M36DR432C
M36DR432D
32兆位（2MB X16 ，双行，页）快闪记忆体
和4兆位（ 256K ×16） SRAM ，多重内存产品
初步数据
功能摘要
s
电源电压
– V
DDF
= V
DDS
= 1.9V至2.1V
s
s
s
图1.套餐
– V
PPF
= 12V快速程序（可选）
存取时间： 85,100ns
低功耗
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M36DR432C ： 00A4h
- 底设备代码， M36DR432D ： 00A5h
FBGA
FL灰内存
s
32兆位（2MB ×16） BOOT BLOCK
- 参数块（顶部或底部的位置）
s
叠LFBGA66 （ ZA ）
8 ×8球阵列
编程时间
- 典型为10μs
- 双字编程选项
s
ASYNCRONOUS页模式阅读
- 页面宽度： 4字
- 页面模式存取时间： 35ns的
s
双行操作
- 读一家银行内，而程序或
内的其它擦除
- 读写之间无延迟
操作
s
块的保护，所有的块
- WPF的块锁定
通用闪存接口
- 64位验证码
s
SRAM
s
4兆位（ 256K ×16位）
s
s
低V
DDS
数据保存： 1V
POWER DOWN采用2个
芯片使能输入
2001年11月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M36DR432C ， M36DR432D
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
DDF
V
DDS
V
PPF
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
Flash芯片电源电压
SRAM芯片的电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55到150
-0.2到V
DD(4)
+ 0.3
-0.5到2.7
-0.2 2.6
-0.5至13.0
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
4. V
DD
= V
DDS
= V
DDF
.
图4.功能框图
VDDF
VPPF
EF
GF
WF
RPF
WPF
A18-A20
A0-A17
FL灰内存
32兆位（ X16 ）
VDDS
VSSF
DQ0-DQ15
E1S
E2S
GS
WS
瑞银
LBS
SRAM
4兆位（ X16 ）
VssS
AI90205
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M36DR432C ， M36DR432D
信号说明
参见图2和表1中。
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址A0至A17
对于闪存芯片和所述公共输入端
SRAM芯片。地址输入为Flash
存储器上的写操作期间被锁存
闪存芯片使能（ EF ）的下降沿或
写使能（ WF ），而地址输入为
SRAM阵列都在写操作期间被锁存
在SRAM芯片的下降沿使能线
（ E1S或E2S ）或写使能（ WS ） 。
地址输入（ A18 - A20 ） 。
地址A18到A20
在地址输入为Flash芯片。他们是
在写操作期间锁定在下降沿
闪存芯片使能（ EF ）或写使能（ WF ） 。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。
该输入是
数据在闪存或SRAM被编程
存储器阵列或一个命令要被写入到
C.I.闪存芯片。两者都锁定在利培
闪存芯片使能（ EF ）或写烯的边缘荷兰国际集团
能（ WF ）和SRAM芯片使能线（ E1S或
E2S ）或写使能（ WS ） 。输出为数据
从闪存或SRAM阵列，该Elec-
TRONIC签名制造商或设备代码或
状态寄存器的数据轮询位DQ7 ，该瓶酒
GLE位DQ6和DQ2 ，错误位DQ5或
擦除定时器位DQ3 。输出有效时，
闪存芯片使能（ EF）和输出使能（ GF ）或
SRAM芯片使能线（ E1S或E2S ）和输出
启用（ GS）是活动的。输出为高阻
ANCE两者当闪存芯片和SRAM的
芯片被取消或输出被禁止
当复位（ RPF）是一个V
IL
.
闪存芯片使能（ EF ） 。
该芯片使能输入
对于闪存激活存储器控制逻辑，输入
缓冲器，解码器和读出放大器。 EF在V
IH
取消选择的内存，降低了功率变
消耗到备用水平，输出做高阻。
EF也可以用来控制写入的COM
命令寄存器和闪存阵列，
而WF保持在V
IL
。它不允许设置的EF
在V
IL
，个E1在V
IL
和E2S在V
IH
同时。
Flash写使能（ WF ） 。
写使能IN-
把控制写入的命令寄存器
闪存芯片和地址/数据锁存器。数据
锁存WF的上升沿。
闪光输出使能（ GF ） 。
输出使能
门期间通过数据缓冲器的输出
闪存芯片的读操作。当GF和
WF是高的输出是高阻态。
闪存复位/掉电输入（ RPF ） 。
卢旺达爱国阵线
输入提供内存的硬件复位
（在不影响配置寄存器台站
土族） ，和/或关机的功能，这取决于
配置寄存器的状态。复位/电源
下来的记忆是由爱国阵线拉来实现
V
IL
对于至少吨
PLPH
。当复位脉冲是giv-
恩，如果内存中读取，擦除挂起阅读
或待机状态时，它会输出新的有效的叔数据
PHQ7V1
RPF后的上升沿。如果内存中
擦除或编程模式下，操作会
中断和复位恢复需要一段马克西
吨的妈妈
PLQ7V
。内存将从中恢复
掉电（启用时）的叔
PHQ7V2
后
RPF上升边缘。请参阅表1，表26和图
11.
闪存写保护（ WPF） 。
写保护是一个
输入保护或取消保护两个带锁的纸张
闪存的rameter块。当WPF
是V
IL
中，可锁定的块被保护。亲
克或擦除操作是不可能实现的。
当WPF是V
IH
中，可锁定块非
保护，并且它们可以被编程或擦除
（参考表17）。
SRAM芯片使能（ E1S ， E2S ） 。
该芯片恩
能够对输入的SRAM启动的内存控制
逻辑，输入缓冲器和解码器。 E1S在V
IH
or
E2S在V
IL
取消选择该存储器，并降低了
功耗待机水平。 E1S和
E2S也可以用来控制写入到
SRAM存储器阵列，而WS保持在V
IL
。它
不允许在V设置EF
IL
，个E1在V
IL
和E2S
在V
IH
同时。
SRAM写使能（ WS ） 。
写使能IN-
把控制写入SRAM存储器阵列。
WS是低电平有效。
SRAM输出使能（ GS ） 。
输出使能
门期间通过数据缓冲器的输出
对SRAM芯片的读操作。 GS活跃
低。
该
SRAM高字节使能（ UBS） 。
启用
对于SRAM高位字节（ DQ8 - DQ15 ） 。瑞银集团是活跃的
低。
SRAM的低字节使能（ LBS ） 。
启用
对于SRAM低字节（ DQ0 - DQ7 ） 。 LBS活跃
低。
V
DDF
电源电压（ 1.9V至2.1V ） 。
FL灰内存
所有操作电源（读取，编程和
擦除） 。
V
PPF
编程电压（ 11.4V至12.6V ） 。
用于快速厂提供高电压亲
编程。在V高电压
PPF
针是必需的，以
使用双字编程指令。这是
还可以执行字编程或擦除IN-
structions与V
PPF
引脚接地。
V
DDS
电源电压（ 1.9V至2.1V ） 。
SRAM pow-
呃供应的所有操作（读取，编程） 。
V
SSF
和V
SSS
地面上。
V
SSF
和V
SSS
是
所有电压测量基准respec-
tively在Flash和SRAM芯片。
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