M29W008T ， M29W008B
图2. TSOP引脚连接
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
W
RP
NC
RB
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
40
A17
VSS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VCC
VCC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
VSS
E
A0
表1.信号名称
A0-A19
DQ0-DQ7
E
G
W
RP
RB
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出，输入命令
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
电源电压
地
10
11
M29W008T
M29W008B
31
30
20
21
AI02190
警告：
NC =未连接。
描述
（续）
该应用程序。每个块可以被编程
并删除超过10万次。
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，擦除
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RP）
(2)
暂停和恢复被写入到设备中
命令的使用周期，以一个命令接口
标准的微处理器写时序。该装置
在TSOP40 （ 10× 20毫米）封装提供。
组织
该M29W008组织为1Mb的X 8的MEM
储器使用的地址输入A0 - A19和数据
输入/输出DQ0 - DQ7 。内存控制是亲
通过芯片vided启用E，输出使能G和写
启用W投入。
复位/座临时RP unprotection的三电平
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平，
当举行高（在V
ID
）暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号，和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，E ，G ， RP电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注意事项：
1.除评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
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M29W008T ， M29W008B
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29W008T和M29W008B设备有一个数组
19块，一个引导块16个字节， 2
参数块8字节，一个正座
32字节和64字节15块主。
该M29W008T有引导块在顶部
所述存储器地址空间和M29W008B
定位引导块从底部开始。该
存储器映射显示在图3中每个块
可单独擦除的任何组合
块可以为多块擦除或指定
整个芯片可以被擦除。擦除操作
由P / E.C自动管理。块
擦除操作可以读暂停
从程序或任何块没有被ersased ，
然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
相应的总线周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
TE CT我上加利PR OT ê克拉根离子，临吨ECT离子Ve的RIF Y，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可以给编程/擦除控制器
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读电子签名
或块保护状态） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
操作。状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特和RB的输出可以被读出
任何时候，编程或擦除过程中，监控
的操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令接口是通用于所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于程序指令，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可被暂停，以便从读出的数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或以下若VCC降到
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A19 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.当A9提高到V
ID
，或者读
电子签名的制造商或设备代码，
块保护状态或写块保护
或阻止unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
的输入是数据
存储器阵列或一个COM中进行编程
命令要被写入到C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能
W的输出是从所述存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
输出被禁止，当RP处于较低水平。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 取消选择高内存
并减少功率消耗的待机
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
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