M2G / M2GC
双平衡混频器
修订版V2
特点
LO 800至3500兆赫
RF 1000 2200兆赫
IF DC至1500 MHz的
LO驱动+7 dBm的（标称）
高隔离30分贝（ TYP 。 ）
产品图片
描述
该M2G是一个双平衡混频器，设计用于军事用途，
商业，和测试设备的应用程序。该设计利用
肖特基环四二极管和宽带铁氧体巴伦实现
优异的性能。此混频器，也可以用作相
检测器和/或两相调制器由于IF端口是直流电源接头
PLED的二极管。环境筛选可用于MIL-
STD- 883 ， MIL -STD- 202或MIL- DTL- 28837 ，向厂家咨询。
订购信息
产品型号
M2G
M2GC
包
TO-8
SMA外接式
电气规格位：Z
0
= 50Ω LO = +7 dBm的（下变频应用程序只）
典型
参数
测试条件
单位
+25C
-54到+ 85C *
保证
SSB变频损耗
（最大） &单边带噪声
图（最大）
FR = 1000至2200年兆赫， FL = 800 3500兆赫， FI = 10 1500兆赫
dB
8.0
9.5
10.0
隔离，L为R（分钟）
FL = 800 2000兆赫
FL = 20003000兆赫
FL = 3000 3500兆赫
FL = 800 3500兆赫
dB
dB
dB
dB
40
25
20
25
25
20
17
20
23
18
18
18
隔离，长度为I（分钟）
1分贝转换比较。
输入IP3
*本M2GC规范限制适用于0℃至+ 50℃ 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
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双平衡混频器
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典型性能曲线
2
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双平衡混频器
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
峰值输入功率
输入电流峰值
外形图： TO- 8 *
绝对最大
-54C至+ 100C
-65 ° C至+ 100°C
+23 dBm的最大@ + 25C
+17 dBm的最大@ + 100C
50毫安DC
重量： 2克最大（0.07盎司）。
外形图： SMA外接式*
重量： 21克最大（0.74盎司）。
尺寸为英寸（毫米） ± 0.015 （ 0.38 ）除非另有规定。
3
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M1G THRU M7G
表面安装普通整流
反向电压 - 50至1000 V
正向电流 - 1
特点
对于表面安装应用程序
低廓包
内置应变消除
方便取放
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
机械数据
案例：
SMA （ DO - 214AC ） ，模压塑料。
终端：
焊接镀，每MIL -STD- 750焊接的
方法2026
极性：
由阴极频带表示。
绝对最大额定值和特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
符号M1G M2G M3G M4G M5G M6G M7G
单位
放慢参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
= 100
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
最大正向电压在1
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
1)
典型热阻
2)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JL
T
J ,
T
S
30
1.1
5
50
12
30
- 55至+ 150
O
A
V
A
pF
C / W
O
在T
A
= 25
O
C
在T
A
= 125
O
C
工作和存储温度范围
1)
2)
C
测得1 MHz和应用V
R
= 4 V.
8 mm
2
（0.013毫米厚）土地面积。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
M1G THRU M7G
30
峰值正向浪涌电流，
安培
平均正向电流，
安培
2.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
P.C.B装式
ON 0.315x0.315" （ 8.0x8.0mm ）
铜焊盘区
25
20
15
10
5
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
1.0
25 50 75 100 125 150 175
焊接温度。
o
C
图。 1 ，正向电流
降额曲线
1
2
5
10
20
50
100
循环次数在60赫兹
图。 2 ，最大非重复峰值正向
浪涌电流
瞬时正向电流，
微安
瞬时反向电流，
微安
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
80 100 120 140
T
j
=125
o
C
T
j
=75
o
C
T
j
=25
o
C
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
正向
电压，伏
图。 4 ，典型瞬时
正向特性
百分之峰值反向电压， ％
图。 3 ，典型的反向
特征
1000
热阻抗（℃ / W）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
电容。 pF的
单位安装
20in
2
(5.4mm
2
)+0.5mil
inches(0.013mm)
厚铜土地面积
100
50
20
10
5
2
1
T
j
=25
o
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
1.0
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
反向电压伏
图。 6 ，典型结电容
反向电压伏
图。 5瞬态热阻抗
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 14/04/2008
QQ：2880707522 复制
