M29W022BT ， M29W022BB
图2. TSOP连接
图3. PLCC连接
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M29W022BT 25
M29W022BB 24
16
17
AI02970
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI03045
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A12
A15
A16
NC
VCC
W
A17
1 32
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29W022BT
M29W022BB
25
17
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29W022B是2兆比特（ 256Kb的X8 ）非vola-
瓷砖存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一的低电压（2.7 3.6V）供电。上
电内存默认的阅读模式
在那里它可以被读取以同样的方式作为ROM或
EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
2/20
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
在存储器中的块是不对称AR-
列，参见表3和表4中，块地址。该
第一个或最后64字节被分成四个
附加块。 16 KB的引导块可以
用于小初始化代码以启动微
处理器，两个8字节参数块可
用于参数存储和剩余
32字节是一个小主座，其中应用
灰可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP32 （8× 14毫米）提供
和PLCC32封装，它与所有的供给
擦除的位（设置为' 1'） 。
M29W022BT ， M29W022BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
价值
0到70
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.顶部引导块地址
M29W022BT
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
地址范围
3C000h-3FFFFh
3A000h-3BFFFh
38000h-39FFFh
30000h-37FFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
表4.底部引导块地址
M29W022BB
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
3/20
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