M366S3253BTS
M366S3253BTS SDRAM DIMM
PC133无缓冲DIMM
基于32Mx8 ， 4Banks ， 8K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 32Mx64 SDRAM DIMM
概述
三星M366S3253BTS是32M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
M366S3253BTS由八个CMOS 32M ×8位与4banks
在TSOP -II封装400mil和2K同步DRAM
在一个168引脚的玻璃环氧树脂子EEPROM采用8引脚TSSOP封装
施特拉特。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述
印刷电路板平行的每个SDRAM中。
该M366S3253BTS是双列直插式内存模块，并
用于安装到168针边缘连接器插座。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围，可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
M366S3253BTS-C75
最大频率。 （速度）
PC133 @ CL3 & PC100 @ CL3
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 8192周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,375mil ）
单面组件
引脚配置（正面/背面）
销前销
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
*CB0
*CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE
DQM0
前
销前销
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
*CB4
*CB5
V
SS
NC
NC
V
DD
CAS
DQM4
针
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
后
DQM5
*CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
*CLK1
A12
V
SS
CKE0
*CS3
DQM6
DQM7
*A13
V
DD
NC
NC
*CB6
*CB7
V
SS
DQ48
DQ49
针
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
后
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
NC
*V
REF
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
*CLK3
NC
**SA0
**SA1
**SA2
V
DD
29 DQM1 57 DQ18 85
58 DQ19 86
CS0
30
59
87
V
DD
31
DU
60 DQ20 88
32
V
SS
61
89
NC
33
A0
62 *V
REF
90
34
A2
63 * 91 CKE1
35
A4
64
92
V
SS
36
A6
65 DQ21 93
37
A8
38 A10 / AP 66 DQ22 94
67 DQ23 95
39
BA1
68
96
V
SS
40
V
DD
69 DQ24 97
41
V
DD
42 CLK0 70 DQ25 98
71 DQ26 99
43
V
SS
72 DQ27 100
44
DU
73
V
DD
101
45
CS2
46 DQM2 74 DQ28 102
47 DQM3 75 DQ29 103
76 DQ30 104
48
DU
77 DQ31 105
49
V
DD
78
V
SS
106
50
NC
79 CLK2 107
51
NC
NC 108
52 * 80 CB2
可湿性粉剂109
53 * 81 CB3
82 ** SDA 110
54
V
SS
55 DQ16 83 ** 111 SCL
V
DD
112
56 DQ17 84
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A12
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 ， CLK2
CKE0
CS0 ， CS2
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
*V
REF
SDA
SCL
SA0 2
WP
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
电源为参考
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
写保护
不使用
无连接
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 0.1月。 2000
M366S3253BTS
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC133无缓冲DIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA12 ，列地址： CA0 CA9
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
WP引脚连接到V
SS
通过47KΩ电阻。
当WP为"high" ， EEPROM编程将受到抑制，整个内存会
被写保护。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A12
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ0 63
WP
V
DD
/V
SS
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
写保护
电源/接地
REV 。 0.1月。 2000
M366S3253BTS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC133无缓冲DIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
8
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
添加
C
IN
C
CKE
C
CLK
C
CS
C
DQM
C
OUT
民
30
30
30
25
16
8
6
最大
40
40
40
30
25
10
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
地址（ A0 A12 ， BA0 BA1 ）
RAS ， CAS ， WE
CKE （ CKE0 ）
时钟（ CLK0 ， CLK2 ）
CS （ CS0 ， CS2 ）
DQM （ DQM0 DQM7 ）
DQ （ DQ0 DQ63 ）
REV 。 0.1月。 2000
QQ：2880707522 复制
