M29W008AT
M29W008AB
8兆位（1MB ×8 ，引导块）
低压单电源闪存
s
2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间： 80ns的
编程时间： 10μs的典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
s
s
s
s
s
s
安全保护存储区
说明地址编码： 3个数字
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
TSOP40 （ N）
10× 20毫米
s
s
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
s
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M29W008AT ： D2H
- 底设备代码， M29W008AB ：大昌行
G
RP
VCC
s
20
A0-A19
W
E
M29W008AT
M29W008AB
8
DQ0-DQ7
s
s
RB
VSS
AI02716
2000年3月
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M29W008AT ， M29W008AB
图2. TSOP连接
表1.信号名称
A0-A19
地址输入
数据输入/输出，输入命令
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
电源电压
地
在内部没有连接
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
W
RP
NC
RB
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
40
10 M29W008AT 31
11 M29W008AB 30
20
21
AI02717
A17
VSS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VCC
VCC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
VSS
E
A0
DQ0-DQ7
E
G
W
RP
RB
V
CC
V
SS
NC
描述
该M29W008A是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在逐字节的基础在系统编程
只使用一个单一的2.7V至3.6V V
CC
供应量。为
编程和擦除操作所需的高
内部产生的电压。该设备可以
也是在标准编程来编程。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备，
暂时无保护做出改变
该应用程序。每个块可以被编程
并删除超过10万次。
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，
擦除挂起和恢复被写入到设备
副在命令周期，命令接口
面对使用标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP40 （ 10× 20毫米）
封装。
组织
该M29W008A组织为1Mb的X8 。该
内存采用的地址输入A0 - A19和
数据输入/输出DQ0 - DQ7 。内存控制
通过芯片提供的启用E，输出使能G和
写使能W输入。
复位/座临时RP unprotection的三列弗
埃尔输入提供了一个硬件复位时，拉
低，而当（在V高举行
ID
）暂时非
保护先前保护，让他们阻止
要进行编程和擦除。擦除和编程
操作是由一个内部程序来控制/
擦除控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据
上DQ7的输出提供了一个数据查询信号，并且
DQ6和DQ2提供切换信号指示
在P / E.C操作的状态。一就绪/忙
RB输出指示完成内部的
算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29W008AT和M29W008AB设备有
19块， 16个字节的一个引导块阵列，
2参数块8字节，一个主座
为32 KB和64 KB的15块主。
该M29W008AT有引导块在顶部
所述存储器地址空间和M29W008AB
定位引导块从底部开始。该
存储器映射显示在表3 ， 4，每
块可以单独被删除，任意组合
的块可以为多块擦除被指定的或
整个芯片可以被擦除。擦除操作
系统蒸发散是由P / E.C自动管理。
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M29W008AT ， M29W008AB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RP ） （ 2 ）
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，E ，G ， RP电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
3.取决于范围。
在块擦除操作可在暂停
为了从程序或任何块读不为─
ING删除，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
相应的总线周期：读取（阵列，电子 -
IC签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁止，待机，复位，座
保护unprotection的，保护校验，外部器件了
tection验证和块临时unprotection的。
看表5和表6 。
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可以给编程/擦除控制器
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。所述第一，第二，第四和
第五周期用于输入编码周期的
C.I.此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读电子签名确保
TURE或块保护状态） ，程序，块
擦除，芯片擦除，擦除暂停和擦除再
庙。内部P / E.C 。自动处理
所有的时序和验证计划和
擦除操作。状态寄存器的数据Poll-
荷兰国际集团，切换，错误位和RB的输出可
在任何时候读取，编程过程中或擦除，以
监视操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令接口是通用于所有IN-
structions （见表9）。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在或 -
DER给予额外的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于程序指令
化，第四个命令周期输入地址
和数据进行编程。对于擦除指令
化（块或片） ，第四和第五次IN-
把进一步的编码序列擦除前
确认在第六循环指令。的擦除
内存块可以被暂停，以便读
从另一个块或数据进行编程的AN-数据
其它的块，然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
低于V
L-
KO
中，命令界面被重置为读阵列。
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