M36L0R8060T1

M36L0R8060B1

256兆位（多银行，多层次，突发）闪存

和64兆位（突发）的PSRAM ， 1.8V电源，多芯片封装

功能摘要

多芯片封装

- 1模256兆位（ 16Mb的X16 ，多

银行，多层次，突发）闪存

- 1模64兆位（4MB ×16）的伪SRAM

■

电源电压

– V

DDF

= V

CCP

= V

DDQF

= 1.7 1.95V

– V

PPF

= 9V快速程序（ 12V宽容）

■

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 热门器件代码

M36L0R8060T1 ： 880Dh

- 底设备代码

M36L0R8060B1 ： 880Eh

■

包

- 符合无铅焊接

过程的

- 无铅版本

FL灰内存

■

同步/异步读取

- 同步突发读取模式： 54MHz的

- 异步页读模式

- 随机访问： 85ns

■

同步突发读暂停

■

编程时间

- 为10μs典型的Word程序时使用

缓冲增强工厂计划

命令

■

存储器组织

- 多组内存阵列： 16兆位

银行

- 参数块（顶部或底部

位置）

■

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

■

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

■

图1.包装

FBGA

TFBGA88 （ ZAQ ）

8× 10毫米

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- WP

F

座向下锁定

- 绝对的写保护与V

PPF

= V

SS

■

通用闪存接口（ CFI ）

■

每10万编程/擦除周期

块

PSRAM

■

访问时间： 70ns的

■

异步页读

- 页面大小： 16个字

- 在随后的页面读取： 20ns的

■

低功耗特性

- 温度补偿刷新

（ TCR）的

- 部分阵列刷新（ PAR ）

- 深度掉电（ DPD ）模式

■

同步突发读/写

■

2005年6月

1/18

M36L0R8060T1 ， M36L0R8060B1

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

FLASH MEMORY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1.包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

PSRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

闪存组件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

PSRAM组件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

......

......

......

......

......

......

......

......

......

......

.....4

.....4

.....4

.....5

.....6

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

地址输入（ A0 - A23 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

锁存使能（L ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

时钟（ K） ... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

等待（等待） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

闪存芯片使能（E

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

闪光输出使能（G

F

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Flash写使能（W

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Flash写保护（WP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

闪存复位（ RP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM芯片使能输入（E

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM写使能（W

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM输出使能（G

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

PSRAM高字节使能（ UB

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

PSRAM低字节使能（ LB

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

PSRAM配置寄存器使能（ CR

P

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

V

CCP

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

V

DDQF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

表2，主要工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

2/18

M36L0R8060T1 ， M36L0R8060B1

表4 。

图5中。

图6 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量I / O波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

图7. TFBGA88 8x10mm ， 8×10球阵列 - 0.8mm间距，仰视图封装外形。 。 。 。 15

表9.堆积TFBGA88 8x10mm - 8x10的活跃球阵列， 0.8mm间距，封装数据。 。 。 。 。 15

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表10.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表11.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

3/18

M36L0R8060T1 ， M36L0R8060B1

概要说明

该M36L0R8060T1和M36L0R8060B1的COM

茎在一个多芯片封装两个存储装置：

■

一个256兆位，多个银行闪存存储器，所述

M30L0R8000T0或M30L0R8000B0 ，

■

一个64兆位PseudoSRAM的M69KB096AA 。

这个文件应当与结合

该

M30L0R8000x0

和

M69KB096AA

数据表。

推荐工作条件不允许

一个以上的存储器处于活动状态的同时

时间。

该存储器被提供在一个堆叠TFBGA88

（ 8x10mm ， 8×10球阵列， 0.8mm间距）封装。

除了标准的版本，所述包是

也可在无铅版本，符合

符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ST ECOPACK

7191395规范，并符合RoHS （限制

有害物质）指令。所有封装

符合无铅焊接工艺。

闪存组件

关于如何使用闪存的详细信息

存储器组件，请参考M30L0R8000 （T /

B）0数据表是可从当地

意法半导体分销商。

所述存储器与所有位擦除供给

（设置为' 1'） 。

PSRAM组件

关于如何使用PSRAM详细信息

组件，请参阅M69KB096AA数据表的

可从当地意法半导体

分销商。

图2.逻辑图

V

DDQF

V

PPF

V

CCP

16

DQ0-DQ15

E

F

G

F

W

F

RP

F

WP

F

L

K

E

P

G

P

W

P

CR

P

UB

P

LB

P

M36L0R8060T1

M36L0R8060B1

等待

V

DDF

24

A0-A23

VSS

AI10533b

4/18

M36L0R8060T1 ， M36L0R8060B1

表1.信号名称

A0-A23

DQ0-DQ15

L

K

等待

V

DDF

V

DDQF

V

PPF

V

SS

V

CCP

NC

DU

闪存信号

E

F

G

F

W

F

RP

F

WP

F

PSRAM信号

E

P

G

P

W

P

CR

P

UB

P

LB

P

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

配置寄存器使能输入

高字节使能输入

低字节使能输入

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

复位输入

写保护输入

地址输入

常见的数据输入/输出

锁存使能输入闪存和PSRAM

突发时钟为闪存和PSRAM

在突发模式等待数据的闪存和PSRAM

快闪记忆体供电

闪光灯电源的I / O缓冲器

闪存可选的电源电压，实现快速编程&擦除

地

PSRAM电源

在内部没有连接

不使用的内部连接

5/18