M36D0R6040T0

M36D0R6040B0

64兆位（ 4Mb的X16 ，多银行，页）快闪记忆体

16兆位（1MB ×16） PSRAM ，多芯片封装

功能摘要

多芯片封装

- 1模64兆的（4MB ×16 ）快闪记忆体

- 1模16兆比特的（为1Mb ×16）的伪SRAM的

■

电源电压

– V

DDF

= V

DDP

= 1.7V至1.95V

■

低功耗

■

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 设备代码（上闪存配置） ，

M36D0R6040T0 ： 8810h

- 设备代码（底部闪光

配置）， M36D0R6040B0 ： 8811h

■

包

- 符合无铅焊接

过程的

- 无铅版本

FL灰内存

■

编程时间

- 8μs由Word典型的快速厂

节目

- 双人/四人Word程序选项

- 增强厂程序选项

■

内存块

- 多组内存阵列： 4兆位

银行

- 参数块（顶部位置）

■

异步读

- 异步页读模式

- 随机存取：为70ns

■

双重运作逻辑

- 程序擦除一个银行，而在读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

■

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

- WP

F

座向下锁定

■

图1.包装

FBGA

堆积TFBGA67 （ ZAI ）

12× 8毫米

安全

- 128位用户可编程OTP细胞

- 64位的唯一设备号

■

通用闪存接口（ CFI ）

■

每10万编程/擦除周期

块

PSRAM

■

访问时间： 70ns的

■

低待机电流： 110μA

■

深层关机电流：10μA

■

十二月2004

1/18

M36D0R6040T0 ， M36D0R6040B0

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

FLASH MEMORY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1.包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

PSRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图2.逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

表1.信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A0 - A19 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址输入（ A20 - A21 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

闪存芯片使能（E

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪光输出使能（G

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写使能（W

F

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Flash写保护（WP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

闪存复位（ RP

F

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM芯片使能（ E1

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM芯片使能（E2

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM输出使能（G

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM写使能（W

P

).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM高字节使能（ UB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

PSRAM低字节使能（ LB

P

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

V

DDP

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

V

PPF

项目电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

V

SS

地面...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

图4.功能框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表2，主要工作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

闪存组件中。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

PSRAM组件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表3.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表4.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

图5. AC测量I / O的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

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M36D0R6040T0 ， M36D0R6040B0

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

AC测量负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

器件电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存直流特性 - 电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存直流特性 - 电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

PSRAM直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

图6.堆积TFBGA67 12x8mm - 8x8的活跃球阵列， 0.8mm间距，包装外形。 。 。 15

表10.堆积TFBGA67 12x8mm - 8×8球阵列， 0.8mm间距，包装机械数据。 15

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

表11.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

表12.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

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M36D0R6040T0 ， M36D0R6040B0

概要说明

该M36D0R6040T0和M36D0R6040B0的COM

茎在一个多芯片封装两个存储装置：

64兆位，多银行的Flash内存，

M58WR064FT / B和一个16兆位的伪SRAM中，

该M69AR024B 。推荐工作条件

不允许对一个以上的内存是AC-

略去同时。

该存储器被提供在一个堆叠TFBGA67

（ 12× 8毫米， 8×8球阵列， 0.8mm间距）封装。

除了标准的版本中，包

也是无铅版本，在并发症

ANCE符合JEDEC标准J-STD- 020B标准的ECO- ST

PACK 7191395规范，并符合RoHS

（有害物质限制）指令。

所有封装均符合无铅可焊

荷兰国际集团的过程。

所述存储器与所有位擦除供给

（设置为' 1'） 。

图2.逻辑图

V

PPF

V

DDF

22

A0-A21

DQ0-DQ15

E

F

G

F

W

F

RP

F

WP

F

E1

P

G

P

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

M36D0R6040T

M36D0R6040B

W

P

E2

P

UB

P

LB

P

写使能输入

关断输入

高字节使能输入

低字节使能输入

表1.信号名称

A0-A19

DQ0-DQ15

V

DDF

V

PPF

V

SS

V

DDP

NC

常见的地址输入

常见的数据输入/输出

快闪记忆体供电

通用闪存可选供应

电压，快速的程序擦除&

地

PSRAM电源

在内部没有连接

闪存信号

A21-A20

E

F

G

F

W

F

RP

F

地址输入闪存

只

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

复位输入

写保护输入

V

DDP

16

WP

F

PSRAM信号

E1

P

G

P

芯片使能输入

输出使能输入

VSS

AI09200

4/18

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

A

NC

NC

NC

A12

A20

A11

A15

A13

VSSF

NC

A14

NC

B

DQ14

DQ7

A16

A8

A9

DQ15

WP

A10

C

A21

WF

DQ4

NC

DQ13

DQ6

DQ5

D

VSSP

RPF

DQ12

E2P

VDDP

VDDF

图3. TFBGA封装连接（通过包顶视图）

E

WPF

VPPF

A19

DQ11

DQ10

DQ2

DQ3

F

LBP

UBP

GP

DQ9

DQ8

DQ0

DQ1

G

A18

A17

A7

A6

A3

A2

A1

E1P

H

NC

NC

NC

A5

A4

A0

EF

VSSF

GF

NC

NC

NC

M36D0R6040T0 ， M36D0R6040B0

AI09201

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