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M29W002BT
M29W002BB
2兆位( 256Kb的X8 ,引导块)
低压单电源闪存
初步数据
s
单2.7至3.6V电源电压
编程,擦除和读取操作
存取时间: 55ns
编程时间
- 通过为10μs典型字节
7内存块
- 1引导块(顶部或底部的位置)
- 2参数和4个主要模块
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP40 ( N)
10× 20毫米
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
临时块解除保护
模式
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
A0-A17
W
E
G
RP
M29W002BT
M29W002BB
RB
18
VCC
s
s
8
DQ0-DQ7
s
每10万编程/擦除周期
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 热门器件代码M29W002BT : 40H
- 底设备代码M29W002BB :反应2h
s
s
VSS
AI02955
2000年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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M29W002BT , M29W002BB
图2. TSOP连接
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
电源电压
在内部没有连接
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
W
RP
NC
RB
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
40
10 M29W002BT 31
11 M29W002BB 30
20
21
AI02956
A17
VSS
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VCC
VCC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
G
VSS
E
A0
E
G
W
RP
RB
V
CC
V
SS
NC
概要说明
该M29W002B是2兆比特( 256Kb的X8 )非vola-
瓷砖存储器可被读取,擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一的低电压(2.7 3.6V)供电。上
电内存默认的阅读模式
在那里它可以被读取以同样的方式作为ROM或
EPROM 。该M29W002B是完全向后的COM
兼容与M29W002 。
所述存储器被划分成块,可以是
独立地被擦除,因此,能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护,以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作,可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
在存储器中的块是不对称AR-
列,看表3A和3B中,块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器,两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩余的32字节的小主座,其中
该应用程序可以被存储。
芯片使能,输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机,通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP40提供(10× 20毫米)
封装,它与所有的位擦除提供
(设置为' 1') 。
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M29W002BT , M29W002BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
工作环境温度(温度范围选项6 )
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
°C
°C
°C
V
V
V
参数
工作环境温度(温度范围选项1 )
价值
0到70
单位
°C
注: 1。除了评级"Operating温度Range" ,上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ,可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.顶部引导块地址
M29W002BT
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
(千字节)
16
8
8
32
64
64
64
地址范围
3C000h-3FFFFh
3A000h-3BFFFh
38000h-39FFFh
30000h-37FFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
表4.底部引导块地址
M29W002BB
#
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
(千字节)
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
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M29W002BT , M29W002BB
信号说明
参见图1 ,逻辑图和表1中,信号
名,对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入( A0 - A17 ) 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用( E) 。
该芯片使能, E,激活
内存,允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能( G) 。
输出使能,G ,连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能( W) 。
写使能, W,控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消( RP ) 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低,V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高,V
IH
,内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
,以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分,表15和图10 ,复位/
临时撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出( RB ) 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出,可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下,自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后,总线读取和写入总线
操作不能开始,直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。参见表15和图
10 ,复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平,V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个,或多个,正忙。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作(读,亲
克,擦除等) 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压,
V
LKO
。这可以防止总线写操作,从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据,
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止, memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作,我
CC3
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
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M29W002BT , M29W002BB
巴士业务
有迹象表明,控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读,写总线,输出
把禁用,待机和自动待机。看
表5 ,公交车运营,对于一个总结。通常
小于5ns的片上的毛刺启用或写
启用的内存被忽略,不自动对焦
FECT总线操作。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元,或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能
和输出使能,并保持写使能
高,V
IH
。数据输入/输出将输出
值,见图7 ,阅读模式AC波形,
和表12 ,阅读交流特性,了解详细信息
的时,输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能,最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能,以先到为准。输出恩
能必须维持在高位,V
IH
,整辆巴士中
写操作。参见图8和9中,收件交流
波形,以及表13和表14中,收件交流
特点,关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高,V
IH
.
待机。
当芯片使能为高,V
IH
中,
内存进入待机模式,数据在 -
看跌期权/输出引脚被放置在高阻抗
表5.公交运营
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注:X = V
IL
或V
IH
.
ANCE状态。为了减少电源电流的
待机电源电流,我
CC2
,芯片使能应
在V举行
CC
± 0.2V 。对于待机电流
水平见表11 ,直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前,我
CC3
,对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平(V
CC
± 0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为150ns或更多的存储器进入自动
待机状态,内部电源电流为重
缩小以待机电源电流,I
CC2
。该
数据输入/输出仍然会输出数据,如果公交车
读操作正在进行中。
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名,也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病,而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码,制造商代码和装置
码,可以读取,以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表5中列出,公交车运营。
块保护和块unprotection的。
块可分别防止邮轮业咨询委员会
牙科编程或擦除。受保护的块可以是
未受保护的,以允许数据被改变。
有两种方法可用于保护
并取消保护块,一个是亲上使用
编程设备和其它用于在系统
使用。欲了解更多信息,请参见应用
注意AN1122 ,应用保护和Unprotec-
重刑M29系列闪存。
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址输入
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据
输入/输出
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
40H ( M29W002BT )
C2H ( M29W002BB )
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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