DDR SDRAM （ Rev.1.1 ）
二月
电
'02
三菱
三菱的LSI
M2S12D20 / 30TP -75 ， -75L ， -10 ， -10L
512M双数据速率同步DRAM
描述
M2S12D20TP是4 X银行33554432字×4位，
M2S12D30TP是4 X银行16777216字×8位，
双倍数据速率同步DRAM ，具有SSTL_2接口。所有的控制和地址信号为
参考CLK的上升沿。输入数据被寄存在数据选通脉冲的两个边沿，并
输出数据和数据选通信号在CLK的两个边缘被引用。该M2S12D20 / 30TP实现
非常高速的数据速率达到133MHz ，并适用于在计算机系统的主存储器。
特点
- VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V
- 双数据速率的架构;每个时钟周期2的数据传输
- 双向，数据选通（ DQS）被发送/接收的数据
- 差分时钟输入（ CLK和/ CLK ）
- DLL对齐DQ和DQS转换
- 命令是对每个正CLK边缘进入;
- 数据和数据屏蔽参照的DQS的两个边缘
- 4银行业务由BA0控制， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2.0 / 2.5 （可编程）
- 突发长度 - 2/4/8 （可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 自动预充电/所有银行预充电是通过控制A10
- 8192刷新周期/ 64ms的（ 4银行同步更新）
- 自动刷新和自刷新
- 行地址A0-12 /列地址A0-9,11-12 （ X4 ） / A0-9,11 （ X8 ）
SSTL_2接口
- 400万， 66引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）
- JEDEC标准
- 低功耗为自刷新电流ICC6 ： 4毫安（ -75L ， -10L ）
工作频率
速度等级
CL = 2 *
-75 / -75L
-10 / -10L
100MHz
100MHz
时钟速率
CL = 2.5 *
133MHz
125MHz
* CL = CAS （读）延迟
内容如有更改，恕不另行通知。
三菱电机
-1-
DDR SDRAM （ Rev.1.1 ）
二月
电
'02
三菱
三菱的LSI
M2S12D20 / 30TP -75 ， -75L ， -10 ， -10L
512M双数据速率同步DRAM
引脚配置（顶视图）
x4
x8
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
NC
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
NC
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
66pin TSOP （II）的
60
59
58
57
56
55
400mil宽度
54
53
x
52
51
875mil长
50
49
48
0.65mm
47
46
引线间距
45
44
43
ROW
42
41
A0-12
40
COLUMN
39
A0-9,11-12(x4)
38
37
A0-9,11 （ X8 ）
36
35
34
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
NC
VREF
VSS
DM
/ CLK
CLK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
NC
VREF
VSS
DM
/ CLK
CLK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
CLK ， / CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-7
的DQ
DM
VREF
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：数据选通
：写面膜
：参考电压
A0-12
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：地址输入
：银行地址输入
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
三菱电机
-2-
DDR SDRAM （ Rev.1.1 ）
二月
电
'02
三菱
三菱的LSI
M2S12D20 / 30TP -75 ， -75L ， -10 ， -10L
512M双数据速率同步DRAM
引脚功能
符号
TYPE
描述
时钟： CLK和/ CLK是差分时钟输入。所有地址和控制
输入信号进行采样在CLK的上升沿的交叉和
中/ CLK的下降沿。输出（读出）的数据被引用到的交叉点
CLK和/ CLK （交叉的两个方向） 。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自刷新。
之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步输入。自刷新
只要CKE是低电平被保持。
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-12与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-12规定。该列地址被指定
A0-9,11-12 （ X4）和A0-9,11 （ X8 ） 。 A10也被用于指示预充电
选项。当A10是高在一个读/写命令时，自动预充电是
进行。当A10为高电平时预充电命令，所有银行都
预充电。
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据输入/输出：数据总线
数据选通：读操作，写操作时输入时输出引脚。
边沿对齐与读出的数据，配置在中心的写数据的捕获
写数据。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据
当DM采样HIGH随着输入数据被屏蔽
在写操作。 DM进行采样DQS的两边。
虽然DM引脚的输入而已， DM负载相匹配的DQ
和DQS装载。
CLK ， / CLK
输入
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-12
输入
BA0,1
DQ0-7(x8),
DQ0-3(x4)
输入
输入/输出
的DQ
输入/输出
DM
输入
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
VREF
电源
电源
输入
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
SSTL_2参考电压。
三菱电机
-3-
DDR SDRAM （ Rev.1.1 ）
二月
电
'02
三菱
三菱的LSI
M2S12D20 / 30TP -75 ， -75L ， -10 ， -10L
512M双数据速率同步DRAM
DQ0 - 7
的DQ
框图
DLL
I / O缓冲器
QS缓冲区
内存
ARRAY
银行＃ 0
内存
ARRAY
银行＃ 1
内存
ARRAY
银行＃ 2
内存
ARRAY
银行＃ 3
模式寄存器
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
A0-12
BA0,1
CLK / CLK CKE
控制信号缓冲
/ CS / RAS / CAS / WE
DM
型号代码
M 2 S12中 3 0
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
TP -75 L
功率级L：低功耗， （空白） ：标准
速度等级10 ： 125MHz的@ CL = 2.5,100MHz @ CL = 2.0
75:
133MHz@CL=2.5,100MHz@CL=2.0
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
（空白） ：1根。
功能保留供以后使用
组织2 N 2 ： X4 ， 3 ： X8
DDR同步DRAM
密度12 ： 512M位
接口V ： LVTTL ，S ： SSTL_3 ， _2
内存式（ DRAM ）
三菱主名称
三菱电机
-4-
DDR SDRAM （ Rev.1.1 ）
二月
电
'02
三菱
三菱的LSI
M2S12D20 / 30TP -75 ， -75L ， -10 ， -10L
512M双数据速率同步DRAM
基本功能
该M2S12D20 / 30TP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号定义
/我们在CLK的上升沿。除了3个信号， / CS ， CKE和A10作为片选，
刷新选项，和预充电的选项，分别。请参照命令真值表
命令的详细定义。
/ CLK
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活由BA表示闲置银行一行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行被读取突发（自动停用后
预充电，
READA ）
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。要写入的总数据长度
由突发长度定义。当A10 = H在此命令中，银行突发写入之后停用
（自动预充电，
WRITEA ）
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止突发读
/写操作。当A10 = H这个命令，所有银行都取消（全部预充电，
PREA
).
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。产生刷新地址，包括银行地址
在内部。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
-5-
QQ：2881677436 复制
