增益配置或增益为10时，使用一个3 pF电容。
3.6离子烫。离子烫应符合MIL -PRF- 38535 。
3.7电气试验的要求。每个设备类电气试验要求应在分组中指定
表二。电气测试每个子组中的表III中描述。
3.8标记。标志应符合MIL -PRF- 38535 。
3.9微电路组分配。适用本规范中的设备应微电路组49号
（见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。
4
英制
MIL-M-38510/101J
2003年2月7日
取代
MIL-M-38510/101H
○○一年十月三十
军事科幻特定阳离子
微电路，线性，运算放大器，单片硅
该规范被批准用于所有部门和国防部的机构使用。
1995年7月13日之后，不适用于新的设计。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了单片硅，运算放大器的具体要求。两款产品
提供了每种类型的保障类和案例的选择，外形和引线完成并反映在完整
零件号。对于这款产品， MIL - M- 38510的要求已经取代了MIL -PRF- 38535 ， （见6.3） 。
1.2产品编号。完整的零件数量应符合MIL -PRF- 38535 ，并指定在此..
1.2.1设备类型。设备类型应在下文中，如下所示：
设备类型
01
02
03
04
05
06
07
08
电路
单运算放大器 - 内部补偿
双运算放大器 - 内部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
单路运算放大器 - 外部补偿
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
双运算放大器 - 外部补偿的1 /
单运算放大器，高速
双运算放大器 - 内部补偿
1.2.2设备类。设备类应按MIL -PRF- 38535中定义的产品保证水平。
______
1 /设备类型05和06可以是整体的，或者它们可以由两个单独的，独立的管芯。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用
改善这种文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，
联系人： DSCC - VAS ， 3990东宽街，哥伦布，OH 43216-5000 ，通过使用标准化
文档改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5962
MIL-M-38510/101J
1.2.3案例概述。案件轮廓应在指定的MIL- STD- 1835 ，如下所示：
概要信
A 2/
B 2/
C
D
E
F
G
H
I
P
Z
2
描述性标志
GDFP5 - F14或CDFP6 -F14
GDFP4-14
GDIP1 - T14或CDIP2 -T14
GDFP1 - F14或CDFP2 -F14
GDIP1 - T16或CDIP2 -T16
GDFP2 - F16或CDFP3 -F16
MACY1-X8
GDFP1 - F10或CDFP2 -F10
MACY1-X10
GDIP1 - T8或CDIP2 -T8
GDFP1-G10
CQCC1-N20
码头
14
14
14
14
16
16
8
10
10
8
10
20
包装样式
扁平封装
扁平封装
双列直插式
扁平封装
双列直插式
扁平封装
可以
扁平封装
可以
双列直插式
扁平封装用引线鸥翼式
方形无引线芯片载体
1.3绝对最大额定值。
电源电压范围（V
CC
).............................................................................
±22
V DC 3 /
输入电压范围............................................... ..........................................
±20
V DC 4 /
差分输入电压范围.............................................. .........................
±30
V DC 5 /
输入电流范围............................................... .......................................... -0.1 mA至10毫安
存储温度范围............................................... .............................. -65 ° C至+ 150°C
输出短路持续时间............................................. ...............................无限6 /
引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ........... + 300℃
结温（T
J
) ............................................................................... +175°C 7/
1.4推荐工作条件。
电源电压（V
CC
) ......................................................................................
±5
V直流
±20
V DC
环境温度范围（T
A
） ................................................. ................... -55 ° C至+ 125°C
______
2 /停用包案轮廓。
3 /电压超过这些可施加短期测试，如果电压差不超过44伏。
4 /对于供电电压小于
±20
伏直流电，绝对最大输入电压等于电源电压。
5 /对于设备类型04 ， 06 ，和07只，这一评级是
±1.0
V除非2 kΩ或更大的电阻插入
串联在输入端，以限制电流在输入并联二极管的最大允许值。
6 /短路可能是地面或任一电源。评级适用于+ 125°C的外壳温度或+ 75°C
环境温度。
7 /对于短期试验（在具体的老化和寿命测试配置需要和高达168小时，此时
最大）T
J
= +275°C.
2
MIL-M-38510/101J
1.5电源和散热特性。
案例大纲
A，B ，D
C， E，P
G
I
H
F
Z
2
最大允许功率
耗散
350毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
350毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
400毫瓦在T
A
= +125°C
330毫瓦在T
A
= +125°C
8 /在T
A
= +125°C
最大
最大
θ
JC
60°C/W
35°C/W
40°C/W
40°C/W
60°C/W
35°C/W
21°C/W
60°C/W
θ
JA
140°C/W
120°C/W
150°C/W
140°C/W
150°C/W
120°C/W
225 ° C / W静止空气
142 ° C / W 500 LFPM
120°C/W
2.适用文件
2.1政府文件。
2.1.1规格，标准和手册。下面的规格和标准，形成了这项工作的一部分
说明书中对本发明中规定的范围。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的
招标或合同。
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-38535
- 集成电路（微型）制造，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-883
MIL-STD-1835
- 测试方法标准的微电子。
- 接口标准的电子元器件大纲。
（这些文件的副本可从标准化文件令台， 700罗宾斯大道，大厦
如图4D所示，费城，宾夕法尼亚州19111-5094或http://astimage.daps.dla.mil/quicksearch/或www.dodssp.daps.mil ）。
2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献之间存在冲突的情况下
该文件应优先的文本。本文件的内容，但是，取代了现行法律和
规定除非特定豁免已获得。
______
8/ P
D
= 102毫瓦的设备类型01. P
D
= 75毫瓦的设备类型03. P
D
= 149毫瓦的设备类型04 。
3
MIL-M-38510/101J
3.要求
3.1资格。微型根据本规范的装修应是由生产的产品
授权资格的活动上适用的合格厂家生产上市合约前列出
奖项（见4.3和6.4 ） 。
3.2项目的要求。个别项目要求应符合MIL -PRF- 38535和规定
本文或修改设备制造商的质量管理（ QM ）计划。在质量管理计划的修改应
如本文所述不影响的形式，尺寸或功能。
3.3设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应为
在MIL -PRF- 38535和本文规定。
3.3.1终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。
3.3.2电路原理图。该电路原理图应由制造商进行维护和提供给
排位赛活动及其制备活性（ DSCC - VAS）要求。
3.3.3案例概述。案件轮廓应按1.2.3规定。
3.4铅材料和面漆。铅材料及表面处理应符合MIL -PRF- 38535 （见6.6 ） 。
3.5电气性能特性。下面的电性能特性适用于整个
-55 ° C至+ 125°C和电源电压工作环境温度范围
±5
V直流
±20
V直流，除非另有
规定（见表一）。
3.5.1偏移零电路。每个放大器具有置零投入（设备类型01 ， 02 ， 03 ， 05 ， 07 ）应能
正在调零1毫伏超出规定的失调电压限值-55°C
≤
T
A
≤
+ 125 ℃，用图2的电路。
3.5.2频率补偿。当一个单位增益操作的设备类型01 ， 02 ， 07 ，和08应是自由振荡
非反相模式下，无需外部补偿和源电阻
≤
10千欧，并且在任何试验操作时
条件是，这里指定。当与30 pF的补偿设备类型03 ， 04 ， 05 ，和06应无振动
电容对所有增益配置或增益为10时，使用一个3 pF电容。
3.6离子烫。离子烫应符合MIL -PRF- 38535 。
3.7电气试验的要求。每个设备类电气试验要求应在分组中指定
表二。电气测试每个子组中的表III中描述。
3.8标记。标志应符合MIL -PRF- 38535 。
3.9微电路组分配。适用本规范中的设备应微电路组49号
（见MIL -PRF- 38535 ，附录A） 。
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