M36LLR8760T1 ， M36LLR8760D1

M36LLR8760M1 ， M36LLR8760B1

256 + 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存

64兆位（突发）的PSRAM ， 1.8V电源，多芯片封装

目标特定网络阳离子

功能摘要

■

■

■

■

多芯片封装

- 1模256兆位（ 16Mb的X16 ，多

银行，多层次，突发）闪存

- 1模128兆位（8MB X16 ，多个银行，

多层次，突发）闪存

- 1模64兆位（4MB ×16）的伪SRAM

电源电压

– V

DDF1

= V

DDF2

= V

CCP

= V

DDQF

= 1.7

1.95V

– V

PPF

= 9V快速程序（ 12V宽容）

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 顶级配置（上衣+上）

M36LLR8760T1 ： 880Dh + 88C4h

- 混合配置（底部+顶部）

M36LLR8760D1 ： 880Eh + 88C4h

- 混合配置（上+下）

M36LLR8760M1 ： 880Dh + 88C5h

- 底部结构（底部+下）

M36LLR8760B1 ： 880Eh + 88C5h

包

- 符合无铅焊接

过程的

- 无铅版本

图1.包装

FBGA

LFBGA88 （ ZAQ ）

8× 10毫米

■

■

■

■

■

闪存

■

■

■

■

同步/异步读取

- 同步突发读取模式： 54MHz的

- 异步页读模式

- 随机访问： 85ns

同步突发读暂停

编程时间

- 为10μs典型的Word程序时使用

缓冲增强工厂计划

命令

存储器组织

- 多组内存阵列：

16兆位银行的256兆内存

8兆位银行为128兆内存

- 参数块（顶部或底部）

通用闪存接口（ CFI ）

每10万编程/擦除周期

块

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- WP

F

座向下锁定

- 绝对的写保护与V

PPF

= V

SS

PSRAM

■

■

■

■

访问时间： 70ns的

异步页读

- 页面大小： 16个字

- 在随后的页面读取： 20ns的

低功耗特性

- 温度补偿刷新

（ TCR）的

- 部分阵列刷新（ PAR ）

- 深度掉电（ DPD ）模式

同步突发读/写

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2005年7月

这是要开发上forseen一种新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。

M36LLR8760T1 ， M36LLR8760D1 ， M36LLR8760M1 ， M36LLR8760B1

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

闪存。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1.包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

PSRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图3. LFBGA连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A0 - A23 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

锁存使能（L ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

时钟（ K） ... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

等待（等待） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

闪存芯片的使能输入（E

F1

, E

F2

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪光输出使能输入（G

F1

, G

F2

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写使能（W

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写保护（WP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存复位（ RP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM芯片使能输入（E

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM写使能（W

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM输出使能（G

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM高字节使能（ UB

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM低字节使能（ LB

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM配置寄存器使能（ CR

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

V

DDF1

/V

DDF2

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

CCP

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

DDQF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表2，主要工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表4.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

图5. AC测量I / O的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

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M36LLR8760T1 ， M36LLR8760D1 ， M36LLR8760M1 ， M36LLR8760B1

图6 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

闪1直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪2直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

1闪光和Flash 2直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

图7. LFBGA88 8x10mm ， 8×10球阵列 - 0.8mm间距，仰视图封装外形。 。 。 。 15

表10.堆积LFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，封装数据。 。 。 。 。 15

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表11.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表12.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

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M36LLR8760T1 ， M36LLR8760D1 ， M36LLR8760M1 ， M36LLR8760B1

概要说明

该

M36LLR8760T1,

M36LLR8760D1,

M36LLR8760M1和M36LLR8760B1结合

在一个多芯片封装3存储器装置：

■

一个256兆位，多个银行闪存存储器，所述

M30L0R8000 （T / B ） 0 （闪光灯1 ）

■

一个128兆位，多个银行闪存存储器，所述

M58LR128GT / B （闪光2 ）

■

一个64兆位PseudoSRAM的M69KB096AA 。

关于如何使用memo-详细信息

Ry的组件，请参阅M30L0R8000 （T / B）的0 ，

M58LR128GT / B和M69KB096AA数据表

这可从当地的STMicroelec-

TRONICS分配器和应读要结合

和灰与M36LLR8760x1数据表。

什么M36LLR8760T1之间是不同的，

M36LLR8760D1和M36LLR8760B1是CON组

成形的两种闪存：

■

在M36LLR8760T1 ，闪光灯1和Flash 2

两者有一个顶级的配置（参数

位于该地址的顶块

空间）。

■

在M36LLR8760D1 ，闪光1有一个底

配置（参数块在

该地址空间的底部）和Flash 2具有

顶级配置。

■

在M36LLR8760M1 ，闪光1的顶部

配置和Flash 2具有底

配置。

■

在M36LLR8760B1 ，无论是闪存和1

闪2有一个底部结构。

推荐工作条件不允许

一个以上的存储器处于活动状态的同时

时间。

回忆提供了堆叠LFBGA88

（ 8× 10mm的8×10球阵列， 0.8mm间距）封装

年龄。

除了标准的版本，所述包是

也可在无铅版本，符合

符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ST ECOPACK

7191395规范，并符合RoHS （限制

有害物质）指令。所有封装

符合无铅焊接工艺。

所述存储器与所有位擦除供给

（设置为' 1'） 。

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M36LLR8760T1 ， M36LLR8760D1 ， M36LLR8760M1 ， M36LLR8760B1

图2.逻辑图

V

DDQF

V

PPF

V

CCP

16

DQ0-DQ15

表1.信号名称

A0-A23

(1)

地址输入

V

DDF1

V

DDF2

24

A0-A23

DQ0 - DQ15通用数据输入/输出

L

K

等待

V

DDF1

通用闪存和PSRAM锁存

使能输入

通用闪存和PSRAM突发时钟

在突发模式等待数据为闪存

回忆和PSRAM

闪光1电源

闪光2电源

通用闪存供应的I / O缓冲器

通用闪存可选电源电压

对于快速的程序擦除&

普通，地面

PSRAM电源

在内部没有连接

不使用的内部连接

E

F1

G

F1

E

F2

G

F2

W

F

RP

F

WP

F

L

K

E

P

G

P

W

P

CR

P

UB

P

LB

P

M36LLR8760T1

M36LLR8760D1

M36LLR8760M1

M36LLR8760B1

等待

V

DDF2

V

DDQF

V

PPF

V

SS

V

CCP

NC

DU

闪存信号

E

F1

G

F1

闪光1芯片使能输入

1闪光输出使能输入

闪光2芯片使能输入

闪光2输出使能输入

常见的闪存写使能

输入

常见的闪存复位输入

常见的闪存写保护

输入

VSS

AI10908b

E

F2

G

F2

W

F

RP

F

WP

F

PSRAM信号

E

P

G

P

W

P

CR

P

UB

P

LB

P

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

配置寄存器使能输入

高字节使能输入

低字节使能输入

注：1， A22是地址输入两个闪存只有回忆。

A23是只有256Mb的闪存组件。

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