M29W010B
图2. PLCC连接
图3. TSOP连接
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A12
A15
A16
NC
VCC
W
NC
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29W010B
25
8
9
M29W010B
25
24
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
16
17
AI02754
AI02748
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29W010B是一个1兆比特（ 128KB ×8 ）非vola-
瓷砖存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一的低电压（2.7 3.6V）供电。上
电内存默认的阅读模式
在那里它可以被读取以同样的方式作为ROM或
EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在PLCC32或TSOP32提供（8×
20毫米）封装，它与所有的供应位
擦除（设置为' 1'） 。
为了满足环保要求， ST
提供M29W010B在ECOPACK
包。
ECOPACK封装是无铅的。类别
第二级互连标记在
包装和内盒上的标签，在遵守
JEDEC标准JESD97 。最大额定
相关的焊接条件英格斯也
标内盒上的标签。
ECOPACK是ST的商标。 ECOPACK试样
fications可在： www.st.com 。
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M29W010B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
工作环境温度（温度范围选项6 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40至125
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.均匀块地址， M29W010B
#
7
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
16
16
16
16
16
16
16
16
地址范围
1C000h-1FFFFh
18000h-1BFFFh
14000h-17FFFh
10000h-13FFFh
0C000h-0FFFFh
08000h-0BFFFh
04000h-07FFFh
00000h-03FFFh
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally损坏电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC3
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
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M29W010B
1兆位（ 128KB X8 ，统一座）
低压单电源闪存
初步数据
s
单2.7至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 通过为10μs典型字节
8均匀16K字节的内存块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8× 20毫米
s
s
s
s
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 23H
17
A0-A16
W
M29W010B
E
G
8
DQ0-DQ7
s
图1.逻辑图
s
VCC
s
s
VSS
AI02747
2000年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M29W010B
图2. PLCC连接
图3. TSOP连接
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A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
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A13
A8
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G
A10
E
DQ7
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
VCC
NC
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A15
A12
A7
A6
A5
A4
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M29W010B
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8
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DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
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AI02754
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A12
A15
A16
NC
VCC
W
NC
AI02748
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29W010B是一个1兆比特（ 128KB ×8 ）非vola-
瓷砖存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一的低电压（2.7 3.6V）供电。上
电内存默认的阅读模式
在那里它可以被读取以同样的方式作为ROM或
EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在PLCC32或TSOP32提供（8×
20毫米）封装，它与所有的供应位
擦除（设置为' 1'） 。
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M29W010B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
°C
°C
°C
V
V
V
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
价值
0到70
单位
°C
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.均匀块地址， M29W010B
#
7
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
（千字节）
16
16
16
16
16
16
16
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地址范围
1C000h-1FFFFh
18000h-1BFFFh
14000h-17FFFh
10000h-13FFFh
0C000h-0FFFFh
08000h-0BFFFh
04000h-07FFFh
00000h-03FFFh
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally损坏电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC3
.
V
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地面上。
在V
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地面为基准
所有的电压测量。
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