M34C02
2 Kbit的串行IC总线EEPROM
对于DIMM串行存在检测
s
两线我
2
C接口
支持400千赫协议
单电源电压：
- 2.5V至5.5V的M34C02 -W
- 2.2V至5.5V的M34C02 -L
s
8
1
PSDIP8 （ BN ）
0.25毫米框架
s
s
s
s
s
s
s
s
软件数据保护的低128个字节
字节和页写（最多16个字节）
随机和顺序读模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强的ESD /闩锁保护
100万擦除/写周期（最小）
40年的数据保存（最低）
8
1
SO8 （ MN ）
150密耳宽
8
1
TSSOP8 （ DW ）
169密耳宽
描述
该M34C02是一个2 Kbit的串行EEPROM存储器
能够锁定永久数据在其前半部分
（从位置从00h到7F ） 。这家工厂已经
专为DRAM的DIMM设计使用
（双行间内存模块）与串行
设备检测。所有有关信息
在DRAM模块的配置（例如其
存取速度，它的大小，它的组织）可以
不停地写在所述第一存储器的一半的保护。
该底部的存储器区域的一半可以被写
采用特殊设计的软件保护
写保护机制。通过发送
设备特定的序列中，第一128字节的
表1.信号名称
E0, E1, E2
SDA
芯片使能输入
图1.逻辑图
VCC
3
E0-E2
SCL
串行数据/地址输入/
产量
串行时钟
写控制
电源电压
地
SDA
M34C02
WC
SCL
WC
V
CC
V
SS
VSS
AI01931
1999年12月
1/19
M34C02
图2A 。 DIP连接
图2B中。 SO和TSSOP连接
M34C02
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI01932
M34C02
VCC
WC
SCL
SDA
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI01933
VCC
WC
SCL
SDA
记忆变成永久写保护。
必须小心使用这个序列时，可以采取
其效果不能颠倒。此外，该
设备使得整个内存区域是写
的保护，通过使用WC输入（例如
tieing这个输入到V
CC
).
在M34C02是一个2千位的电可擦除亲
可编程存储器（EEPROM ） ，组织成
256x8位，制造与意法半导体'
高耐用性，先进的CMOS工艺。
这保证了续航能力通常很好
以上百万擦除/写周期，数据
保留40年。这些存储设备
有电源下工作， 2.2 V的
M34C02-L.
该M34C02是塑料双列直插可用，
塑料小外形和超薄紧缩小型
外形封装。
这些存储器设备与兼容
I
2
C内存标准。这是一个两线串行
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度焊接过程中
输入或输出范围
电源电压
接口，它使用一个双向数据总线和
串行时钟。该存储器带有一个内置的4位
设备类型标识代码（ 1010）根据
与我
2
C总线定义访问存储器
区和第二设备类型标识代码
（ 0110 ）来访问保护寄存器。这些
码一起使用3芯片使能
输入端（E2 ，E1 E0 ），使得多达8 2千比特
设备可以连接到IC总线和
单独选择。
内存表现为在I从站设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后是
设备选择的代码和RW位（如描述
表3 ） ，一个应答位终止。
当将数据写入存储器，存储器
插入9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
价值
-40到85
-65到150
PSDIP8 ： 10秒
SO8 ： 40秒
TSSOP8 ： 40秒
260
215
215
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
°C
V
V
V
静电放电电压（人体模型）
2
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
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M34C02
当数据总线主机，总线读
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
的ACK后，写一个停止条件，并
经过诺亚克为READ 。
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
上电时，上电写入操作
复位（POR）电路被包括在内。内部复位
保持有效，直到V
CC
电压已达到
在POR阈值，并且所有的操作都
禁用 - 该设备将不向任何回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压，低于上电复位门限
值，所有的操作都被禁止，该装置
不会响应任何命令。一个稳定，
有效的V
CC
任何应用之前，必须应用
逻辑信号。
信号说明
串行时钟（ SCL ）
SCL输入引脚用于选通中的所有数据和
出的存储器中。在应用这条线在哪里
使用奴隶到总线同步到
慢的时钟，主机必须具有漏极开路
输出，和一个上拉电阻必须连接
从SCL线V
CC
。 （图3表示如何
上拉电阻器的值可以计算出） 。
在大多数应用中，虽然，这种方法
同步没有被采用，并因此上拉
电阻是没有必要的，只要该
主设备具有推挽（而不是开漏）
输出。
串行数据（ SDA ）
SDA引脚是双向的，并用于
中或从存储器中传送数据。它是一个开放
漏极开路输出，可能是电线或运算与其他
漏极开路或总线上的开路集电极信号。一
上拉电阻，必须从SDA连接
公交车到V
CC
。 （图3中表示的值是如何
的上拉电阻可以计算） 。
芯片使能（ E2 ， E1 ， E0 ）
这些芯片使能输入用于设置该值
要被看为对三至少显著
位的7位器件选择代码（B3 ， B2，B1 ） 。
这些输入可以被动态地驱动或绑
V
CC
或V
SS
建立设备选择的代码。
写控制（ WC ）
硬件写控制（ WC ，引脚7 ）提供
为了保护整个存储器的内容
从错误的擦除/写周期。写
控制信号用于使能（WC = V
IL
）或
禁用（ WC = V
IH
）写指令到整个
存储器区域或向保护寄存器。
当WC被连接到V
SS
或悬空时，
写保护上半场的记忆
受保护的状态确定
注册。
设备操作
所述存储器装置支持我
2
C协议。
这个总结于图4中的任何设备
发送到总线的数据被定义为一
发送器，和一个读取的数据的任何设备
是一个接收器。控制该数据的设备
传递被称为主，其他为
奴隶。一种数据传送只能由启动
主，这也将提供串行时钟
进行同步。存储器设备是始终
从站设备的所有通信。
图3.最大R
L
值与总线电容（C
公共汽车
）为一个余
2
C总线
VCC
20
最大RP值（千欧）
16
RL
12
8
4
0
10
100
CBUS （PF ）
AI01665
RL
SDA
主
FC = 100kHz的
FC = 400kHz的
SCL
CBUS
CBUS
1000
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M34C02
表4.操作模式
模式
当前地址读
随机地址读
1
顺序读取
字节写
页写
注：1，X =
V
IH
或V
IL
.
RW位
1
0
WC
1
X
X
字节
1
1
初始序列
开始，设备选择， RW = ' 1 '
开始，设备选择， RW =' 0 ' ，地址
重新启动，设备选择， RW = ' 1 '
X
X
V
IL
V
IL
≥
1
1
≤
16
1
0
0
类似于目前或随机地址读
开始，设备选择， RW =' 0 '
开始，设备选择， RW =' 0 '
命令触发内部EEPROM写
周期。
确认位（ ACK ）
一个确认信号被用于指示一个
成功的字节传输。总线发射器，
无论是主机或从机，释放SDA
发送8位数据后的总线。在9
th
时钟脉冲期间，接收器拉SDA总线
低到确认收到八个数据
位。
数据输入
在数据输入时，该存储器器件样品的
在时钟的上升沿，SDA总线信号，
SCL 。对于正确的设备操作， SDA信号
必须在时钟由低到高的过程中是稳定
转换，并且数据必须改变
只
当
SCL线为低电平。
存储器寻址
要启动总线主机之间的通信
而从内存，主机必须启动
启动条件。在此之后，主机发送
8位字节，表3所示，在SDA总线上
线（第一最显著位）。这包括在
7位器件选择代码和1位读/写
代号（ RW ） 。设备选择的代码是
进一步细分为： 4位设备类型
识别符，和一个3比特的芯片使能“地址” （ E 2，
E1, E0).
为了解决存储阵列， 4位设备
类型标识符是1010B 。为了解决保护
寄存器，它是0110b 。
如果所有三个芯片使能输入端连接，可达
8存储器设备可连接于一
我单
2
C总线。每一个被赋予一个唯一的3位
它的芯片使能输入的代码。当设备
选择代码收到SDA总线上时，
内存只响应当片选守则
施加到它的芯片相同的图案使
销。
8
th
位是读或写位（ RW） 。该位
设置为“1”，读取和'0'的写操作。如果一个
比赛发生在设备选择的代码中，
相应的存储提供了一个确认
9时SDA总线上
th
位时间。如果
内存不匹配的设备选择的代码，它
将取消自己从总线，并进入待机动
通过模式。
写操作
在开始状态之后，主机发送一个
设备与RW选择代码位设置为“0” ，如
在表4中的存储器承认此示出，
并等待接收地址字节。内存
响应地址字节产生确认
位，然后等待下一个数据字节。
写入到存储器可以如WC抑制
输入引脚被拉高。
字节写
在字节写模式下，设备后，选择
代码和地址字节，主机发送一个
数据字节。如果被寻址的位置是在一个写
保护的区域，所述存储器回复一个诺亚克，
和位置不会被修改。相反，如果所述
寻址位置不是在写保护区，
内存回复一个ACK 。主
终止转让产生STOP
条件。
页写
页写模式允许最多16个字节是
写在单个写入循环中，条件是它们
都位于内存中的同一个“行”中：
这是最显著存储器地址的位
（的b7 - b4）中是相同的。如果有更多的字节发送比
将适合到行的结束，一个条件已知
作为“翻车”发生。数据开始变得
覆盖（在某种程度上没有正式在该指定的
数据表） 。
主从数据之一多达16个字节发送，
其中的每一个由若存储器确认
在WC引脚为低电平。如果WC引脚为高电平时，则
被寻址的内存位置的内容
未修饰的。之后的每个字节被传送时，该
内部字节地址计数器（ 4至少
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QQ：800888908 复制
