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三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
描述
该M32000D4AFP是新一代微电脑32位
CPU和内置高容量的DRAM 。使用这种装置，可以
实现多媒体时代的与复杂的应用程序
高性能和低功耗。
该M32000D4AFP包含的DRAM 2M字节， 4K字节的
超高速缓冲存储器。 CPU使用的是RISC架构实现
并且具有52.4 MIPS的高性能的数字（在一个内部时钟
率66.6兆赫） 。存储器用于主存储器内部设置，以
该装置无需外部存储器和相关的控制税务局局长
cuits从而降低了整个系统的噪声和功耗。
在CPU ，内部DRAM和高速缓冲存储器是由一个连接
128位， 15纳秒/循环内部总线，几乎消除了转移
瓶颈在CPU和存储器之间。该M32000D4AFP
内部由4倍频输入时钟信号的频率。
对于66.6 MHz的输入时钟，内部运行频率频
昆西是16.65MHz 。
16位数据和24位地址总线是M32000D4AFP的克斯特
内部总线和接口到外部的外设控制器。当
持状态被设置时，内部DRAM可以从一个外部访问
最终设备。
使用M32000D4AFP 3芯片的基本系统配置的
设备本身加上ASIC中作为一个外围设备控制器和一节目
只读存储器。开始执行从外部复位向量入口
上电后ROM ，程序需要高速运行的
然后将其转移到内部DRAM ，这然后被执行。该
M32000D4AFP也有一个从模式附加到主模式。
当设置为从模式的M32000D4AFP可以作为一个
协处理器。在此模式下它不访问其外部总线
立刻复位后，但等待主人即可开始操作。
特点
中央处理器................................................. ......... M32R系列CPU核心
管道................................................. ............................. 5个步骤
基本总线周期................................. 15纳秒（在内部66.6兆赫）
逻辑地址空间............................................ 4G字节线性
外部总线................................................ ........数据总线： 16位
地址总线： 24位
内部DRAM ............................................... 16M位（ 2M字节）
缓存................................................. ......... 4K字节（直接映射）
寄存器的配置......通用寄存器： 32位×16
控制寄存器： 32位×5
指令集....................... 83条指令/ 6寻址模式
指令格式................................................ .... 16位/ 32位
乘法累加运算单元（ DSP功能指令）
内置内存控制器
可编程I / O端口
电源管理功能..................................待机模式
/ CPU睡眠模式
PLL时钟产生电路.................四个时钟PLL电路
操作方式..............................................主/从模式
___
___
中断输入................................................ ............ INT和SBI
电源................................................ .......... 3.3 V （ ± 10 ％ ）
应用
便携式设备，相机，导航系统，
数字化仪，打印机，扫描仪， FA设备
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
引脚配置（顶视图）
VCC
VCC
VCC
BCH
VCC
71
79
64
56
72
80
65
73
58
57
66
74
59
67
75
60
68
76
61
69
77
62
70
VSS
D15
D14
D13
D12
VCC
BURST
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
78
63
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
VCC
VSS
VSS
VSS
A27
RST
BCL
读/写
A25
VSS
A22
A28
A26
*1
A21
SID
A20
A30
A29
M / S
A24
*1
*1
A23
*1
VSS
D7
D6
D5
D4
VCC
VCC
VSS
VSS
VCC
HREQ
HACK
SBI
INT
*1
D3
D2
D1
D0
VSS
ST
VCC
VSS
VCC
VSS
VCC
WKUP
VCC
D11
D10
D9
D8
VSS
M32000D4AFP
100引脚QFP /间距为0.65mm
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
10
17
25
16
23
24
15
22
14
21
13
20
12
19
11
PLLCAP
A14
BS
18
A16
A13
*2
26
27
28
VCC
VSS
A10
A17
A15
A11
STBY
VCC
PLLVCC
VSS
VSS
A18
PP0
A19
A9
A8
*1
29
PLLVSS
CLKIN
注意：
连接* 1引脚VCC 。
连接* 2引脚到VSS 。
2
VCC
CS
PP1
A12
DC
30
2
3
4
5
1
6
7
8
9
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
框图
128
高速缓存存储器
（ 4K字节）。
128
指令队列
（ 128比特×2阶段）
M32000D4AFP
32位
M32R CPU内核
指令译码器
M / S
128位内部总线
RST
注册
PC
32位
x
16
ALU
移
负载/
商店
乘法
积累
单位
32 ×16位
MUL
+
56位-ACC
INT
SBI
WKUP
STBY
128
DRAM
（ 2M字节）
32位
128
数据选择器
32位
128位
内存
调节器
可编程
I / O端口
PP0
PP1
CLKIN
PLLCAP
PLLVCC
PLLVSS
128
外部总线接口单元
128位
16位
PLL时钟
发电
电路
23
16
BCL
ST
BURST
DC
D0 - D15
HREQ
HACK
A8 - A30
BCH
读/写
SID
CS
BS
3
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
功能
功能块
CPU核心
特征
总线规范
基本总线周期： 15纳秒（ 66.6 MHz的内部操作）
逻辑地址空间：线性4G字节
____ ____
外部地址总线： 24位（外部输出引脚： A8到A30 ， BCH ， BCL ）
外部数据总线： 16位
实施： 5级流水线
核心内部： 32位
注册的配置
通用寄存器： 32位
!
16
控制寄存器： 32位
!
5
指令集
16位/ 32位指令格式
83指令/ 6寻址模式
乘法累加运算内置于
16M位（ 2M字节）
4K字节（内部指令/数据高速缓存模式时，指令高速缓存模式时，高速缓存关闭方式）
高速缓存控制
DRAM内部控制，刷新控制
功率管理功能（待机状态下， CPU的睡眠模式选择控制）
内部DRAM
高速缓存存储器
内存控制器
可编程I / O口
两个可编程的I / O端口
4
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
引脚功能图
CLKIN
SID
BCL
BCH
BS
ST
读/写
时钟
PLLCAP
PLLVCC
PLLVSS
总线控制
RST
BURST
系统控制
M / S
WKUP
STBY
M32000D4AFP
DC
HREQ
HACK
CS
地址总线
A8 - A30
23
INT
数据总线
D0 - D15
16
SBI
中断输入
PP0
PP1
可编程I / O口
16
15
VCC Vss的
5
半导体技术资料
订购此文件
由MRF327 / D
射频线
NPN硅
RF功率晶体管
。 。 。主要用于宽带大信号输出放大器级中的设计
100至500兆赫的频率范围。
保证性能@ 400兆赫， 28伏直流
输出功率为80瓦以上225 400 MHz频段
最小增益= 7.3分贝@ 400 MHz的
内置匹配网络的宽带运营使用双赛
技术
100 ％测试负载不匹配，在所有相位角为30 ： 1 VSWR
黄金金属化系统的高可靠性的应用
其特征为100
to
500兆赫
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1)
减免上述25℃
存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
价值
33
60
4.0
9.0
12
250
1.43
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
MRF327
80瓦， 100 500MHz的
控制的“ Q”
宽带射频功率
晶体管
NPN硅
CASE 316-01 ，风格1
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.7
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 80 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 80 MADC ，V
BE
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 8.0 MADC ，我
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 80 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
33
60
4.0
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
直流电流增益（I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
h
FE
20
—
80
—
动态特性
输出电容
(V
CB
= 28伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
ob
—
95
125
pF
注意：
（续）
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当该装置作为一个RF放大器进行操作。
REV 1
1
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（图1）
共发射极放大器的功率增益
(V
CC
= 28伏直流电，P
OUT
= 80 W， F = 400兆赫）
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 28伏直流电，P
OUT
= 80 W， F = 400兆赫）
负载不匹配
(V
CC
= 28伏直流电，P
OUT
= 80 W， F = 400 MHz时，
VSWR = 30 ： 1所有相位角）
G
PE
η
ψ
在输出功率不降低
7.3
50
9.0
60
—
—
dB
%
R2
L3
C12
L2
C13
+
-
C14
C15
+
-
V
CC
28伏直流
L4
L5
R1
C11
Z2
Z3
C10
RF
产量
RF
输入
Z1
L1
DUT
C5
C1
C2
C3
C4
C6
C7
C8
C9
C1，C2， C7 ，C8，C9 - 1.0-20 pF的活塞微调（约翰森JMC 5501 ）
C3 ， C4 - 36 pF的ATC 100万片电容
C5 ， C6 - 43 pF的ATC 100万片电容
C10 - 100 pF的UNELCO
C11, C15 — 0.1
F
伊利特效治疗
C12，C13 - 680 pF的馈通
C14 — 1.0
F
50 V钽
L1 - 4打开＃ 22 AWG漆包线， 3/16 “ID Closewound与Ferroxcube公司
L1 —
珠（ ＃ 56-590-65 / 4B ）对线圈的接地端
L2 - Ferroxcube公司VK200-19 / 4B铁氧体扼流圈
L3 - 7打开＃ 18 AWG ， 11/16 “龙，缠绕在100 kΩ的2.0瓦的电阻
L4 - 6圈＃ 20 AWG漆包线， 3/16 “ID Closewound
L5 - 4打开＃ 22 AWG漆包线， 1/8“ ID Closewound
Z1 - 微带0.2 “宽x 1.5 ”L
Z2 - 微带0.17 “宽x 1.16 ”L
Z3 - 微带0.17 “宽x 0.63 ”L
R1, R2 — 10
2.0 WATT
板 - 铁氟龙玻璃
ε
r
= 2.56, t = 0.062″
输入/输出连接器N型
从80密耳厚的铜DUT插座引线框架刻纹
图1. 400 MHz的测试电路
REV 1
2
15
13
11
9
7
5
噘嘴，输出功率（瓦）
P
OUT
= 80 W
V
CC
= 28 V
120
100
80
60
40
V
CC
= 28 V
100
200
300
男，频率（MHz）
400
500
20
100
200
300
男，频率（MHz）
400
500
P
in
= 15 W
PE ，功率增益（分贝）
10 W
7.5 W
5W
图2.功率增益与频率
图3.输出功率与频率
100
噘嘴，输出功率（瓦）
80
60
40
20
P
in
= 12 W
噘嘴，输出功率（瓦）
9W
6W
100
P
in
= 15 W
80
60
40
20
F = 400 MHz的
30
0
10
14
18
22
26
30
10 W
6W
F = 225 MHz的
0
10
14
18
22
26
V
CC
，电源电压（伏）
V
CC
，电源电压（伏）
图4.输出功率与电源电压
图5.输出功率与电源电压
120
噘嘴，输出功率（瓦）
100
80
60
40
20
F = 100 MHz的
225兆赫
400兆赫
500兆赫
V
CC
= 28 V
0
5
10
P
in
，输入功率（瓦）
15
20
图6.输出功率与输入功率
REV 1
3
-5
-10
F = 100 MHz的
F = 100 MHz的
225
Z
OL
*
5
225 Z
in
450
400 500
450
500
400
5
10
10
P
OUT
= 80 W，V
CC
= 28 V
f
兆赫
100
225
400
450
500
Z
in
欧
0.33 + j0.26
0.56 + j1.64
1.3 + j3.29
1.58 + j2.53
0.82 + j2.9
Z
OL
*
欧
2.23 - j3.3
2.15 - j0.66
1.27 + j1.0
1.27 + j1.54
1.3 + j2.35
15
20
25
Z
OL
* =在其中所述装置输出工作在一个给定的输出功率的最佳负载阻抗的共轭，
Z
OL
* =
电压和频率。
图7.系列等效输入，输出阻抗
REV 1
4
包装尺寸
D
R
F
4
3
注意事项：
1.法兰分离出各种风格。
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
N
Q
R
U
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
英寸
民
最大
24.38
25.14
12.45
12.95
5.97
7.62
5.33
5.58
2.16
3.04
5.08
5.33
18.29
18.54
0.10
0.15
10.29
11.17
3.81
4.06
3.81
4.31
2.92
3.30
3.05
3.30
11.94
12.57
MILLIMETERS
民
最大
0.960
0.990
0.490
0.510
0.235
0.300
0.210
0.220
0.085
0.120
0.200
0.210
0.720
0.730
0.004
0.006
0.405
0.440
0.150
0.160
0.150
0.170
0.115
0.130
0.120
0.130
0.470
0.495
K
1
Q
2
L
B
J
E
N
H
A
U
C
辐射源
集热器
辐射源
BASE
CASE 316-01
版本D
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
REV 1
5
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
描述
该M32000D4AFP是新一代微电脑32位
CPU和内置高容量的DRAM 。使用这种装置，可以
实现多媒体时代的与复杂的应用程序
高性能和低功耗。
该M32000D4AFP包含的DRAM 2M字节， 4K字节的
超高速缓冲存储器。 CPU使用的是RISC架构实现
并且具有52.4 MIPS的高性能的数字（在一个内部时钟
率66.6兆赫） 。存储器用于主存储器内部设置，以
该装置无需外部存储器和相关的控制税务局局长
cuits从而降低了整个系统的噪声和功耗。
在CPU ，内部DRAM和高速缓冲存储器是由一个连接
128位， 15纳秒/循环内部总线，几乎消除了转移
瓶颈在CPU和存储器之间。该M32000D4AFP
内部由4倍频输入时钟信号的频率。
对于66.6 MHz的输入时钟，内部运行频率频
昆西是16.65MHz 。
16位数据和24位地址总线是M32000D4AFP的克斯特
内部总线和接口到外部的外设控制器。当
持状态被设置时，内部DRAM可以从一个外部访问
最终设备。
使用M32000D4AFP 3芯片的基本系统配置的
设备本身加上ASIC中作为一个外围设备控制器和一节目
只读存储器。开始执行从外部复位向量入口
上电后ROM ，程序需要高速运行的
然后将其转移到内部DRAM ，这然后被执行。该
M32000D4AFP也有一个从模式附加到主模式。
当设置为从模式的M32000D4AFP可以作为一个
协处理器。在此模式下它不访问其外部总线
立刻复位后，但等待主人即可开始操作。
特点
中央处理器................................................. ......... M32R系列CPU核心
管道................................................. ............................. 5个步骤
基本总线周期................................. 15纳秒（在内部66.6兆赫）
逻辑地址空间............................................ 4G字节线性
外部总线................................................ ........数据总线： 16位
地址总线： 24位
内部DRAM ............................................... 16M位（ 2M字节）
缓存................................................. ......... 4K字节（直接映射）
寄存器的配置......通用寄存器： 32位×16
控制寄存器： 32位×5
指令集....................... 83条指令/ 6寻址模式
指令格式................................................ .... 16位/ 32位
乘法累加运算单元（ DSP功能指令）
内置内存控制器
可编程I / O端口
电源管理功能..................................待机模式
/ CPU睡眠模式
PLL时钟产生电路.................四个时钟PLL电路
操作方式..............................................主/从模式
___
___
中断输入................................................ ............ INT和SBI
电源................................................ .......... 3.3 V （ ± 10 ％ ）
应用
便携式设备，相机，导航系统，
数字化仪，打印机，扫描仪， FA设备
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
引脚配置（顶视图）
VCC
VCC
VCC
BCH
VCC
71
79
64
56
72
80
65
73
58
57
66
74
59
67
75
60
68
76
61
69
77
62
70
VSS
D15
D14
D13
D12
VCC
BURST
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
78
63
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
VCC
VSS
VSS
VSS
A27
RST
BCL
读/写
A25
VSS
A22
A28
A26
*1
A21
SID
A20
A30
A29
M / S
A24
*1
*1
A23
*1
VSS
D7
D6
D5
D4
VCC
VCC
VSS
VSS
VCC
HREQ
HACK
SBI
INT
*1
D3
D2
D1
D0
VSS
ST
VCC
VSS
VCC
VSS
VCC
WKUP
VCC
D11
D10
D9
D8
VSS
M32000D4AFP
100引脚QFP /间距为0.65mm
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
10
17
25
16
23
24
15
22
14
21
13
20
12
19
11
PLLCAP
A14
BS
18
A16
A13
*2
26
27
28
VCC
VSS
A10
A17
A15
A11
STBY
VCC
PLLVCC
VSS
VSS
A18
PP0
A19
A9
A8
*1
29
PLLVSS
CLKIN
注意：
连接* 1引脚VCC 。
连接* 2引脚到VSS 。
2
VCC
CS
PP1
A12
DC
30
2
3
4
5
1
6
7
8
9
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
框图
128
高速缓存存储器
（ 4K字节）。
128
指令队列
（ 128比特×2阶段）
M32000D4AFP
32位
M32R CPU内核
指令译码器
M / S
128位内部总线
RST
注册
PC
32位
x
16
ALU
移
负载/
商店
乘法
积累
单位
32 ×16位
MUL
+
56位-ACC
INT
SBI
WKUP
STBY
128
DRAM
（ 2M字节）
32位
128
数据选择器
32位
128位
内存
调节器
可编程
I / O端口
PP0
PP1
CLKIN
PLLCAP
PLLVCC
PLLVSS
128
外部总线接口单元
128位
16位
PLL时钟
发电
电路
23
16
BCL
ST
BURST
DC
D0 - D15
HREQ
HACK
A8 - A30
BCH
读/写
SID
CS
BS
3
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
功能
功能块
CPU核心
特征
总线规范
基本总线周期： 15纳秒（ 66.6 MHz的内部操作）
逻辑地址空间：线性4G字节
____ ____
外部地址总线： 24位（外部输出引脚： A8到A30 ， BCH ， BCL ）
外部数据总线： 16位
实施： 5级流水线
核心内部： 32位
注册的配置
通用寄存器： 32位
!
16
控制寄存器： 32位
!
5
指令集
16位/ 32位指令格式
83指令/ 6寻址模式
乘法累加运算内置于
16M位（ 2M字节）
4K字节（内部指令/数据高速缓存模式时，指令高速缓存模式时，高速缓存关闭方式）
高速缓存控制
DRAM内部控制，刷新控制
功率管理功能（待机状态下， CPU的睡眠模式选择控制）
内部DRAM
高速缓存存储器
内存控制器
可编程I / O口
两个可编程的I / O端口
4
三菱微型计算机
M32000D4AFP
单芯片32位CMOS微机
引脚功能图
CLKIN
SID
BCL
BCH
BS
ST
读/写
时钟
PLLCAP
PLLVCC
PLLVSS
总线控制
RST
BURST
系统控制
M / S
WKUP
STBY
M32000D4AFP
DC
HREQ
HACK
CS
地址总线
A8 - A30
23
INT
数据总线
D0 - D15
16
SBI
中断输入
PP0
PP1
可编程I / O口
16
15
VCC Vss的
5
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