添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1040页 > M34S32WMN6T
M34S32
初步数据
32K串行I
2
C总线EEPROM
与用户定义的只读座和32字节的OTP页
s
两线我
2
C串行接口,
SUPPORTS 400kHz的协议
兼容我
2
C扩展
地址
100万次擦/写
40年数据保留
单电源电压
硬件写控制
用户定义的只读BLOCK
32字节的OTP PAGE
字节和页写(最多32个字节)
BYTE ,随机和顺序读
模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强型ESD和闩锁
表演
图1.供货形式
s
s
s
s
s
s
s
s
s
8
8
1
1
PSDIP8 ( BN )
0.25毫米框架
S08 ( MN )
150密耳宽
s
s
s
图2.逻辑图
描述
该M34S32是一个32K位电可擦除亲
可编程存储器(EEPROM ) ,组织成
4096 ×8位。
表1.信号名称
SDA
SCL
WC
WCR
V
CC
V
SS
串行数据地址输入/输出
串行时钟
写控制
写控制寄存器控制
电源电压
VCC
SCL
WC
WCR
M34S32
SDA
VSS
AI02468
1998年6月
这是一个初步数据。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/18
M34S32
图3. DIP引脚连接
图4. SO引脚连接
M34S32
NC
NC
WCR
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI02448
M34S32
VCC
WC
SCL
SDA
NC
NC
WCR
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI02449
VCC
WC
SCL
SDA
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
工作环境温度
储存温度
焊接温度,焊接
T
领导
( SO8封装)
(PSDIP8
包)
输入或输出电压
电源电压
(人体模型)
静电放电电压
V
ESD
静电放电电压
1. MIL -STD- 883C , 3015.7 ( 100 pF的,
1500
)
参数
价值
-40至125
-65到150
40秒
10秒
215
260
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
V
V
IO
V
CC
(机器型号)
2. EIAJ IC- 121
( 200 pF的, 0
)
(条件
C)
500
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE计划和
其他相关的质量文件。
2/18
M34S32
说明(续)
所述存储器与I兼容
2
C扩展
解决标准,两线串行接口
它使用一个双向数据总线和串行
时钟。该存储器带有一个内置的4位,独特
对应于装置识别码(1010 )
在我
2
C总线定义。内存表现为
在我从设备
2
所有的记忆C协议
操作由串行时钟同步。读
写操作是通过发送START启动
总线主机产生DITION 。 START(开始)
条件之后是设备选择字节。
这是4比特的数据流(该识别码
1010 ) ,那么内存数据块存取输入的3位,
加一个读/写位。字节是最后端端接
一个应答位主编。
该M34S32包含三个内存块:将
OTP页面时,EEPROM块和ROM
块。该OTP (一次性可编程)页
是一个页的32字节,由用户一次写入。该
OTP页面不位于32千位内EEP-
ROM区域。一旦写入,检察官办公室网页无法
通过进一步的写指令修改。该ROM
块所驻留的32千位的EEPROM区域内。
ROM中数据块的大小被定义(由用户)
用的控制寄存器的帮助。
该OTP页面与设备选择访问
字节1010001x的EEPROM和ROM块
与设备选择字节进行访问
1010000x 。控制寄存器与访问
设备选择字节1010100x (见表3)。
表3.设备选择字节
器件代码
设备选择位
EEPROM和ROM的访问
OTP页面访问
控制寄存器的访问
b7
1
1
1
b6
0
0
0
b5
1
1
1
b4
0
0
0
内存块访问
b3
0
0
1
b2
0
0
0
b1
0
1
0
RW
b0
RW
RW
RW
当将数据写入存储器它响应
通过认定的确认收到的8位
在第9位的时间位。当数据被读出
总线主控器,它确认收到的
以同样的方式的数据字节。
数据传输端接一个STOP条件
化。
上电复位: VCC锁定写保护。
In
为了防止数据损坏和意外的
在上电期间写操作,上电重
集(POR)电路来实现。直到VCC
电压已经达到的POR阈值,则
内部复位有效:所有操作将被禁用
并且设备不会响应任何命令。
以同样的方式,当VCC降到向下从
工作电压低于POR门槛值
客户端,所有的操作都被禁止,器件将
不响应任何命令。一个稳定的VCC必须的
施加任何逻辑信号之前被应用。
信号说明
串行时钟( SCL ) 。
SCL输入引脚用于
中和从存储器中同步所有数据。一
电阻器可以从SCL线被连接
VCC作为一个上拉(参见图3)
串行数据( SDA ) 。
SDA引脚是双向的
并且,用于在或从memo-的传输数据
RY 。这是一个开漏输出,可能是线级
或运算与其它漏极开路或集电极开路显
的NAL总线上。一个上拉电阻必须CON组
连接的从SDA总线到V
CC
(参见图
3).
表4.操作模式
模式
当前地址读
随机地址读
1
顺序读取
字节写
页写
1
0
0
1
1
32
RW位
1
0
1
重新启动,设备选择, RW = 1
电流或随机模式
开始,设备选择, RW = 0
开始,设备选择, RW = 0
数据
字节
1
初始序列
开始,设备选择, RW = 1
开始,设备选择, RW = 0 ,地址
3/18
M34S32
写控制( WC ) 。
写控制功能
碳化钨是有用的,以保护整个内容
任何错误的擦除/写入赛扬EEPROM区
CLE 。它还可以防止第一OTP页
写尝试。写控制信号的极性可以
用的控制寄存器的WCpol位被选中
存器(见表13)。当引脚WC是unconnect-
ED ,在WC输入在内部解读为VIL (见
表5)。
当WC和WCpol被激活写出的
tection ,设备选择和地址字节是AC-
knowledged ;数据字节不承认
(参见图11) 。
写控制( WCR ) 。
为了防止杂散
写入到控制寄存器中,用户还可以
使控制寄存器只读(写为IN-
禁止的) 。这是通过使用西铁销来实现
和CRWD位(见表14) :
- - 如果CRWD位= 0时,控制寄存器可以
西铁引脚的状态,无论修改。
- - 如果CRWD位= 1时,控制寄存器可以
如果修改后的西铁脚为高电平。
- - 如果CRWD位= 1和西铁引脚为低电平时,则
控制寄存器被写保护。
设备操作
I
2
C总线背景
内存支持扩展寻址
I
2
C协议。该协议定义的任何设备
将数据发送到总线上的一个发射器和任何
设备读取的数据作为接收器。 DE-的
副控制该数据传输是被称为
船长和其他的奴隶。法师会
总是启动数据传输,并提供了
串行时钟同步。内存是AL-
如何在所有的通信从设备。
启动条件。
开始是由一个高识别
SDA线在时钟SCL为低电平的跳变
是稳定的,在高的状态。一个起始条件必须
先进行数据传输任何命令。除了
编程过程中,内存continu-
ously监视一个的SDA和SCL信号
启动条件,将不会响应除非
给出。
停止条件。
停止由低到识别
SDA线,而时钟SCL为高电平的跳变
是稳定的,在高的状态。停止条件termi-
存储器之间纳茨通信
总线主机。在一月底停止条件
读命令部队待命状态。一
在写命令的末尾停止条件
触发内部EEPROM写周期。
确认位( ACK) 。
一个确认信号
用于指示一个成功的数据传输。该
总线发送,无论是主机或从机,将发布
发送8位数据后的SDA总线。中
第9个时钟脉冲接收器拉SDA总线
低到确认收到的8位DA-的
TA 。
数据输入。
在数据输入存储器SAM-
普莱斯SDA总线上的信号的上升沿
时钟SCL 。能够正确操作设备的SDA
信号必须在时钟中是稳定低到高
过渡和数据只能改变时
SCL线为低电平。
设备选择。
开始通信BE-
补间总线主机和从机内存,
主机必须启动条件。的8位
一去之后,启动条件是由发送
副选的4位字节标识了设备
型,3个内存块的访问位和1位的
READ( RW = 1)或写(RW = 0)的操作。
有两种模式都为读取和写入。
这些总结在表4和描述
以下。高手之间的通信
而从结束一个停止条件。
表5.输入参数
(1)
(T
A
= 25 ° C,F = 400千赫)
符号
C
IN
C
IN
Z
L
Z
H
t
LP
参数
输入电容( SDA )
输入电容(其他引脚)
WC , WCR输入阻抗
WC , WCR输入阻抗
低通滤波器的输入时间常数( SDA和SCL )
V
IN
0.3 V
CC
V
IN
0.7 V
CC
5
500
100
测试条件
分钟。
马克斯。
8
6
20
单位
pF
pF
k
k
ns
注: 1。采样只,而不是100 %生产测试。
4/18
M34S32 -
图5.最大的RL值与总线电容( CBUS )为I
2
C总线
VCC
20
最大RP值(千欧)
16
RL
12
8
4
0
10
100
CBUS (PF )
AI01665
RL
SDA
FC = 100kHz的
FC = 400kHz的
SCL
CBUS
CBUS
1000
表6.直流特性(T
A
= 0至70℃ , -40至85℃ ; V
CC
= 4.5V至5.5V , 2.5V至5.5V )
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流(SCL ,
SDA )
输出漏电流
电源电流
I
CC
电源电流( W系列)
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
OL
输出低电压( W系列)
待机电流
待机电流( W系列)
输入低电压( WC , WCR )
输入高电压( WC , WCR )
输入低电压(其它引脚)
输入高电压(其它引脚)
输出低电压
I
OL
= 3毫安, V
CC
= 5 V
I
OL
= 2.1毫安, V
CC
= 2.5 V
测试条件
0
V
IN
V
CC
0
V
OUT
V
CC
; SDA在高阻
V
CC
= 5 V ; F
C
= 400千赫
(上升/下降时间< 30纳秒)
V
CC
= 2.5 V ; F
C
= 400千赫
(上升/下降时间< 30纳秒)
V
IN
= V
SS
或V
CC
; V
CC
= 5 V
V
IN
= V
SS
或V
CC
; V
CC
= 2.5 V
– 0.3
V
CC
- 0.5
– 0.3
0.7 V
CC
分钟。
马克斯。
±2
±2
2
1
10
2
0.5
V
CC
+ 1
0.3 V
CC
V
CC
+ 1
0.4
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
V
5/18
查看更多M34S32WMN6TPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    M34S32WMN6T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:287673858 复制

电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
M34S32WMN6T
ST
21+
2690
原封装
新到现货、一手货源、当天发货、价格低于市场
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
M34S32WMN6T
ST
25+热销
15000新到
MOSP8
【现货库存】全新原装热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
M34S32WMN6T
ST
最新环保批次
23480
MOSP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
M34S32WMN6T
ST/意法
21+
5092
MOSP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
M34S32WMN6T
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8634
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多M34S32WMN6T供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!