D10 ， D15 ， D20 ， D22 ， C20 ， C30
微型模块
内存微型模块
为D1 ， D2和C封装一般资讯
s
微型组件是专为开发
在智能卡和存储卡嵌入
微型组件提供：
- 支持芯片
- 电触点
- 适合嵌入接口刷胶
模块的塑料包
注入侧
接触侧
s
D15
s
物理尺寸和触点位置
兼容于ISO 7816标准
输送作为连续的超微型组件
35毫米磁带。 （这不同于标准
之间的间隔距离35毫米胶带
索引孔。 ）
D10
D20
1
1
1
1
s
1
1
1
1
描述
存储器卡包括两个主要部分组成：
塑料卡，和嵌入式微型组件
（其中，反过来，进行硅芯片） 。
塑料卡是由PVC，ABS或类似
材料，并且可以是在印有图形，
文本，和磁条。微型组件是
嵌入在塑料卡的腔。
微型组件安装在超级35毫米
金属化环氧树脂胶带，并交付卷轴。
这些含有所有的芯片的从若干
晶片，包括那些被认为是该芯片
在测试过程中的非功能。可追溯性是
由固定在卷轴的标签保证。
D22
C30
C20
表1.存储卡和内存标签集成电路
MODUL ê
D10
D15
D20
D22
C30
C20
请参阅这些产品的数据表介绍的这些例子说明
微型模块
ST1200 ， ST1305B ， ST1331 ， ST1333 ， ST1335 ， ST1336 ， ST1353 ， ST1355
ST14C02 ， ST1305B ， ST1335 ， ST1336 ， ST1355
ST14C02 ， M14C04 ， M14C16 ， M14C32
M14C64 ， M14128 ， M14256
M35101, M35102
M35101, M35102
1999年12月
1/13
微型模块
表2.存储卡产品
TYPE
ST14C02C
M14C04
M14C16
M14C32
M14C64
M14128
M14256
ST1200
ST1305B
ST1331
ST1333
ST1335
ST1336
M35101
M35102
非接触式存储器芯片， 13.56兆赫， 2048位EEPROM
非接触式存储器芯片具有64位唯一ID ，
13.56兆赫， 2048位EEPROM
记忆卡IC， 272位高耐久性EEPROM
具有高级安全机制
说明（请参阅个别产品数据
张全规格）
记忆卡IC， 2千位（ 256 ×8 ）串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 4千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 16千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 32千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 64千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 128 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256位OTP EPROM与锁定功能
记忆卡IC， 192位高耐久性EEPROM
与安全逻辑访问控制
过程
1.2
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
3.5
m
1.5
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
0.6
m
0.6
m
技术
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
NMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
模块式
D15, D20
D20
D20
D20
D22
D22
D22
D10
D10, D15
D10
D10
D10, D15
D10, D15
C20, C30
C20, C30
组装流如下：
1.骰子锯
2.附加骰子
3.引线键合
4.灌封胶
5.铣削（取决于产品）
性的产品类型的微型组件的范围
总结在表1和表2中。对于大
卷， ST能够提供定制模块
胶带。
交货
超级35毫米金属环氧胶带
传送卷轴，如示于图1中。这些
包含的所有芯片的从多个晶片，
包括那些被发现芯片是不
在测试过程中发挥作用。可追溯性保证
由固定在卷轴的标签。
典型的量为每卷万的模块，
优先考虑在卷筒上很多的完整性。该
最大数量为15000每卷。
这部分有故障（机械或电气
有缺陷的）的确定打孔。该
规格为拒绝打孔示于
图4为D10微型组件，在图5中为
的D15微型组件，在图6中为D20的
微型组件，并且在图7中为D22
微型组件。
胶带连接（带拼接）从未超过10
每10米的长度，如图2和
网络连接gure 3 。
至少领先2.1 m的， 2.1米的拖车是
包含在每个卷轴上。每一个由PVC超
35毫米带，无金属化，并且是不透明的
红外和白光。
“失败”的拒绝孔标记包含在
开始和至少5的带的端
连续的模块间距（双位置） 。
模块应的温度范围内被存储
-40
°C
至+ 85
°C,
不超过1年。
每个卷轴装在防静电袋，以及
干燥剂袋，和一个湿度指示卡。
此卡指示湿度的水平如下：
30 - 蓝色：保护放心
40 - 粉红：更新干燥剂袋
50 - 粉红：保护不再保证
三自粘的塑料标识标签
附：一个卷轴，一个防静电袋，
2/13
微型模块
表3.生产流程和生产设施的位置
手术
法国Rousset 。 6 “晶圆厂。
晶圆扩散
的Agrate ，意大利。只有6 “晶圆厂：标准EEPROM
法国Rousset 。
电气晶圆测试
唯一的标准EEPROM ： Agrate建成，意大利
装配
最终测试
摩洛哥的卡萨布兰卡。
摩洛哥的卡萨布兰卡。
法国Rousset 。
位置及设施
表4.材料规范
材料
TAPE
基础材料
胶粘剂
层压铜箔
粘接强度
磁带表面
表面粗糙度
接触面
镍厚度
的金层厚度
磁带总厚度
控制，帕尔默
MCTS T2或揖斐电粗糙，典型厚度120
m
改性环氧树脂，典型厚度18
m
典型厚度35
m
> 0.8N / mm的室温。通过使用胶带的制造商监视
合适的测试方法
整个环氧树脂粘合剂表面被控制为游离的污垢，油脂，清洁
化合物和化合物离别
通常情况下RZ ： 3-12
m
在第一次接受交付
镍金，电镀处理
2
m
（分）
接触面， 0.1
m
（分）
160
±
30
m
“特平”直径为3毫米， F = 1.5N的
芯片互连
骰子合
焊线
环（ D22只）
银环氧树脂
黄金25
m
BRONZE
防护涂层
材料
装配
UV环氧树脂，环氧黑
摩洛哥的卡萨布兰卡。
描述
3/13
微型模块
和1至卷轴框。每个标签携带
下列信息：
- 产品：
销售类型
- 拍品编号：卷号
- POS ：
位置的总数
- 好：
好职位数
- 故障：
故障位置数
- 日期：
密封的日期
此外，防静电包装和输送箱
携带自粘的塑料“ ESD ”的警告标签，
85× 38毫米在大小，表示“静电
敏感设备“ 。
每个卷轴被装在卷轴中，由回收
硬纸板。带盘盒的尺寸取决于它的
起源。几个卷轴盒是装在一个输送
框，它也是由回收的纸板。
送货单提供，列出以下
信息：
- 封口日期
- 卷号
- 总数立场，与细节
每卷的位置
- 订单号和客户名
- 销售型
- 磁带式
推荐的验收标准
产品标识应针对检查
传送文档和数量
所记录的卷轴好位置。该产品
也可以按照相应的测试
数据表，条件取决于
产品类型，与发行人或用户模式（
ST13xx产品） 。
对于交货验收， ST建议
从开始时采样的微型组件
卷轴。采样的AQL应适用，以
在ISO 2859标准（ II级测试，一般测试） 。
表5的卷轴盒尺寸
生产地点
鲁塞
CASABLANCA
卷盒的大小
370 X 390 ×80mm的
373 X 370 X 78毫米
表6. AQL水平
缺陷
共向的缺陷 - 机电
机械故障
电气缺陷
AQL
0.65
0.65
0.65
任何观察到的差异应当在报
写ST质量部门。表6
给出了推荐的AQL水平。
视觉和机械测试规范和
试验条件在表7中描述。
缺陷录取率
每卷包含的缺陷的数量表示
设备，分布式，使得不超过20％的
它们被发现在磁带上的一个连续的块。
ST自己的质量验收标准保证
该用户将被告知当
电产率小于90％。
该部件号和重复订购信息
根据意法半导体目前的产品编码设置
政策，如对个别产品数据
张，或与客户商定。
卷轴未通过检查应该是
后15个工作日内返回ST
交货。
表7.视觉和机械规格和测试条件
TEST
1
说明与方法
接触面积
不合格标准
胶水或颗粒，划痕打印，就断绝接触面积缺损
损坏的金层。目测距离30厘米，肉眼。
厚度和外形尺寸测量超过总
厚度或其他方面不符合图纸
模具剪切力< 10牛顿
钢丝升降或断裂的拉力测试与< 4克
2
3
1
4
1
芯片覆盖
芯片粘结强度
引线键合
注：1，试验3和4是按照MIL-STD- 833进行的。
4/13
微型模块
可靠性
产品资质和持续的可靠性
监测是通过ST执行。主要步骤
列于表8和表9 。
表8.包装相关测试
TEST
1
2
3
4
5
描述
几何
视觉检测
温度循环
盐雾
接触腐蚀
耐湿性
振动电机
测量
法
ST规格
康迪特离子
监控/批号
5
AQL = 0.040
5
15
7
lptd
准则
（注1 ）
0/45
0/315
0/45
0/15
0/32
ST规格呼出/批号
MIL-STD-883
方法1010
MIL-STD-883
方法1009
MIL-STD-883
方法1004
ISO / IEC 10373
-40
°C
150
°C,
100次
35
°C,
5 ％的NaCl ，24小时
85
°C,
85 ％的HR偏5.5 V ，
168小时
6
1倍频程/分，加速度达
10 G（重复20次）
20
在25测量内存检查
°C
长边：偏转2厘米
空方：偏转1厘米
每分钟30次弯曲
最大位移15 °
±1°
1000扭转，每分钟30扭转
适用于长边只
20
0/11
7
弯曲性能
ISO / IEC 7816-1
0/11
8
扭力特性
ISO / IEC 7816-1
20
0/11
注： 1，符号
M / N
意思是：如果超过拒收整批
m
设备从样品失败
n
设备。例如， 0/45指
从大量的拍摄，与整幅45设备样品只接受每一位45样品的设备通过了测试。
表9.产品相关测试
TEST
1
2
描述
寿命试验
静电放电
静电放电
3
4
数据保留，
储存温度
写/擦除周期
法
MIL-STD-883
方法1005
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法1005
ST规格
康迪特离子
140
°C,
6 V ， 504小时测量
25内存检查
°C
人体模型：
1.5 kΩ的， 100 pF的，
±
5000 V
3
不适用
lptd
准则
0/76
0/9
0/9
0/45
0/32
机器型号： 0
,
200 pF的，
±
200 V N / A
在25测量内存检查
°C
150
°C,
1000小时无偏见
5
在25测量内存检查
°C
100,000次
200 PPM /
1024字节/
1000周期
15
15
15
5
6
7
磁场，存储器
查
X射线，内存检查
UV灯，内存检查
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
79,500 /米
70千伏， 0.1灰色
15 W.S /厘米
2
，最大30分钟
1/25
1/25
1/25
5/13
D10 ， D15 ， D20 ， D22 ， C20 ， C30
微型模块
内存微型模块
为D1 ， D2和C封装一般资讯
s
微型组件是专为开发
在智能卡和存储卡嵌入
微型组件提供：
- 支持芯片
- 电触点
- 适合嵌入接口刷胶
模块的塑料包
注入侧
接触侧
s
D15
s
物理尺寸和触点位置
兼容于ISO 7816标准
输送作为连续的超微型组件
35毫米磁带。 （这不同于标准
之间的间隔距离35毫米胶带
索引孔。 ）
D10
D20
1
1
1
1
s
1
1
1
1
描述
存储器卡包括两个主要部分组成：
塑料卡，和嵌入式微型组件
（其中，反过来，进行硅芯片） 。
塑料卡是由PVC，ABS或类似
材料，并且可以是在印有图形，
文本，和磁条。微型组件是
嵌入在塑料卡的腔。
微型组件安装在超级35毫米
金属化环氧树脂胶带，并交付卷轴。
这些含有所有的芯片的从若干
晶片，包括那些被认为是该芯片
在测试过程中的非功能。可追溯性是
由固定在卷轴的标签保证。
D22
C30
C20
表1.存储卡和内存标签集成电路
MODUL ê
D10
D15
D20
D22
C30
C20
请参阅这些产品的数据表介绍的这些例子说明
微型模块
ST1200 ， ST1305B ， ST1331 ， ST1333 ， ST1335 ， ST1336 ， ST1353 ， ST1355
ST14C02 ， ST1305B ， ST1335 ， ST1336 ， ST1355
ST14C02 ， M14C04 ， M14C16 ， M14C32
M14C64 ， M14128 ， M14256
M35101, M35102
M35101, M35102
1999年12月
1/13
微型模块
表2.存储卡产品
TYPE
ST14C02C
M14C04
M14C16
M14C32
M14C64
M14128
M14256
ST1200
ST1305B
ST1331
ST1333
ST1335
ST1336
M35101
M35102
非接触式存储器芯片， 13.56兆赫， 2048位EEPROM
非接触式存储器芯片具有64位唯一ID ，
13.56兆赫， 2048位EEPROM
记忆卡IC， 272位高耐久性EEPROM
具有高级安全机制
说明（请参阅个别产品数据
张全规格）
记忆卡IC， 2千位（ 256 ×8 ）串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 4千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 16千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 32千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 64千位串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 128 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256 Kbit的串行I
2
C总线EEPROM
记忆卡IC， 256位OTP EPROM与锁定功能
记忆卡IC， 192位高耐久性EEPROM
与安全逻辑访问控制
过程
1.2
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
0.6
m
3.5
m
1.5
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
1.2
m
0.6
m
0.6
m
技术
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
NMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
模块式
D15, D20
D20
D20
D20
D22
D22
D22
D10
D10, D15
D10
D10
D10, D15
D10, D15
C20, C30
C20, C30
组装流如下：
1.骰子锯
2.附加骰子
3.引线键合
4.灌封胶
5.铣削（取决于产品）
性的产品类型的微型组件的范围
总结在表1和表2中。对于大
卷， ST能够提供定制模块
胶带。
交货
超级35毫米金属环氧胶带
传送卷轴，如示于图1中。这些
包含的所有芯片的从多个晶片，
包括那些被发现芯片是不
在测试过程中发挥作用。可追溯性保证
由固定在卷轴的标签。
典型的量为每卷万的模块，
优先考虑在卷筒上很多的完整性。该
最大数量为15000每卷。
这部分有故障（机械或电气
有缺陷的）的确定打孔。该
规格为拒绝打孔示于
图4为D10微型组件，在图5中为
的D15微型组件，在图6中为D20的
微型组件，并且在图7中为D22
微型组件。
胶带连接（带拼接）从未超过10
每10米的长度，如图2和
网络连接gure 3 。
至少领先2.1 m的， 2.1米的拖车是
包含在每个卷轴上。每一个由PVC超
35毫米带，无金属化，并且是不透明的
红外和白光。
“失败”的拒绝孔标记包含在
开始和至少5的带的端
连续的模块间距（双位置） 。
模块应的温度范围内被存储
-40
°C
至+ 85
°C,
不超过1年。
每个卷轴装在防静电袋，以及
干燥剂袋，和一个湿度指示卡。
此卡指示湿度的水平如下：
30 - 蓝色：保护放心
40 - 粉红：更新干燥剂袋
50 - 粉红：保护不再保证
三自粘的塑料标识标签
附：一个卷轴，一个防静电袋，
2/13
微型模块
表3.生产流程和生产设施的位置
手术
法国Rousset 。 6 “晶圆厂。
晶圆扩散
的Agrate ，意大利。只有6 “晶圆厂：标准EEPROM
法国Rousset 。
电气晶圆测试
唯一的标准EEPROM ： Agrate建成，意大利
装配
最终测试
摩洛哥的卡萨布兰卡。
摩洛哥的卡萨布兰卡。
法国Rousset 。
位置及设施
表4.材料规范
材料
TAPE
基础材料
胶粘剂
层压铜箔
粘接强度
磁带表面
表面粗糙度
接触面
镍厚度
的金层厚度
磁带总厚度
控制，帕尔默
MCTS T2或揖斐电粗糙，典型厚度120
m
改性环氧树脂，典型厚度18
m
典型厚度35
m
> 0.8N / mm的室温。通过使用胶带的制造商监视
合适的测试方法
整个环氧树脂粘合剂表面被控制为游离的污垢，油脂，清洁
化合物和化合物离别
通常情况下RZ ： 3-12
m
在第一次接受交付
镍金，电镀处理
2
m
（分）
接触面， 0.1
m
（分）
160
±
30
m
“特平”直径为3毫米， F = 1.5N的
芯片互连
骰子合
焊线
环（ D22只）
银环氧树脂
黄金25
m
BRONZE
防护涂层
材料
装配
UV环氧树脂，环氧黑
摩洛哥的卡萨布兰卡。
描述
3/13
微型模块
和1至卷轴框。每个标签携带
下列信息：
- 产品：
销售类型
- 拍品编号：卷号
- POS ：
位置的总数
- 好：
好职位数
- 故障：
故障位置数
- 日期：
密封的日期
此外，防静电包装和输送箱
携带自粘的塑料“ ESD ”的警告标签，
85× 38毫米在大小，表示“静电
敏感设备“ 。
每个卷轴被装在卷轴中，由回收
硬纸板。带盘盒的尺寸取决于它的
起源。几个卷轴盒是装在一个输送
框，它也是由回收的纸板。
送货单提供，列出以下
信息：
- 封口日期
- 卷号
- 总数立场，与细节
每卷的位置
- 订单号和客户名
- 销售型
- 磁带式
推荐的验收标准
产品标识应针对检查
传送文档和数量
所记录的卷轴好位置。该产品
也可以按照相应的测试
数据表，条件取决于
产品类型，与发行人或用户模式（
ST13xx产品） 。
对于交货验收， ST建议
从开始时采样的微型组件
卷轴。采样的AQL应适用，以
在ISO 2859标准（ II级测试，一般测试） 。
表5的卷轴盒尺寸
生产地点
鲁塞
CASABLANCA
卷盒的大小
370 X 390 ×80mm的
373 X 370 X 78毫米
表6. AQL水平
缺陷
共向的缺陷 - 机电
机械故障
电气缺陷
AQL
0.65
0.65
0.65
任何观察到的差异应当在报
写ST质量部门。表6
给出了推荐的AQL水平。
视觉和机械测试规范和
试验条件在表7中描述。
缺陷录取率
每卷包含的缺陷的数量表示
设备，分布式，使得不超过20％的
它们被发现在磁带上的一个连续的块。
ST自己的质量验收标准保证
该用户将被告知当
电产率小于90％。
该部件号和重复订购信息
根据意法半导体目前的产品编码设置
政策，如对个别产品数据
张，或与客户商定。
卷轴未通过检查应该是
后15个工作日内返回ST
交货。
表7.视觉和机械规格和测试条件
TEST
1
说明与方法
接触面积
不合格标准
胶水或颗粒，划痕打印，就断绝接触面积缺损
损坏的金层。目测距离30厘米，肉眼。
厚度和外形尺寸测量超过总
厚度或其他方面不符合图纸
模具剪切力< 10牛顿
钢丝升降或断裂的拉力测试与< 4克
2
3
1
4
1
芯片覆盖
芯片粘结强度
引线键合
注：1，试验3和4是按照MIL-STD- 833进行的。
4/13
微型模块
可靠性
产品资质和持续的可靠性
监测是通过ST执行。主要步骤
列于表8和表9 。
表8.包装相关测试
TEST
1
2
3
4
5
描述
几何
视觉检测
温度循环
盐雾
接触腐蚀
耐湿性
振动电机
测量
法
ST规格
康迪特离子
监控/批号
5
AQL = 0.040
5
15
7
lptd
准则
（注1 ）
0/45
0/315
0/45
0/15
0/32
ST规格呼出/批号
MIL-STD-883
方法1010
MIL-STD-883
方法1009
MIL-STD-883
方法1004
ISO / IEC 10373
-40
°C
150
°C,
100次
35
°C,
5 ％的NaCl ，24小时
85
°C,
85 ％的HR偏5.5 V ，
168小时
6
1倍频程/分，加速度达
10 G（重复20次）
20
在25测量内存检查
°C
长边：偏转2厘米
空方：偏转1厘米
每分钟30次弯曲
最大位移15 °
±1°
1000扭转，每分钟30扭转
适用于长边只
20
0/11
7
弯曲性能
ISO / IEC 7816-1
0/11
8
扭力特性
ISO / IEC 7816-1
20
0/11
注： 1，符号
M / N
意思是：如果超过拒收整批
m
设备从样品失败
n
设备。例如， 0/45指
从大量的拍摄，与整幅45设备样品只接受每一位45样品的设备通过了测试。
表9.产品相关测试
TEST
1
2
描述
寿命试验
静电放电
静电放电
3
4
数据保留，
储存温度
写/擦除周期
法
MIL-STD-883
方法1005
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法3015
MIL-STD-883
方法1005
ST规格
康迪特离子
140
°C,
6 V ， 504小时测量
25内存检查
°C
人体模型：
1.5 kΩ的， 100 pF的，
±
5000 V
3
不适用
lptd
准则
0/76
0/9
0/9
0/45
0/32
机器型号： 0
,
200 pF的，
±
200 V N / A
在25测量内存检查
°C
150
°C,
1000小时无偏见
5
在25测量内存检查
°C
100,000次
200 PPM /
1024字节/
1000周期
15
15
15
5
6
7
磁场，存储器
查
X射线，内存检查
UV灯，内存检查
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
ISO IEC 10373
79,500 /米
70千伏， 0.1灰色
15 W.S /厘米
2
，最大30分钟
1/25
1/25
1/25
5/13
M35102
非接触式存储器芯片具有64位唯一序列号
13.56兆赫， 2048位高耐用性EEPROM
数据简报
s
s
s
s
s
s
ISO 14443-2 B型标准规定
13.56 MHz载波频率
847 kHz的副载波频率
106千比特/秒的数据传输
内部调谐电容
数据调制方式：
- ASK从读卡器到卡
- 从BPSK到卡读卡器
s
s
s
s
s
1792位EEPROM，带有写保护功能
256位ROM与64位唯一序列号
字节和页读（最多16个字节）
字节和页写（最多16个字节）
自定时编程周期自动
抹去
100000擦除/写周期（最小）
40年的数据保存（最低）
5毫秒的编程时间（典型值）
天线
(C20)
天线
(C30)
s
s
s
描述
该M35102是一种非接触式内存，搭载
所接收的载波的电磁波。它是一个
1792位EEPROM ，加上256位的ROM ，组织
为16页， 16 ×8位。
该M35102符合ISO 14443-2 B型
推荐电源和显转让
通过无线传输良。读卡器税务局局长
cuitry振幅调制（ 10％调制）的
使用幅移键控的载波上的数据
（ASK） 。该卡由答复负载调制
使用比特相移键控的载波上的数据
子载波的（BPSK） 。中的数据传输速率
每个方向106千比特/秒。
晶圆
图1.逻辑图
M35102
32字节
只读存储器
动力
供应
调节器
ASK
解调器
BPSK
负载
调制器
AC1
224字节
EEPROM
表1.信号名称
AC1
AC0
天线线圈
天线线圈
AC0
AI03383
1999年10月
完整的数据保密协议下提供。
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M35102
非接触式存储器芯片具有64位唯一序列号
13.56兆赫， 2048位高耐用性EEPROM
数据简报
s
s
s
s
s
s
ISO 14443-2 B型标准规定
13.56 MHz载波频率
847 kHz的副载波频率
106千比特/秒的数据传输
内部调谐电容
数据调制方式：
- ASK从读卡器到卡
- 从BPSK到卡读卡器
s
s
s
s
s
1792位EEPROM，带有写保护功能
256位ROM与64位唯一序列号
字节和页读（最多16个字节）
字节和页写（最多16个字节）
自定时编程周期自动
抹去
100000擦除/写周期（最小）
40年的数据保存（最低）
5毫秒的编程时间（典型值）
天线
(C20)
天线
(C30)
s
s
s
描述
该M35102是一种非接触式内存，搭载
所接收的载波的电磁波。它是一个
1792位EEPROM ，加上256位的ROM ，组织
为16页， 16 ×8位。
该M35102符合ISO 14443-2 B型
推荐电源和显转让
通过无线传输良。读卡器税务局局长
cuitry振幅调制（ 10％调制）的
使用幅移键控的载波上的数据
（ASK） 。该卡由答复负载调制
使用比特相移键控的载波上的数据
子载波的（BPSK） 。中的数据传输速率
每个方向106千比特/秒。
晶圆
图1.逻辑图
M35102
32字节
只读存储器
动力
供应
调节器
ASK
解调器
BPSK
负载
调制器
AC1
224字节
EEPROM
表1.信号名称
AC1
AC0
天线线圈
天线线圈
AC0
AI03383
1999年10月
完整的数据保密协议下提供。
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