串行存在检测
M366S0424DTS-C80/C1H/C1L
组织： 4Mx64
组成： 4Mx16 * 4
使用的组件零件编号： K4S641632D - TC80 / TC1H / TC1L
＃模块行： 1列
在组件＃银行： 4银行
功能： 1,000mil高度&单面组件
刷新： 4K / 64ms的
目录;
字节＃
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21
函数来描述
会写入到模块厂商串行存储器字节数的
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃行地址在此集会
＃列地址对本次大会
＃模块
排
在本次大会
本届大会的数据宽度
......这个数据集的宽度
本届大会的电压接口标准
3 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期3
DIMM配置类型
刷新率&类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟为背到背随机列地址
SDRAM器件的属性：突发长度支持
SDRAM器件的属性： ＃中
银行
SDRAM设备
SDRAM器件的属性： CAS延迟
SDRAM器件的属性： CS延迟
SDRAM器件的属性：写入延迟
SDRAM模块属性
8ns
6ns
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-80
-1H
128bytes
256字节（2K位）
SDRAM
12
8
1
ROW
64位
-
LVTTL
10ns
6ns
非奇偶校验
15.625us ，支持自刷新
x16
无
t
CCD
= 1CLK
1，2， 4，8 &整版
4
银行
2&3
0 CLK
0 CLK
非缓冲的，非注册
&冗余解决
+/- 10 ％电压容差，
突发读取单位写
所有的预充电，自动预充电
10ns
6ns
-
-
20ns
16ns
20ns
48ns
10ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
1
ROW
32MB的
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
20h
10h
20h
12ns
7ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
A0h
60h
00h
00h
14h
10h
14h
30h
10ns
6ns
80h
60h
-1L
-80
十六进制值
-1H
80h
08h
04h
0Ch
08h
01h
40h
00h
01h
A0h
60h
00h
80h
10h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
A0h
60h
-1L
记
1
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SDRAM器件的属性：一般
2 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS 2延迟
1 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期1
最小行预充电时间（ = T
RP
)
最小行主动向行活动延迟（T
RRD
)
最低RAS到CAS延迟（ = T
RCD
)
最小的激活预充电时间（ = T
RAS
)
模块
ROW
密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
08h
20h
10h
20h
20h
10h
20h
C0h
70h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
2
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启2000年0.1月
串行存在检测
字节＃
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94
95~98
99~125
126
127
128+
函数来描述
数据信号输入保持时间
超集信息（可能用于未来）
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
......制造商JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号（内存模块）
制造商零件编号（ DIMM配置）
制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
制造商零件编号（模式&工作电压）
制造商零件编号（模块深度）
......制造商零件编号（模块深度）
制造商零件编号（刷新， ＃在比较银行。 &接口）
制造商零件编号（组成部分）
制造商零件编号（组件修订）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（PCB版本&型）
制造商零件编号（连字符）
制造商零件编号（电源）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（ TBD）
制造商修改代码（ PCB）
......制造商修改代码（部分）
生产日期（周）
生产日期（年）
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率为100MHz的
PC100规格的详细信息
未使用的存储位置
8
0
-80
1ns
-1H
1ns
-
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-1L
1ns
-80
10h
十六进制值
-1H
10h
00h
12h
DEH
04h
CEH
00h
01h
4Dh
33h
20h
36h
36h
53h
30h
34h
32h
34h
44h
54h
53h
2Dh
43h
1
L
38h
30h
31h
48h
20h
53h
44h
-
-
-
-
64h
ADH
AFH
-
ADH
5
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5
31h
4Ch
34h
-1L
10h
记
PC100 SPD Spec.Ver.1.2A
-
三星
三星
韩国温阳
M
3
空白
6
6
S
0
4
2
4
D
T
S
"-"
C
1
H
空白
S
D-模（ 5日创）
-
-
-
未定义
100MHz
100MHz的详细信息
未定义
注意：
1.银行选择地址被排除在计算地址的总＃ 。
2.该值是基于组件规范。
3.这些字节按日期星期的代码编程&日期与年份BCD格式。
4.这些字节是由三星编程
′s
自己组装序列号系统。所有模块都可以有不同的独特的序列号。
5.这些字节是未定义的，并可以用于三星
′s
自己的目的。
启2000年0.1月
串行存在检测
M366S0823DTS-C80/C1H/C1L
组织： 8Mx64
组成： 8Mx8 * 8
使用的组件零件编号： K4S640832D - TC80 / C1H / C1L
＃模块行： 1列
在组件＃银行： 4银行
功能： 1,375mil高度&单面组件
刷新： 4K / 64ms的
目录;
字节＃
0
1
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21
函数来描述
会写入到模块厂商串行存储器字节数的
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃行地址在此集会
＃列地址对本次大会
＃模块
排
在本次大会
本届大会的数据宽度
......这个数据集的宽度
本届大会的电压接口标准
3 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期3
DIMM配置类型
刷新率&类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟为背到背随机列地址
SDRAM器件的属性：突发长度支持
SDRAM器件的属性： ＃中
银行
SDRAM设备
SDRAM器件的属性： CAS延迟
SDRAM器件的属性： CS延迟
SDRAM器件的属性：写入延迟
SDRAM模块属性
8ns
6ns
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-80
-1H
128bytes
256字节（2K位）
SDRAM
12
9
1
ROW
64位
-
LVTTL
10ns
6ns
非奇偶校验
15.625us ，支持自刷新
x8
无
t
CCD
= 1CLK
1，2， 4，8 &整版
4
银行
2&3
0 CLK
0 CLK
非缓冲的，非注册
&冗余解决
+/- 10 ％电压容差，
突发读取单位写
所有的预充电，自动预充电
10ns
6ns
-
-
20ns
16ns
20ns
48ns
10ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
1
ROW
64MB的
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
20h
10h
20h
12ns
7ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
A0h
60h
00h
00h
14h
10h
14h
30h
10ns
6ns
80h
60h
-1L
-80
十六进制值
-1H
80h
08h
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40h
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01h
A0h
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80h
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00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
A0h
60h
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记
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SDRAM器件的属性：一般
2 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS 2延迟
1 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期1
最小行预充电时间（ = T
RP
)
最小行主动向行活动延迟（T
RRD
)
最低RAS到CAS延迟（ = T
RCD
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RAS
)
模块
ROW
密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
10h
20h
10h
20h
20h
10h
20h
C0h
70h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
2
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启2000年0.1月
串行存在检测
字节＃
35
36~61
62
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65~71
72
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88
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90
91
92
93
94
95~98
99~125
126
127
128+
函数来描述
数据信号输入保持时间
超集信息（可能用于未来）
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
......制造商JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号（内存模块）
制造商零件编号（ DIMM配置）
制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
制造商零件编号（模式&工作电压）
制造商零件编号（模块深度）
......制造商零件编号（模块深度）
制造商零件编号（刷新， ＃在比较银行。 &接口）
制造商零件编号（组成部分）
制造商零件编号（组件修订）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（PCB版本&型）
制造商零件编号（连字符）
制造商零件编号（电源）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（ TBD）
制造商修改代码（ PCB）
......制造商修改代码（部分）
生产日期（周）
生产日期（年）
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率为100MHz的
PC100规格的详细信息
未使用的存储位置
8
0
-80
1ns
-1H
1ns
-
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-1L
1ns
-80
10h
十六进制值
-1H
10h
00h
12h
东方红
05h
CEH
00h
01h
4Dh
33h
20h
36h
36h
53h
30h
38h
32h
33h
44h
54h
53h
2Dh
43h
1
L
38h
30h
31h
48h
20h
53h
44h
-
-
-
-
64h
ADH
AFH
-
ADH
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4Ch
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记
PC100 SPD规格。版本。 1.2A
-
三星
三星
韩国温阳
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6
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3
D
T
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C
1
H
空白
S
D-模（ 5日创）
-
-
-
未定义
100MHz
100MHz的详细信息
未定义
注意：
1.银行选择地址被排除在计算地址的总＃ 。
2.该值是基于组件规范。
3.这些字节按日期星期的代码编程&日期与年份BCD格式。
4.这些字节是由三星编程
′s
自己组装序列号系统。所有模块都可以有不同的独特的序列号。
5.这些字节是未定义的，并可以用于三星
′s
自己的目的。
启2000年0.1月
串行存在检测
M366S0424DTS-C80/C1H/C1L
组织： 4Mx64
组成： 4Mx16 * 4
使用的组件零件编号： K4S641632D - TC80 / TC1H / TC1L
＃模块行： 1列
在组件＃银行： 4银行
功能： 1,000mil高度&单面组件
刷新： 4K / 64ms的
目录;
字节＃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
函数来描述
会写入到模块厂商串行存储器字节数的
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃行地址在此集会
＃列地址对本次大会
＃模块
排
在本次大会
本届大会的数据宽度
......这个数据集的宽度
本届大会的电压接口标准
3 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期3
DIMM配置类型
刷新率&类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟为背到背随机列地址
SDRAM器件的属性：突发长度支持
SDRAM器件的属性： ＃中
银行
SDRAM设备
SDRAM器件的属性： CAS延迟
SDRAM器件的属性： CS延迟
SDRAM器件的属性：写入延迟
SDRAM模块属性
8ns
6ns
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-80
-1H
128bytes
256字节（2K位）
SDRAM
12
8
1
ROW
64位
-
LVTTL
10ns
6ns
非奇偶校验
15.625us ，支持自刷新
x16
无
t
CCD
= 1CLK
1，2， 4，8 &整版
4
银行
2&3
0 CLK
0 CLK
非缓冲的，非注册
&冗余解决
+/- 10 ％电压容差，
突发读取单位写
所有的预充电，自动预充电
10ns
6ns
-
-
20ns
16ns
20ns
48ns
10ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
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1
ROW
32MB的
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
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20h
10h
20h
12ns
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20ns
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A0h
60h
00h
00h
14h
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-1L
-80
十六进制值
-1H
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04h
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08h
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40h
00h
01h
A0h
60h
00h
80h
10h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
A0h
60h
-1L
记
1
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SDRAM器件的属性：一般
2 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS 2延迟
1 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期1
最小行预充电时间（ = T
RP
)
最小行主动向行活动延迟（T
RRD
)
最低RAS到CAS延迟（ = T
RCD
)
最小的激活预充电时间（ = T
RAS
)
模块
ROW
密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
08h
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10h
20h
20h
10h
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C0h
70h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
2
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启2000年0.1月
串行存在检测
字节＃
35
36~61
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65~71
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90
91
92
93
94
95~98
99~125
126
127
128+
函数来描述
数据信号输入保持时间
超集信息（可能用于未来）
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
......制造商JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号（内存模块）
制造商零件编号（ DIMM配置）
制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
制造商零件编号（模式&工作电压）
制造商零件编号（模块深度）
......制造商零件编号（模块深度）
制造商零件编号（刷新， ＃在比较银行。 &接口）
制造商零件编号（组成部分）
制造商零件编号（组件修订）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（PCB版本&型）
制造商零件编号（连字符）
制造商零件编号（电源）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（ TBD）
制造商修改代码（ PCB）
......制造商修改代码（部分）
生产日期（周）
生产日期（年）
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率为100MHz的
PC100规格的详细信息
未使用的存储位置
8
0
-80
1ns
-1H
1ns
-
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-1L
1ns
-80
10h
十六进制值
-1H
10h
00h
12h
DEH
04h
CEH
00h
01h
4Dh
33h
20h
36h
36h
53h
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34h
32h
34h
44h
54h
53h
2Dh
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53h
44h
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ADH
AFH
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记
PC100 SPD Spec.Ver.1.2A
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三星
韩国温阳
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空白
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C
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D-模（ 5日创）
-
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未定义
100MHz
100MHz的详细信息
未定义
注意：
1.银行选择地址被排除在计算地址的总＃ 。
2.该值是基于组件规范。
3.这些字节按日期星期的代码编程&日期与年份BCD格式。
4.这些字节是由三星编程
′s
自己组装序列号系统。所有模块都可以有不同的独特的序列号。
5.这些字节是未定义的，并可以用于三星
′s
自己的目的。
启2000年0.1月
串行存在检测
M366S0823DTS-C80/C1H/C1L
组织： 8Mx64
组成： 8Mx8 * 8
使用的组件零件编号： K4S640832D - TC80 / C1H / C1L
＃模块行： 1列
在组件＃银行： 4银行
功能： 1,375mil高度&单面组件
刷新： 4K / 64ms的
目录;
字节＃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
函数来描述
会写入到模块厂商串行存储器字节数的
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃行地址在此集会
＃列地址对本次大会
＃模块
排
在本次大会
本届大会的数据宽度
......这个数据集的宽度
本届大会的电压接口标准
3 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期3
DIMM配置类型
刷新率&类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟为背到背随机列地址
SDRAM器件的属性：突发长度支持
SDRAM器件的属性： ＃中
银行
SDRAM设备
SDRAM器件的属性： CAS延迟
SDRAM器件的属性： CS延迟
SDRAM器件的属性：写入延迟
SDRAM模块属性
8ns
6ns
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-80
-1H
128bytes
256字节（2K位）
SDRAM
12
9
1
ROW
64位
-
LVTTL
10ns
6ns
非奇偶校验
15.625us ，支持自刷新
x8
无
t
CCD
= 1CLK
1，2， 4，8 &整版
4
银行
2&3
0 CLK
0 CLK
非缓冲的，非注册
&冗余解决
+/- 10 ％电压容差，
突发读取单位写
所有的预充电，自动预充电
10ns
6ns
-
-
20ns
16ns
20ns
48ns
10ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
1
ROW
64MB的
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
2ns
1ns
2ns
20h
10h
20h
12ns
7ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
A0h
60h
00h
00h
14h
10h
14h
30h
10ns
6ns
80h
60h
-1L
-80
十六进制值
-1H
80h
08h
04h
0Ch
09h
01h
40h
00h
01h
A0h
60h
00h
80h
08h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
A0h
60h
-1L
记
1
1
2
2
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
SDRAM器件的属性：一般
2 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS 2延迟
1 SDRAM的周期时间@CAS延迟
从时钟SDRAM存取时间@CAS的潜伏期1
最小行预充电时间（ = T
RP
)
最小行主动向行活动延迟（T
RRD
)
最低RAS到CAS延迟（ = T
RCD
)
最小的激活预充电时间（ = T
RAS
)
模块
ROW
密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
10h
20h
10h
20h
20h
10h
20h
C0h
70h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
2
2
启2000年0.1月
串行存在检测
字节＃
35
36~61
62
63
64
65~71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95~98
99~125
126
127
128+
函数来描述
数据信号输入保持时间
超集信息（可能用于未来）
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
......制造商JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号（内存模块）
制造商零件编号（ DIMM配置）
制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
......制造商零件编号（数据位）
制造商零件编号（模式&工作电压）
制造商零件编号（模块深度）
......制造商零件编号（模块深度）
制造商零件编号（刷新， ＃在比较银行。 &接口）
制造商零件编号（组成部分）
制造商零件编号（组件修订）
制造商零件编号（封装类型）
制造商零件编号（PCB版本&型）
制造商零件编号（连字符）
制造商零件编号（电源）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（最小周期时间）
制造商零件编号（ TBD）
制造商修改代码（ PCB）
......制造商修改代码（部分）
生产日期（周）
生产日期（年）
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率为100MHz的
PC100规格的详细信息
未使用的存储位置
8
0
-80
1ns
-1H
1ns
-
PC100无缓冲DIMM
功能支持
-1L
1ns
-80
10h
十六进制值
-1H
10h
00h
12h
东方红
05h
CEH
00h
01h
4Dh
33h
20h
36h
36h
53h
30h
38h
32h
33h
44h
54h
53h
2Dh
43h
1
L
38h
30h
31h
48h
20h
53h
44h
-
-
-
-
64h
ADH
AFH
-
ADH
5
3
3
4
5
31h
4Ch
35h
-1L
10h
记
PC100 SPD规格。版本。 1.2A
-
三星
三星
韩国温阳
M
3
空白
6
6
S
0
8
2
3
D
T
S
"-"
C
1
H
空白
S
D-模（ 5日创）
-
-
-
未定义
100MHz
100MHz的详细信息
未定义
注意：
1.银行选择地址被排除在计算地址的总＃ 。
2.该值是基于组件规范。
3.这些字节按日期星期的代码编程&日期与年份BCD格式。
4.这些字节是由三星编程
′s
自己组装序列号系统。所有模块都可以有不同的独特的序列号。
5.这些字节是未定义的，并可以用于三星
′s
自己的目的。
启2000年0.1月
QQ：2880707522 复制
