一般信息
A. DDR SDRAM组件订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
DDR SDRAM
K 4 X X X X X X X - X X X X
三星内存
DRAM
产品
密度&刷新
组织
速度
温度&电源
套餐类型
调整
接口（V
DD
, V
DDQ
)
银行
1.三星内存：K
2. DRAM ： 4
3.产品
H
:
DDR SDRAM
8.修订
M
:
第一将军
A
:
第二届创
B
:
第三将军
C
:
第四将军
D
:
第五将军
E
:
第六届将军
F
:
7将军
G
:
8日创
H
:
9日创
J
:
第十一将军
N
:
14日创
4.密度&刷新
28
:
128MB， 4K / 64ms的
56
:
256MB， 8K / 64ms的
51
:
512MB， 8K / 64ms的
1G:
1GB内存， 8K / 64ms的
2G:
2GB， 8K / 64ms的
9.包装类型
T
:
TSOP II
N
:
sTSOP II
G
:
FBGA
L
H
F
6
:
:
:
:
U
:
TSOP II （无铅）
*1
V
:
sTSOP II （无铅）
*1
Z
:
FBGA （无铅）
*1
5.组织
04
:
06
:
07
:
08
:
16
:
x4
×4栈
×8堆栈
x8
x16
TSOP II （无铅&无卤）
*1
FBGA （无铅&无卤）
*1
FBGA为64兆DDR （无铅&无卤）
*1
sTSOP II （无铅&无卤）
*1
注1：所有无铅和无卤素产品是
符合ROHS
10.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &普通电源
L
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &低功耗
I
:
工业温度（ -40 ° C 85°C ） &普通电源
P
:
工业温度（ -40 ° C 85°C ） &低功耗
6.银行
3
:
4银行
7.接口（V
DD
, V
DDQ
)
8
:
SSTL - 2 （ 2.5V ， 2.5V ）
11.速度
CC
B3
A2
B0
:
:
:
:
DDR400
DDR333
DDR266
DDR266
（为200MHz @ CL = 3， tRCD的= 3， tRP的= 3）的
（为166MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
*1
（为133MHz @ CL = 2 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
（为133MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
注1 ： "B3"与"A2"和"B0"兼容性
2007年12月
一般信息
B. DDR SDRAM组件产品指南
密度
银行
产品型号
包
*1
＆放大器;电源
*2
＆放大器;
速度
*3
LCCC/CB3
LLCC/LB3
FCCC/CB3
FLCC/LB3
UCA2/CB0
ULA2/LB0
ZCCC/CB3
ZLCC/LB3
UCCC/CB3
ULCC/LB3
ZCCC/CB3
ZLCC/LB3
UCCC/CB3
ULCC/LB3
ZCCC/CB3
ZLCC/LB3
LCB3/CB0
LLB3/LB0
LCCC/CB3
LLCC/LB3
LCCC/CB3
LLCC/LB3
UCB0
ULB0
ZCCC
ZLCC
UCCC/CB3
ULCC/LB3
ZCCC/CB3
ZLCC/LB3
UCCC/CB3
ULCC/LB3
ZCCC/CB3
ZLCC/LB3
注2 ：
C
L
商用温度，正常功耗
商用温度，低功耗
CL = 2
CL = 2.5
CL = 3
DDR SDRAM
组织。
界面刷新
电源（ V）
包
66pinTSOPII
无济于事。
NOW
CS
64MB N-二模
4Banks K4H641638N
4M ×16
SSTL_2
4K/64m
2.5 ± 0.2V
60Ball FBGA
66pinTSOPII
K4H560438H
64M ×4
60Ball FBGA
60Ball FBGA
32M ×8
SSTL_2
8K/64m
2.5 ±
0.2V
*4
60Ball FBGA
66pinTSOPII
16M ×16
60Ball FBGA
64M ×4
32M ×8
16M ×16
SSTL_2
8K/64m
2.5 ± 0.2V
*4
66pinTSOPII
66pinTSOPII
66pinTSOPII
66pinTSOPII
128M ×4
60Ball FBGA
66pinTSOPII
64M ×8
SSTL_2
8K/64m
2.5 ±
0.2V
*4
60Ball FBGA
66pinTSOPII
32M ×16
60Ball FBGA
NOW
CS
256MB H-模
4Banks K4H560838H
NOW
K4H561638H
K4H560438J
256Mb的J-模
4Banks K4H560838J
K4H561638J
CS
CS
K4H510438D
512MB D-死
4Banks K4H510838D
K4H511638D
注1 ：
U
:
TSOP II （无铅）
V
:
sTSOP II （无铅）
Z
:
FBGA （无铅）
L
H
F
6
:
:
:
:
TSOP II （无铅&无卤）
FBGA （无铅&无卤）
FBGA为64兆DDR （无铅&无卤）
sTSOP II （无铅&无卤）
注3 ：
133Mhz
DDR266(A2)
DDR266(B0)
-
166Mhz
-
DDR333(B3)
-
200Mhz
-
-
DDR400(CC)
- 商业温度。 （0°C <Ta< 70 ° C）
- "B3"与"A2"和"B0"兼容性
注4 ：
DDR400
VDD / VDDQ
2.6V ± 0.1V
DDR333/266
2.5V ± 0.2V
2007年12月
一般信息
C.工业级温度DDR SDRAM组件产品指南
密度
银行
产品型号
包
*1
＆放大器;电源
*2
&速度
*3
组织。
接口
刷新
电源（ V）
DDR SDRAM
包
无济于事。
256MB H-模
4Banks K4H561638J
UICC/IB3/IB0
UPCC/PB3/PB0
ZIB3/IB0
ZPB3/PB0
LICC/IB3
LPCC/PB3
UIB3/IB0
UPB3/PB0
ZIB3/IB0
ZPB3/PB0
UIB3/IB0
UPB3/PB0
ZIB3/IB0
ZPB3/PB0
注2 ：
I
P
66pinTSOPII
16M ×16
SSTL_2
8K/64m
2.5 ±
0.2V
*4
60Ball FBGA
16M ×16
SSTL_2
8K/64m
2.5 ± 0.2V
*4
66pinTSOPII
66pinTSOPII
64M ×8
60Ball FBGA
SSTL_2
32M ×16
60Ball FBGA
8K/64m
2.5 ±
0.2V
*4
66pinTSOPII
NOW
CS
NOW
256Mb的J-模
4Banks K4H561638J
K4H510838D
512MB D-死
4Banks
K4H511638D
注1 ：
U
:
TSOP II （无铅）
V
:
sTSOP II （无铅）
Z
:
FBGA （无铅）
L
H
F
6
:
:
:
:
TSOP II （无铅&无卤）
FBGA （无铅&无卤）
FBGA为64兆DDR （无铅&无卤）
sTSOP II （无铅&无卤）
注3 ：
133Mhz
CL = 2
CL = 2.5
CL = 3
DDR266(A2)
DDR266(B0)
-
166Mhz
-
DDR333(B3)
-
200Mhz
-
-
DDR400(CC)
工业级温度，正常功耗
工业级温度，低功耗
- 工业级温度。 （ -40°C <Ta< 85°C ）
- "B3"与"A2"和"B0"兼容性
注4 ：
DDR400
VDD / VDDQ
2.6V ± 0.1V
DDR333/266
2.5V ± 0.2V
2007年12月
一般信息
D. DDR SDRAM模块订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
DDR SDRAM
米乘X X L X X X X X X X - X X X
内存模块
DIMM配置
数据位
特征
深度
刷新， ＃银行的比较。 &接口
速度
动力
PCB版本&类型
包
组件版本
组成成分
1.内存模块：M
7.组成成分
0
3
4
8
9
:
:
:
:
:
x4
x8
x16
×4栈
×8堆栈
2. DIMM配置
3
:
DIMM
4
:
SODIMM
3.数据位
68 :
81 :
83 :
12 :
70 :
63 :
x64
x72
x72
x72
x64
x64
184PIN DIMM无缓冲
184PIN ECC无缓冲DIMM
184PIN DIMM注册
184PIN低调注册DIMM
200PIN SODIMM无缓冲
172pin DIMM微
8.组件版本
A
:
第二届创
M
:
第一将军
C
:
第四将军
B
:
第三将军
E
:
第六届将军
D
:
第五将军
G
:
第8代
F
:
7将军
J
:
第11届创
H
:
9日创
9.包
U
:
TSOP II
*1
（无铅）
T
:
TSOP II （ 400mil ）
V
:
sTSOP II
*1
（无铅）
N
:
STSOP
Z
:
FBGA
*1
（无铅）
G
:
FBGA
（注1：所有无铅产品均符合RoHS指令）
10. PCB版本&类型
4.功能
L
:
DDR SDRAM （ 2.5V VDD ）
5.深度
16
:
16M
32
:
32M
64
:
64M
28
:
128M
56
:
256M
51
:
512M
17
33
65
29
57
:
16M （为128MB / 512MB的）
:
32M （为128MB / 512MB的）
:
64M （为128MB / 512MB的）
:
128M （为128MB / 512MB的）
:
256M （也为512MB ）
0
:
母亲PCB
1
:
第一个版本
2
:
第二个版本
3
:
第3版本
S
:
还原层PCB
11.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &普通电源
L
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &低功耗
6.刷新，在补偿＃银行。 &接口
1
:
2
:
4K / 64ms的参考， 4Banks & SSTL- 2
8K / 64ms的参考， 4Banks & SSTL- 2
12.速度
CC
:
B3
:
A2
:
B0
:
DDR400
DDR333
DDR266
DDR266
（为200MHz @ CL = 3， tRCD的= 3， tRP的= 3）的
（为166MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
（为133MHz @ CL = 2 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
（为133MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
2007年12月
QQ：2881677436 复制
