M36L0T7050T0

M36L0T7050B0

的128Mbit （多银行，多层次，突发）闪存

32兆（ 2M ×16） PSRAM ，多芯片封装

功能摘要

多芯片封装

- 1的128Mbit （ 8Mx16 ，多个银行的模具，

多层次，突发）闪存

- 1 32兆（ 2Mx16 ）的模具伪SRAM

■

电源电压

– V

DDF

= 1.7 2V

– V

DDP

= V

DDQ

= 2.7 3.3V

– V

PP

= 9V快速程序（ 12V宽容）

■

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 设备代码（上闪存配置）

M36L0T7050T0 ： 88C4h

- 设备代码（底部闪光

配置） M36L0T7050B0 ： 88C5h

■

包

- 符合无铅焊接

过程的

- 无铅版本

FL灰内存

■

同步/异步读取

- 同步突发读取模式： 50MHz的

- 异步页读模式

- 随机存取：为90ns

■

同步突发读暂停

■

编程时间

- 为10μs典型的Word程序时使用

写缓冲和程序

■

存储器组织

- 多组内存阵列： 8兆位

银行

- 参数块（顶部或底部

位置）

■

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

■

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

■

图1.包装

FBGA

TFBGA88 （ ZAQ ）

8× 10毫米

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- 对于WP块锁向下

- 绝对的写保护与V

PP

= V

SS

■

通用闪存接口（ CFI ）

■

每10万编程/擦除周期

块

PSRAM

■

访问时间： 70ns的

■

低待机电流： 100μA

■

深度掉电电流：10μA

■

字节控制： UB

P

/磅

P

■

可编程部分阵列

■

8字的页面访问能力： 18ns

■

掉电模式

- 深度掉电

■

- 4兆位部分阵列刷新

- 8兆比特部分阵列刷新

- 16 Mbit的部分阵列刷新

十二月2004

1/18

M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

FLASH MEMORY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1.包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

PSRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A0 - A22 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

闪存芯片使能（E

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪光输出使能（G

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写使能（W

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写保护（WP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存复位（ RP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存锁存使能（L

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash时钟（K

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash等待（等待

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

芯片使能（ E1

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

芯片使能（E2

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

输出使能（G

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

写使能（W

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

高字节使能（ UB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

低字节使能（ LB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

DD

P电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

DDQ

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表2，主要工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

闪存设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

PSRAM器件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表3.掉电配置数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

2/18

M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

表4.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表5 。

图5中。

图6 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量I / O波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

图7.堆积TFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，底视图Outline15

表10.堆积TFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，封装数据。 。 。 。 。 15

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表11.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表12.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

3/18

M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

概要说明

该M36L0T7050T0和M36L0T7050B0的COM

茎在一个多芯片封装两个存储装置：

一个128兆位，多个银行闪存存储器，所述

M30L0T7000T0或M30L0T7000B0 ，和一个32兆位

PseudoSRAM的M69AW048B 。推荐

操作条件不允许多于一个

存储器是活跃的同时。

该存储器被提供在一个堆叠TFBGA88

（ 8x10mm ， 8×10球阵列， 0.8mm间距）封装。

除了标准的版本中，包

也是无铅版本，在并发症

ANCE符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ECO- ST

PACK 7191395规范，并符合RoHS

（有害物质限制）指令。

所有封装均符合无铅可焊

荷兰国际集团的过程。

所述存储器与所有位擦除供给

（设置为' 1'） 。

图2.逻辑图

V

DDQ

V

DDF

23

A0-A22

DQ0-DQ15

E

F

G

F

W

F

RP

F

WP

F

L

F

K

F

E1

P

G

P

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

M36L0T7050T0

M36L0T7050B0

等待

F

RP

F

WP

F

K

F

等待

F

复位输入

写保护输入

突发时钟

在连拍模式下等待数据

表1.信号名称

A0-A22

(1)

DQ0-DQ15

V

DDF

V

DDQ

V

PPF

V

SS

V

DDP

NC

DU

地址输入

常见的数据输入/输出

电源的闪存

闪存电源的I / O

缓冲器

闪存可选电源电压为快

编程和擦除

地

PSRAM电源

在内部没有连接

不使用的内部连接

闪存信号

L

F

锁存使能输入

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

V

PPF

V

DDP

16

E

F

G

F

W

F

PSRAM信号

E1

P

G

P

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

关断输入

高字节使能输入

低字节使能输入

注：1， A22 -A21是未连接到PSRAM组件。

VSS

AI08734

4/18

M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图）

1

2

3

4

5

6

7

8

A

DU

DU

DU

DU

B

A4

A18

A19

VSS

VDDF

NC

A21

A11

C

A5

LBP

NC

VSS

NC

KF

A22

A12

D

A3

A17

NC

VPPF

WP

EP

A9

A13

E

A2

A7

NC

WPF

LF

A20

A10

A15

F

A1

A6

UBP

RPF

WF

A8

A14

A16

G

A0

DQ8

DQ2

DQ10

DQ5

DQ13

WAITF

NC

H

GP

DQ0

DQ1

DQ3

DQ12

DQ14

DQ7

NC

J

NC

GF

DQ9

DQ11

DQ4

DQ6

DQ15

VDDQ

K

EF

DU

DU

NC

VDDP

NC

VDDQ

E2P

L

VSS

VSS

VDDQ

VDDF

VSS

VSS

VSS

VSS

M

DU

DU

DU

DU

AI08735

5/18

M36L0T7050T0

M36L0T7050B0

的128Mbit （多银行，多层次，突发）闪存

32兆（ 2M ×16） PSRAM ，多芯片封装

功能摘要

多芯片封装

- 1的128Mbit （ 8Mx16 ，多个银行的模具，

多层次，突发）闪存

- 1 32兆（ 2Mx16 ）的模具伪SRAM

■

电源电压

– V

DDF

= 1.7 2V

– V

DDP

= V

DDQ

= 2.7 3.3V

– V

PP

= 9V快速程序（ 12V宽容）

■

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 设备代码（上闪存配置）

M36L0T7050T0 ： 88C4h

- 设备代码（底部闪光

配置） M36L0T7050B0 ： 88C5h

■

包

- 符合无铅焊接

过程的

- 无铅版本

FL灰内存

■

同步/异步读取

- 同步突发读取模式： 50MHz的

- 异步页读模式

- 随机存取：为90ns

■

同步突发读暂停

■

编程时间

- 为10μs典型的Word程序时使用

写缓冲和程序

■

存储器组织

- 多组内存阵列： 8兆位

银行

- 参数块（顶部或底部

位置）

■

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

■

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

■

图1.包装

FBGA

TFBGA88 （ ZAQ ）

8× 10毫米

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- 对于WP块锁向下

- 绝对的写保护与V

PP

= V

SS

■

通用闪存接口（ CFI ）

■

每10万编程/擦除周期

块

PSRAM

■

访问时间： 70ns的

■

低待机电流： 100μA

■

深度掉电电流：10μA

■

字节控制： UB

P

/磅

P

■

可编程部分阵列

■

8字的页面访问能力： 18ns

■

掉电模式

- 深度掉电

■

- 4兆位部分阵列刷新

- 8兆比特部分阵列刷新

- 16 Mbit的部分阵列刷新

十二月2004

1/18

M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

FLASH MEMORY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1.包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

PSRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A0 - A22 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

闪存芯片使能（E

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪光输出使能（G

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写使能（W

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写保护（WP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存复位（ RP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存锁存使能（L

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash时钟（K

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash等待（等待

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

芯片使能（ E1

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

芯片使能（E2

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

输出使能（G

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

写使能（W

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

高字节使能（ UB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

低字节使能（ LB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

DD

P电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

DDQ

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表2，主要工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

闪存设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

PSRAM器件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表3.掉电配置数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

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M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

表4.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表5 。

图5中。

图6 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量I / O波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

图7.堆积TFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，底视图Outline15

表10.堆积TFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，封装数据。 。 。 。 。 15

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表11.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表12.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

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M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

概要说明

该M36L0T7050T0和M36L0T7050B0的COM

茎在一个多芯片封装两个存储装置：

一个128兆位，多个银行闪存存储器，所述

M30L0T7000T0或M30L0T7000B0 ，和一个32兆位

PseudoSRAM的M69AW048B 。推荐

操作条件不允许多于一个

存储器是活跃的同时。

该存储器被提供在一个堆叠TFBGA88

（ 8x10mm ， 8×10球阵列， 0.8mm间距）封装。

除了标准的版本中，包

也是无铅版本，在并发症

ANCE符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ECO- ST

PACK 7191395规范，并符合RoHS

（有害物质限制）指令。

所有封装均符合无铅可焊

荷兰国际集团的过程。

所述存储器与所有位擦除供给

（设置为' 1'） 。

图2.逻辑图

V

DDQ

V

DDF

23

A0-A22

DQ0-DQ15

E

F

G

F

W

F

RP

F

WP

F

L

F

K

F

E1

P

G

P

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

M36L0T7050T0

M36L0T7050B0

等待

F

RP

F

WP

F

K

F

等待

F

复位输入

写保护输入

突发时钟

在连拍模式下等待数据

表1.信号名称

A0-A22

(1)

DQ0-DQ15

V

DDF

V

DDQ

V

PPF

V

SS

V

DDP

NC

DU

地址输入

常见的数据输入/输出

电源的闪存

闪存电源的I / O

缓冲器

闪存可选电源电压为快

编程和擦除

地

PSRAM电源

在内部没有连接

不使用的内部连接

闪存信号

L

F

锁存使能输入

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

V

PPF

V

DDP

16

E

F

G

F

W

F

PSRAM信号

E1

P

G

P

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

关断输入

高字节使能输入

低字节使能输入

注：1， A22 -A21是未连接到PSRAM组件。

VSS

AI08734

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M36L0T7050T0 ， M36L0T7050B0

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图）

1

2

3

4

5

6

7

8

A

DU

DU

DU

DU

B

A4

A18

A19

VSS

VDDF

NC

A21

A11

C

A5

LBP

NC

VSS

NC

KF

A22

A12

D

A3

A17

NC

VPPF

WP

EP

A9

A13

E

A2

A7

NC

WPF

LF

A20

A10

A15

F

A1

A6

UBP

RPF

WF

A8

A14

A16

G

A0

DQ8

DQ2

DQ10

DQ5

DQ13

WAITF

NC

H

GP

DQ0

DQ1

DQ3

DQ12

DQ14

DQ7

NC

J

NC

GF

DQ9

DQ11

DQ4

DQ6

DQ15

VDDQ

K

EF

DU

DU

NC

VDDP

NC

VDDQ

E2P

L

VSS

VSS

VDDQ

VDDF

VSS

VSS

VSS

VSS

M

DU

DU

DU

DU

AI08735

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