M34D64
M34D32
64/32 Kbit的串行IC总线EEPROM
随着硬件写控制对存储器的前1/4
初步数据
s
s
兼容我
2
C扩展寻址
两线我
2
C接口
支持400千赫协议
单电源电压：
- 4.5V至5.5V的M34Dxx
- 2.5V至5.5V的M34Dxx -W
- 1.8V至3.6V的M34Dxx -R
s
8
1
PSDIP8 （ BN ）
0.25毫米框架
s
前25％的硬件写控制
内存
字节和页写（最多32个字节）
随机和顺序读模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强的ESD /闩锁的行为
超过100万次擦除/写周期
超过40年的数据保存
s
s
s
s
s
s
s
8
1
SO8 （ MN ）
150密耳宽
描述
这些电可擦除可编程
存储器（EEPROM）器件制造用
意法半导体的高耐用性， CMOS
技术。这保证了续航能力
通常远高于百万擦除/写
周期， 40年的数据保持力。该
回忆被组织为8192x8位（ M34D64 ）
和4096x8位（ M34D32 ） ，向下运行至
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
E0, E1, E2
SDA
芯片使能输入
串行数据/地址输入/
产量
串行时钟
写控制
电源电压
地
3
E0-E2
SCL
WC
M34D64
M34D32
SDA
SCL
WC
V
CC
V
SS
VSS
AI02850
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M34D64 ， M34D32
图2A 。 DIP连接
2.5伏（对-W版本的每个器件的） ，和
下降到1.8伏（用于每个器件的-R版本）。
该M34D64和M34D32在塑料可
双列直插和塑料小外形封装。
这些存储器设备与兼容
I
2
C扩展内存标准。这是一个两线
一种使用双向数据总线的串行接口
和串行时钟。该存储器带有一个内置的4-
位独特的设备类型标识代码（ 1010 ）在
根据我
2
C总线定义。
内存表现为在I从站设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后是
设备选择的代码和RW位（如描述
表3 ） ，一个应答位终止。
当将数据写入存储器，存储器
插入9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
当数据总线主机，总线读
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
的ACK后，写一个停止条件，并
经过诺亚克为READ 。
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
上电时，上电写入操作
复位（POR）电路被包括在内。内部复位
保持有效，直到V
CC
电压已达到
在POR阈值，并且所有的操作都
禁用 - 该设备将不向任何回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压，低于上电复位门限
值，所有的操作都被禁止，该装置
不会响应任何命令。一个稳定，
M34D64
M34D32
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI02851
VCC
WC
SCL
SDA
图2B中。 SO连接
M34D64
M34D32
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI02852
VCC
WC
SCL
SDA
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度焊接过程中
输入或输出范围
电源电压
静电放电电压（人体模型）
2
PSDIP8 ： 10秒
SO8 ： 40秒
价值
-40至125
-65到150
260
215
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200 pF的， 0
)
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M34D64 ， M34D32
图3.最大R
L
值与总线电容（C
公共汽车
）为一个余
2
C总线
VCC
20
最大RP值（千欧）
16
RL
12
8
4
0
10
100
CBUS （PF ）
AI01665
RL
SDA
主
FC = 100kHz的
FC = 400kHz的
SCL
CBUS
CBUS
1000
有效的V
CC
任何应用之前，必须应用
逻辑信号。
信号说明
串行时钟（ SCL ）
SCL输入引脚用于选通中的所有数据和
出的存储器中。在应用这条线在哪里
使用奴隶到总线同步到
慢的时钟，主机必须具有漏极开路
输出，和一个上拉电阻必须连接
从SCL线V
CC
。 （图3表示如何
上拉电阻器的值可以计算出） 。
在大多数应用中，虽然，这种方法
同步没有被采用，并因此上拉
电阻是没有必要的，只要该
主设备具有推挽（而不是开漏）
输出。
串行数据（ SDA ）
SDA引脚是双向的，并用于
中或从存储器中传送数据。它是一个开放
漏极开路输出，可能是电线或运算与其他
漏极开路或总线上的开路集电极信号。一
上拉电阻，必须从SDA连接
公交车到V
CC
。 （图3中表示的值是如何
的上拉电阻可以计算） 。
芯片使能（ E2 ， E1 ， E0 ）
这些芯片使能输入用于设置该值
要被看为对三至少显著
位的7位器件选择代码（B3 ， B2，B1 ） 。
这些输入必须连接到V
CC
或V
SS
to
建立设备选择代码。
写控制（ WC ）
硬件写控制引脚（ WC ）是有用的
保护存储器的前1/4 （如
在图4中），以防止意外擦除或写入所示。
所述写控制信号用于使能
（ WC = V
IL
）或禁用（ WC = V
IH
）写的说明
该存储区的前1/4 。当
未连接时， WC输入在内部读作
V
IL
，被允许和写操作。
设备操作
所述存储器装置支持我
2
C协议。
这总结在图5中，与比较
在应用笔记其它串行总线协议
AN1001
。发送到总线的数据的任何设备
被定义为一个发送器，并且任何装置
图4.内存映射写入控制区
1FFh
写控制
区域
180h
FFH
C0h
写控制
区域
100h
80h
80h
40h
00h
M34D32
000h
M34D64
AI03114
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M34D64 ， M34D32
表3.设备选择代码
1
设备类型标识
b7
设备选择的代码
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
E2
芯片使能
b2
E1
b1
E0
RW
b0
RW
注： 1.最显著位的b7中，首先发送。
转换，并且数据必须改变
只
当
SCL线为低电平。
存储器寻址
要启动总线主机之间的通信
而从内存，主机必须启动
启动条件。在此之后，主机发送
8位字节，表3所示，在SDA总线上
线（第一最显著位）。这包括在
7位器件选择代码和1位读/写
代号（ RW ） 。设备选择的代码是
进一步细分为： 4位设备类型
识别符，和一个3比特的芯片使能“地址” （ E 2，
E1, E0).
为了解决存储阵列， 4位设备
类型标识符是1010B 。
如果所有三个芯片使能输入端连接，可达
8存储器设备可连接于一
我单
2
C总线。每一个被赋予一个唯一的3位
它的芯片使能输入的代码。当设备
选择代码收到SDA总线上时，
内存只响应当片选守则
施加到它的芯片相同的图案使
销。
8
th
位是RW位。这被设置为'1'，读
和' 0'的写操作。如果出现上一场比赛
设备选择的代码，相应的
存储器给出在SDA的确认
9时公交车
th
位时间。如果存储器不
匹配的设备选择的代码，它本身取消选择
从总线，并进入待机模式。
有两种模式都为读取和写入。
这些总结在表6和描述
表4.最高有效字节
b15
b14
b13
b12
b11
b10
b9
b8
注： 1， B15到B13都不要在M34D64系列护理。
B15到B12都不要在M34D32系列护理。
表5.最低有效字节
b7
b6
b5
b4
b3
b2
b1
b0
后来。高手之间的通信
从结束一个停止条件。
在存储器中的每个数据字节都有一个16位（ 2
字节宽）地址。最高有效字节
（表4）首先被发送，其次是最不
显著字节（表5） 。位B15到B0形式
在存储器中的一个字节的地址。位B15到B13的
视为无关位上M34D64
内存。位B15到B12都被视为不关心
位在M34D32内存。
写操作
在开始状态之后，主机发送一个
设备与RW选择代码位设置为“0” ，如
在表6中的存储器承认此示出，
并等待两个地址字节。内存
响应每个地址字节的
确认位，然后等待数据字节。
写入到存储器可以如WC抑制
输入引脚被拉高。与任何写命令
WC = 1（在一段时间内从起始
状态，直到两个地址字节的末尾）
不会修改的前1/4的内容
的存储器。
表6.操作模式
模式
当前地址读
随机地址读
1
顺序读取
字节写
页写
注：1，X =
V
IH
或V
IL
.
RW位
1
0
WC
1
X
X
字节
1
1
初始序列
开始，设备选择， RW = ' 1 '
开始，设备选择， RW =' 0 ' ，地址
重新启动，设备选择， RW = ' 1 '
X
X
V
IL
V
IL
≥
1
1
1
0
0
类似于目前或随机地址读
开始，设备选择， RW =' 0 '
≤
32
开始，设备选择， RW
= ‘0’
5/15
QQ：2880707522 复制
